
- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
Параметри випрямних діодів
До цих параметрів належать:
постійна
, виміряна при даному постійному
;
постійний
, виміряний при даній постійній
;
середнє значення випрямленого струму
усереднюється за період;
прямий
та зворотний
опори діода при даних
та
;
диференціальний опір діода
;
максимально допустима зворотна напруга
;
максимально допустимий середній прямий струм
;
максимально допустима середня розсіювана потужність
тощо.
2.3 Напівпровідникові стабілітрони
Стабілітронами називаються діоди, які призначені для стабілізації рівня напруги в електронних схемах. З цією метою використовують діоди, ВАХ яких має ділянку зі слабкою залежністю напруги від струму, що протікає. Як стабілітрони використовуються площинні кремнієві діоди, на зворотній гілці ВАХ яких ділянка стабілізації створюється внаслідок лавинного або тунельного пробою (рис. 2.2).
На
ВАХ рис. 2.2 межі ділянки стабілізації
позначені точками А
та В.
Положенню точки А
відповідає напруга пробою стабілітрона
,
яка залежить від питомого опору вихідного
матеріалу, тобто від концентрації
домішок. ТочкаВ
відповідає граничному режиму, в якому
на стабілітроні розсіюється
максимально допустима потужність.
Рисунок 2.2 – ВАХ напівпровідникового стабілітрона
Низьковольтні
стабілітрони (В)
виготовляють із сильнолегованого
кремнію (з великими концентраціями
та
),
перехід
у них вузький, у ньому тунельний пробій
відбувається при невеликих напругах.
Стабілітрони з
В
виготовляються з малою концентрацією
домішок,
перехід
у них широкий, і в ньому більш імовірним
є лавинний пробій.
При
напругах стабілізації від 6 до 8 В
у стабілітронах може бути як лавинний,
так і тунельний пробій. Концентрація
домішок впливає не лише на величину
(
),
а й на зміну ВАХ при зміні температури.
Для
стабілітронів з малою концентрацією
домішок зростання температури приводить
до збільшення кількості вільних носіїв
заряду і зменшення їх рухомості. Тому
в таких стабілітронах при зростанні
температури розвиток лавиноподібного
процесу розмноження носіїв унаслідок
ударної іонізації почнеться при більшій
зворотній напрузі, тобто
збільшується (рис. 2.2).
У
низьковольтних стабілітронах (з великою
концентрацією домішок) зі зростанням
температури зменшується ширина ЗЗ,
зростає ймовірність тунельного пробою
(переходу носія з ВЗ однієї області в
ЗП іншої області), який і відбувається
при менших напругах, ніж це було при
початковій температурі, тобто
зменшується.
Для
стабілізації низьких напруг (біля
одного вольта) використовують пряму
гілку ВАХ діода при
>
.
У цьому режимі в кремнієвих діодах
також спостерігається слабка залежність
напруги від струму, що протікає. Такі
прилади називають стабісторами, їх
характеристика зображена на рисунку
2.3.
Рисунок 2.3 – Характеристика стабістора
До параметрів стабілітронів належать:
напруга стабілізації
при даному струмі стабілізації;
мінімально допустимий струм стабілізації
;
максимально допустимий струм
;
максимально допустима потужність
, що розсіюється стабілітроном;
диференціальний опір
;
температурний коефіцієнт напруги стабілізації (ТКН), який визначається відношенням відносної зміни напруги стабілізації (
) до абсолютної зміни температури при постійному
:
. (2.3)
Із
розглянутої температурної зміни ВАХ
стабілітронів випливає, що низьковольтні
стабілітрони (6В)
мають від’ємний ТКН, високовольтні
(
8В)
– додатний ТКН. Для зменшення температурної
залежності
послідовно зі стабілітроном включають
у прямому напрямі діод, який має ТНК
протилежного знака. Цей спосіб
використовується в прецизійних
стабілітронах типу Д818, які мають
усередині одного корпуса кілька
послідовно з’єднаних переходів.
Прикладом
стабілітрона може бути КС 168А –
стабілітрон кремнієвий, призначений
для пристроїв широкого вжитку, напруга
стабілізації 6,8 В,
допустима максимальна потужність не
перевищує 0,3 Вт.
Приклад стабістора: 2С107А – стабістор
кремнієвий спеціального призначення,
напруга стабілізації
В,
допустима потужність
0,3Вт.
Застосування
стабілітронів розглянемо на прикладі
найпростішого параметричного
стабілізатора постійної напруги (рис.
2.4). При збільшенні
одразу зростає
,
робоча точка на ділянці стабілізації
зміщується донизу, що означає зменшення
опору стабілітрона. Струм через
стабілітрон
зростає, загальний струм у колі
зростає (струм навантаження майже не
змінюється, бо напруга на кінцях
стабілітрона майже постійна), збільшується
спад напруги на гасильному резисторі
,
і відбувається такий перерозподіл
напруг між
та
,
що збільшення
в усталеному режимі компенсується
збільшенням
,
.
Стабілітрон утримує незмінною вихідну
напругу кола. Аналогічні процеси, тільки
в зворотному напрямі, проходять при
зменшенні вхідної напруги
.
Рисунок 2.4 – Схема стабілізатора напруги