
- •§ 1. Температура сверхпроводящего перехода 3
- •§ 1. Температура сверхпроводящего перехода
- •§ 2. Нулевое сопротивление
- •§ 3. Контур без сопротивления
- •§ 4.Сопротивление переменному току
- •Идеальный диамагнетизм
- •§ 1 Магнитные свойства идеального проводника
- •§ 2 Специфические магнитные свойства сверхпроводника
- •§ 3 Поверхностные токи
- •§ 4 Глубина проникновения
- •Некоторые значения глубины проникновения при 0 к
- •Критическое магнитное поле
- •§ 1 Намагниченность сверхпроводников
- •Промежуточное состояние
- •§ 1 Размагничивающий фактор
- •§ 2. Переход в магнитном поле при п 0
- •Сверхпроводимость II рода Смешанное состояние
- •Высокотемпературные сверхпроводники
- •Техника эксперимента Измерение магнитных свойств и Тк сверхпроводников
- •Определение Тс индукционным методом
- •Порядок выполнения лабораторной работы
- •Литература
Высокотемпературные сверхпроводники
В 1986 г. И. Г. Беднорцем и К. А. Мюллером были открыты высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП). Критическая температура ВТСП лежит, как правило, выше температуры кипения азота (77 К). Основой этих соединений служат окислы меди, и поэтому они часто называются купратами или металлооксидами. В 1987 г. на керамике YBa2Cu3O7 была достигнута температура сверхпроводящего перехода 92 К; затем она была поднята до 125 К в соединениях таллия. Наибольшая критическая температура, достигнутая за 10 лет исследований ВТСП (~145 К), принадлежит соединениям на основе ртути. Сейчас известно более двух десятков ВТСП соединений - купратов различных металлов, они называются соответственно основным металлам: иттриевыми (например, YBa2Cu3O7-x, Tс~90К), висмутовыми (Вi2Sr2CaCu2O8, Tс~95 K), таллиевыми (Тl2BaCaCu2O8, Tс~110 K), ртутными (HgBa2CaCu2O6 Tc~125 K).
В состав оксидных сверхпроводников входит обычно 4-5 различных сортов атомов, а в элементарную кристаллографическую ячейку до 20 атомов. Практически все ВТСП обладают слоистой структурой с плоскостями из атомов Сu и О. Число промежуточных медных слоев может быть различным, синтезированы соединения, в которых число СuO2 слоев достигает 5. Существенную роль в механизме сверхпроводимости играет наличие кислорода. Результаты многочисленных экспериментов показывают, что плоскости с кислородом являются основным объектом в кристаллографической решетке, которые ответственны как за проводимость этих оксидных соединений, так и за возникновение в них сверхпроводимости при высоких температурах.
ВТСП являются типичными представителями сверхпроводников II рода с очень большим отношением лондоновской длины к длине когерентности - порядка нескольких сотен. Поэтому магнитное поле Hc2 имеет очень высокое значение, в частности у Вi 2212 оно составляет примерно 400 Тл, а Hc1 равно нескольким сотням эрстед (в зависимости от ориентации поля относительно кристалла).
Для большинства ВТСП характерна сильная анизотропия, что приводит, в частности, к весьма необычному характеру зависимости магнитного момента этих веществ от величины поля в случае, если оно наклонено к основным кристаллографическим осям. Суть эффекта состоит в том, что вследствие значительной анизотропии вихревым линиям вначале энергетически более выгодно располагаться между слоями СиО2 и лишь затем, после некоторого значения поля, начинать пронизывать эти плоскости.
Техника эксперимента Измерение магнитных свойств и Тк сверхпроводников
Техника, используемая для измерения магнитных характеристик сверхпроводников, принципиально не отличается от техники для подобных измерений обычных магнитных веществ, таких, как ферромагнетики, за исключением того, что она должна быть пригодна для работы при очень низких температурах. Экспериментальные методы можно разделить на две группы: те, в которых магнитный поток Визмеряется в образце, и те, в которых измеряется намагниченность образцаI(фиг. 23). Каждый из этих методов обеспечивает получение полной информации о магнитных свойствах образца, но, смотря по обстоятельствам, можно выбрать тот или другой из них. Для магнитных измерений применяется разнообразная аппаратура с различной степенью сложности в зависимости от чувствительности, степени автоматизации и т. п. Однако в основе всей этой техники лежат простые методы, на одном из них мы сейчас остановимся.