Скачиваний:
47
Добавлен:
22.08.2013
Размер:
54.78 Кб
Скачать

Филиппов Владимир,

III курс, 11 группа.

Исследование ЭДД.

Цель работы: определить зависимость входного тока и выходного напряжения от входного напряжения для ЭДД; изучить работу мультивибратора на ЭДД.

Двухбазовый диод конструктивно представляет собой пластину или нить из полупроводника, в котором на определенном расстоянии от одного из выводов сформирован точечный эмиттер из полупроводника другого типа. Такое устройство представляет собой полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением.

Транзисторный эквивалент двухбазового диода состоит из двух транзисторов разного типа проводимости и делителя напряжения на сопротивлениях.

Ход работы.

1. Исследование характеристик ЭДД.

а) Зависимость Iвх от Uвх.

Uвх±0.1, В

Iвх±4, мкА

Uвх±0.1, В

Iвх±4, мкА

1

1.0

0

11

4.4

390

2

2.0

20

12

4.2

450

3

3.0

30

13

4.0

500

4

4.0

40

14

3.8

560

5

4.9

50

15

3.6

620

6

4.9

50

16

3.3

700

7

5.0

110

17

3.0

770

8

4.9

190

18

2.5

920

9

4.8

240

19

2.0

1060

10

4.6

330

20

1.5

1200

21

2.4

1500

б) Зависимость Uвых от Uвх.

Uвх ±0.1, В

Uвых±0.1, В

Uвх±0.1, В

Uвых±0.1, В

1

5.0

4.6

9

3.1

3.6

2

4.9

4.4

10

2.8

3.3

3

4.8

4.3

11

2.6

3.0

4

4.6

4.1

12

2.1

2.5

5

4.4

3.9

13

1.6

2.0

6

4.2

3.7

14

1.2

1.5

7

4.0

3.5

15

0.8

1.1

8

3.8

3.4

2. Перевели схему в режим генерации, подключив на вход цепочку RC. Наблюдаем импульсы и определяем их основные параметры:

Длительность плоской вершины импульса: (5.8±0.3) мкс;

Длительность заднего фронта импульса: (0.7±0.08) мкс;

Длительность переднего фронта импульса: (2.4±0.3) мкс;

Период следования импульсов: (0.860±0.008) мс.

2

Соседние файлы в папке 55 - Исследование эквивалента двухбазового диода на транзисторах