Кондратенко Физика полупроводниковыих приборов 2009

Контрольные вопросы и задания

1.В каких полупроводниковых приборах принцип работы основан на управлении сопротивлением проводящего канала?

2.Какие разновидности полупроводниковых приборов и их моделей Вы знаете?

3.Какие межэлектродные напряжения и почему определяют границы между различными режимами работы ПТ и БТ?

4.Какие сигналы являются управляющими для ПТ и БТ?

5.При каких условиях ПТ работают в подпороговом режиме?

6.Оценить границы применимости малосигнальных высокочастотных схем замещения биполярного и полевого транзисторов (по амплитуде и по частоте сигнала).

7.Получить аналитические выражения для низкочастотной и высокочастотной асимптот диаграммы Боде АЧХ коэффициента передачи БТ (см.

рис. 3.7).

8.Доказать, что наклон высокочастотной асимптоты диаграммы Боде АЧХ передаточной функции первого порядка (см. формулу (3.6)) равен -20 дБ/дек.

9.Как связаны коэффициенты передачи токов базы β и эмиттера α?

10.Объяснить, исходя из физических соображений, возрастание с увеличением температуры коэффициента передачи тока базы β и обратного тока коллекторного перехода Iк0, а также уменьшение напряжения на эмиттерном переходе Uэ.

11.Почему изменения β, Iк0 и Uэ с ростом температуры приводят к увеличению тока коллектора Iк?

12.Привести физическое объяснение уменьшения емкости

Ск и постоянной времени τт с ростом обратного напряжения Uкб.

13. Получить выражение для крутизны полевого транзистора (4.2)

51

из соотношения (4.1) для стоко-затворной ВАХ.

14.Объяснить наличие точки "нулевого температурного дрейфа" у полевого транзистора с управляющим pn- переходом.

15.Почему сопротивление R3 в цепи затвора полевого транзистора

суправляющим pn- переходом приходится ограничивать сверху?

16.Каковы основные факторы, вызывающие нестабильность рабочей точки ПТ, и почему, в отличие от БТ, их воздействия могут частично компенсироваться?

17.Почему, несмотря на то, что крутизна в БТ значительно выше, чем крутизна ПТ, для получения достаточного коэффициента усиления по напряжению Кu при большом сопротивлении Rг генератора усиливаемых сигналов предпочтительно применять ПТ? Оцените величину Rг, при которой Кu каскада ОИ становится больше Кu каскада ОЭ.

18.В чем состоят основные отличия ЭС для инженерных расчетов от моделей транзисторов для машинных расчетов?

Список рекомендуемой литературы

1.Эннс В.И., Кобзев Ю.М. Проектирование аналоговых КМОП – микросхем. Краткий справочник разработчика / Под ред. канд.техн.наук В.И. Эннса. – М.: Горячая линия– Телеком. – 2005.

2.Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника:

3.Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1973.

4.Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. – М.: Энергия, 1974.

5.Транзисторы для аппаратуры широкого применения.

52