- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
Характеристики прямої передачі
Характеристиками прямої передачі є залежності (рис. 3.25).
Рисунок 3.25 – Характеристики прямої передачі БТ зі спільним емітером
Реальні характеристики відрізняються від лінійних, і їх нахил деякою мірою залежить від напруги . Швидкість зростанняіз зростанням струму бази зменшується. Це зумовлено залежністю(рис. 3.24). Знаходження характеристики прямої передачі приу від’ємному квадранті пояснюється тим, що в РН колекторний струм БТ має напрям, протилежний напрямув АР.
Характеристики зворотного зв’язку
Залежності показано на рисунку 3.26. Збільшення напругиприводить до зменшення активної ширини бази, зменшення струму бази. Для підтримання постійного значенняпотрібно збільшувати емітерний струм, підвищуючи напругу.
Рисунок 3.26 – Характеристики зворотного зв’язку БТ зі спільним емітером
3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
Вхідні характеристики БТ у ССК показано на рисунку 3.27.
При ЕП включено у зворотному напрямі і через базу протікає лише зворотний струм колектора. ПриЕП відкривається, струм бази змінює свій напрям і збільшується при зменшенні напруги. Це відбувається тому, що при зменшеннізростає напруга, оскільки вихідна напругапідтримується постійно. Але це приводить до зростання струму емітераі зв’язаного з ним струму бази.
Рисунок 3.27 – Статичні вхідні характеристики БТ зі спільним колектором
Вихідні характеристики транзистора зі спільним колектором примайже нічим не відрізняються від вихідних характеристик схеми зі спільним емітером, тому що, а.
3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
Температурна залежність вихідних або вхідних характеристик зумовлена зміною відповідно колекторного або емітерного струму при зміні температури.
Схема зі спільною базою
У ССБ, згідно з рівнянням (3.10), зміна колекторного струму при постійному струмі емітера
Відносна зміна струму колектора
=. (3.39)
Коефіцієнт передачі струму емітера від температури майже не залежить, тому температурна змінане впливає на дрейф характеристик. Другий доданок у формулі (3.39) визначає температурний дрейф характеристик, викликаний температурною зміною зворотного струму колектора:
, (3.40)
де - зворотний струм при температурі;
- зворотний струм при температурі ;
- для германію;
- для кремнію.
У практичних розрахунках вважається, що величина подвоюється при зростанні температури на 10С для германієвих БТ і на 8С - для кремнієвих БТ. Але вплив другого доданка формули (3.39) на температурний дрейф вихідних характеристик є незначним, оскільки для більшості транзисторів.
Саме тому температурні зміни вихідних характеристик БТ зі спільною базою невеликі (рис. 3.28).
Значно більшої температурної зміни зазнають вхідні характеристики.
Відомо, що ,
де - зворотний струм емітера, залежність якого від температури така сама, як і струму.
Рисунок 3.28 – Температурний дрейф вихідних характеристик БТ зі спільною базою
Унаслідок цього залежність емітерного струму від температури набирає вигляду
. (3.41)
Тому збільшення температури супроводжується зростанням струму емітера і зміщенням вхідних характеристик у бік більших струмів (рис. 3.29).
Рисунок 3.29 – Температурний дрейф вхідних характеристик БТ зі спільною базою
Як правило, вважають, що при зміні температури на один градус характеристики зміщуються вліво на 1 - 2 мВ.
Схема зі спільним емітером
Для оцінки температурної зміни вихідних характеристик БТ у ССЕ визначимо повний диференціал від рівняння (3.20):
, (3.42)
, оскільки у вихідних характеристиках =const. Оскільки , то
.
Отже,
Оскільки і, то врешті отримуємо
,
(3.43)
З цього виразу бачимо, що температурний дрейф вихідних характеристик БТ зі спільним емітером в разів більший, ніж у ССБ. Це суттєвий недолік схеми зі спільним емітером (рис. 3.30).
Рисунок 3.30 – Вплив температури на вихідні характеристики БТ зі спільним емітером
Вхідні характеристики БТ у ССЕ також зазнають змін при зміні температури (рис. 3.31). Збільшення температури викликає зростання струмів та, які спрямовані у колі бази назустріч один одному. Тому вхідні характеристики, зняті при різних температурах, перетинаються при малих струмах бази (т.на рисунку 3.31).
Рисунок 3.31 – Вплив температури на вхідні характеристики БТ зі спільним емітером