Петров Н. 310гр.

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №55.

Исследование ЭДД (эквивалента двухбазового диода на транзисторах).

Цель работы: Получить зависимости I_вх = f₁(U_вх) и U_вых = f₂(U_вх).

Схема установки:

Результаты измерений и вычислений:

1. Зависимость выходного напряжения от входного:

ΔU_вх=0,2 В; ΔU_вых = 0,2В

Uвх	Uвых
6,1	6
6	5,9
5,9	5,8
5,8	5,7
5,7	5,6
5,6	5,5
5,5	5,4
5,4	5,3
5,3	5,2
5,2	5,1
4,8	4,7
4,6	4,5
4,2	4,1
3,8	3,6
3,4	3,2
3	2,8

2. Зависимость входного тока от входного напряжения:

ΔU_вх=0,2 В; ΔI_вх = 0,5 мкА.

Uвх	Iвх
6,1	3
6	4,5
5,9	6
5,8	7
5,7	9
5,6	10
5,5	11
5,4	12
5,3	13,5
5,2	13,5
4,8	15,5
4,6	21
4,2	25
3,8	29
3,4	33

3. Исследование работы в режиме генерации:

Форму импульсов наблюдаем на осциллографе.

T_{плоск. верш.}=460 мкс. А = 1,5 мкс.

Т_имп. = 10 мкс. В = 1,5 мкс.

С = 0,03 мкс.

2