
- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
Під
час роботи БТ у різних електронних
схемах до його вхідного кола находять
сигнали у формі змінної напруги, яка
змінює вхідний та вихідний струм
приладу. У цьому разі БТ працює в
динамічному режимі: зміна струму
колектора
у транзисторі відбувається внаслідок
одночасної зміни вхідного струму (
або
)
і напруги на колекторі (
або
).
Основним різновидом динамічного режиму
БТ є підсилювальний режим.
3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
Схема зі спільною базою
Схема транзистора підсилювача зі спільною базою зображена на рисунку 3.43.
Рисунок 3.43 – Підсилювальний каскад зі спільною базою
За
відсутності вхідного сигналу ()
у вхідному колі БТ діє напруга спокою
,
створена за рахунок джерела
,
і протікає струм
- емітерний струм спокою. У вихідному
колі діють відповідно напруга
(від джерела
)
і струм
.
У колі бази
=
-
.
Початковий режим БТ – активний.
При
надходженні на вхід схеми сигналу
починається динамічний режим роботи
БТ. Практично вся напруга
виділяється на резисторі
,
і тоді напруга
змінюватиметься за законом
.
Часові
діаграми напруги і струмів каскаду
показано на рисунку 3.44. Оскільки БТ
працює в активному режимі, разом зі
зміною
змінюватимуться емітерний
,
колекторний
струми, а також напруга на колекторі
(рис. 3.44). Колекторна напруга змінюється
за законом
.
З
діаграм видно, що вхідна
і вихідна
напруги схеми змінюються у фазі одна
відносно іншої (каскад за схемою зі
спільною базою не інвертує вхідного
сигналу). Амплітуда
може бути більша за амплітуду вхідного
сигналу, якщо відповідно вибрати
величину колекторного опору
,
тобто в цьому випадку каскад підсилює
напругу. Процес підсилення полягає в
перетворенні енергії джерела живлення
в енергію вихідного сигналу. При цьому
транзистор відіграє роль своєрідного
регулятора, який керує струмом джерела
.
Величина і форма вихідної напруги
залежать не тільки від величини і форми
вхідного сигналу, величини
,
але й від вибору положення початкової
робочої точки на характеристиках БТ
(
,
,
,
).
Схема зі спільним емітером
Схема
транзисторного підсилювача зі спільним
емітером показана на рисунку 3.45, а
часові діаграми пристрою – на рисунку
3.46. Режим спокою забезпечується двома
джерелами -
(напруга
і струм
)
і
(напруга
і струм
).
Напруга колектора
=
-
.
Рисунок 3.45 – Підсилювальний каскад зі спільним емітером
У режимі
підсилення вхідного сигналу під час
додатного півперіоду вхідної напруги
пряма напруга ЕП транзистора зменшується,
струм бази
та колектора
також зменшуються, що викликає збільшення
напруги колектора
.
Якщо робота відбувається на лінійній
ділянці характеристики транзистора,
то форми змінних складових струмів
бази і колектора збігаються з формою
вхідної напруги, а зміна напруги на
колекторі, зумовлена змінною складовою
колекторного струму, є протифазною
відносно вхідної напруги. Отже, схема
підсилювального каскаду на БТ зі
спільним емітером є інвертувальною
схемою. Як випливає з попереднього
матеріалу, схема рисунка 3.45 здатна
підсилювати не лише напругу, а й струм.
Рисунок 3.44 – Часові діаграми напруг і струмів транзисторного каскаду зі спільною базою |
Рисунок 3.46 – Часові діаграми напруг і струмів транзисторного каскаду зі спільним емітером |