Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

pdf_labs / may05012

.pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
21.05.2015
Размер:
337.78 Кб
Скачать

11

О сновны м элементом полупр оводниковы х диодов я вля ется электр онноды р очны й или p-n пер еход, обр аз уемы й в тонком слое на гр анице двух полупр оводников ср азличны митипами пр оводимости– электр онного(n-тип) и ды р очного (р -тип). В n-полупр оводникеосновны ми носителя ми тока я вля ются свободны е отр ицательно (negative) з ар я ж енны е электр оны , концентр ация котор ы х nn многокр атно пр евы ш ает концентр ацию pn неосновны х носителей – ды р ок (р ис.1б). В р -полупр оводнике основны ми носителя ми тока я вля ются полож ительно(positive) зар я ж енны еды р ки, концентр ация котор ы х р р вомного р аз пр евы ш ает концентр ацию неосновны х носителей nр . Электр оны в р -области

я вля ются

неосновны ми носителя ми.

Пр и контакте n и р

полупр оводников

электр оны

из

n-области будут пер еходить в

р -область, а ды р ки из

р - в n-

область.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Подобны й

пр оцесс,

наблюдаемы й

в

двух

сообщ ающ ихся

сосудах,

заполненны х

двумя

р азличны ми газами,

в

р ез ультате диф ф узии

долж ен

закончиться

вы р авниванием концентр аций

обоих

газов

по всему

объем у

сообщ ающ ихся

сосудов.

О днако в

отличие от

обы чны х электр ически

нейтр альны х

газов,

электр онны й

и ды р очны й

газ ы

имеют

зар я ды

пр отивополож ной поля р ности. С уходом электр она из n-области, в ней остается ионизир ованны й атом донор ной пр имеси, котор ы й пр едставля ет неподвиж ны й (неучавствующ ий в пер еносетока) полож ительны й зар я д. А налогичносуходом ды р ки в р -области остается неподвиж ны й отр ицательно ионизир ованны й атом акцептор ной пр имеси. Пр и взаимодействииэлектр оны иды р кир екомбинир уют (исчезают) и в области p-n пер ехода возникает электр ическое поле Е 0, обр азуемоенеподвиж ны ми ионизир ованны ми донор ами и акцептор ами (р ис. 1а). Этополев области p-n пер ехода, обедненной носителя ми (р ис. 1б), создает потенциальны й бар ьер (р ис.1в), пр епя тствующ ий дальнейш ему пер еходу электр онов иды р ок.

У станавливается р авновесноесостоя ние, пр и котор ом объемны еобласти, р асполож енны епо р азны естор оны p-n пер ехода, имеют р азличны еэлектр ическиепотенциалы . Потенциал р -области оказы вается ниж епотенцила n-области (р ис. 1в). Т .к. областьp-n пер ехода обеднена носителя ми, ееудельноеэлектр и-

ческоесопр отивлениемногокр атно (в

деся тки,

сотни ты ся ч р аз ) пр евы ш ает

удельны е сопр отивления

объемны х

областей

диода (р ис. 1г). Поэтому

сопр отивление диода в

целом пр актически опр еделя ется сопр отивлением

тонкогослоя p-n пер ехода.

 

 

 

Пр и подключении кполупр оводниковому диоду внеш него электр ическогонапр я ж ения (р ис.2а и3а), областьp-n пер ехода, в зависимостиот поля р ности этого напр я ж ения , будет р асш ир я ться или суж аться . О чевидно, ср асш ир ением области p-n пер ехода сопр отивлениедиода в целом будет увеличиваться . Д иод закр ы вается , пр епя тствуя пр охож дению тока. Суж ениеобласти вы сокого сопр отивления пр иводит куменьш ению сопр отивления диода идиооткр ы вается .

Т аким обр азом, вентильны есвойства полупр оводникового диода объя с- ня ются наличием p-n пер ехода, от сопр отивления котор ого зависит величина тока, пр опускаемогодиодом.

12

 

 

Е о

 

 

 

+

 

 

р

+

n

 

 

 

 

+

 

 

 

+

 

а

р р

p n

nn

 

 

 

р

 

n

 

n р

 

р n

б

 

V

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

1

 

 

 

2

 

 

 

3

 

р

 

n

в

 

 

 

 

р

 

n

 

 

4

 

1

2 3

г

Рис.1

Распр еделениеконцентр аций носителей тока в полупр оводниковом диоде

- подвиж ны й электр он

- подвиж ная ды р ка

- ионизир ованны й акцептор + - ионизир ованны й донор

Распр еделениеконцентр аций носителей тока в полупр оводниковом диоде

р p - концентр ация ды р окв р -области

np - концентр ация электр онов в р -области nn - концентр ация электр онов в n-области р n - концентр ация ды р окв n-области

Распр еделениеэлектр ическогопотенциалав полупр оводниковом диоде

1 - пр инулевом внеш нем напр я ж ении

2- пр ипр я мом напр я ж ениина диоде бар ьер уменьш ается

3- у откр ы тогодиода бар ьер исчезает

4- пр иобр атном напр я ж ениина диоде бар ьер увеличивается

Распр еделениеудельногосопр отивления в полупр оводниковом диоде

1- пр инулевом напр я ж ениина диоде

2- пр ипр я мом напр я ж енииобласть вы сокогосопр отивления суж ается

3- у откр ы тогодиода

4- пр иобр атном напр я ж енииобласть вы сокогосопр отивления р асш ир я тся

13

Рассмотр им диод пр и подачена него пр я мого и обр атного внеш него напр я ж ения . Пр я мы м напр я ж ением назы вают такоенапр я ж ение, пр икотор ом кр - области пр илож ен полож ительны й потенциал, а к n-области – отр ицательны й (р ис. 2а). Пр и обр атном напр я ж ении р -область находится под отр ицательны м потенциалом, а n-областьпод полож ительны м (р ис. 3а).

Пр и пр я мом напр я ж ении полеЕ вн, создаваемоевнеш ним источником, имеет напр авление, пр отивополож ноевнутр еннему полю Е о. Это пр иводит к пониж ению потенциальногобар ьер а (р ис. 1в), суж ению области p-n пер ехода и уменьш ению сопр отивления диода (р ис. 2б). С увеличением пр я могонапр я ж е- ния в

неш нееполеЕ вн полностью компенсир ует внутр еннееполеЕ о, бар ьер исчезает и сопр отивлениедиода пр актическипадает донуля . Н а р ис. 2в показана зависимостьпр я моготока от величины пр я могонапр я ж ения Iпр(Uпр).

Пр иобр атном напр я ж енииполя Е вн и Е осклады ваются (р ис. 3а), потенциальны й бар ьер увеличивается (р ис. 1в), областьp-n пер ехода свы соким удельны м сопр отивлением р асш ир я ется и сопр отивлениедиода воз р астает (р ис. 2б). Д иод закр ы вается . Н а р ис. 3в показана зависимостьобр атноготока от величины

обр атного напр я ж ения Iобр (Uобр ). Д ля удобства пр я мую Iпр(Uпр) и обр атную Iобр (Uобр ) зависимости объединя ют в единую, так назы ваемую вольт-ампер ную

хар актер истику диода, вид котор ой показан на р ис. 4.

Таким обр азом, пр ипр я мом напр я ж ениидиод откр ы т ивеличина тока че-

рез диод опр еделя ется в основном сопр отивлением нагр узки Rн, включаемой последовательно сдиодом. Пр и обр атном напр я ж ении диод закр ы т, его сопр о- тивлениевелико и токчер ез нагр узку пр актически неидет. Е сли кпоследовательно соединенны м полупр оводниковому диоду и р езистор у подключить источникпер еменногонапр я ж ения синусоидальной ф ор мы (р ис. 5а), тов течение одногополупер иода, когда диод откр ы т, напр я ж ениена р езистор ебудет повто-

р я тьнапр я ж ениеисточника Uвх. В следующ ий полупер иод диод закр ы т и на-

пр я ж ениена р ез истор еUвы х будет р авнонулю (р ис. 5б). Т акр аботает однополупер иодны й вы пр я митель, напр я ж ениена вы ходекотор ого будет пульсир ую-

щ им.

В больш инствепр актических случаев тр ебуется стабильноепостоя нное напр я ж ениебез пульсаций. Д ля сглаж ивания пульсаций использ уются р азличного р ода стабилизатор ы постоя нного напр я ж ения . В пр остейш ем случаер оль сглаж ивающ егоэлемента мож ет вы полня тьконденсатор (р ис. 6а). Пр иувеличении пр я мого напр я ж ения диод откр ы вается , егосопр отивлениеуменьш ается , и напр я ж ениеUвы х на р езистор еRн иконденсатор еС будет повтор я тьнапр я ж ение Uвх. С уменьш ением входного напр я ж ения , напр я ж ениена р езистор еRн поддер ж ивается напр я ж ением зар я ж енногоконденсатор а инеуспевает следоватьз а уменьш ением напр я ж ения на входевы пр я мителя . К онденсатор пр одолж ает р аз - р я ж аться чер ез р езистор Rн в течениеследующ его полупер иода, когда диод полностью закр ы т. В р емя р азр я да конденсатор а опр еделя ется вр емененем р е- лаксации τ=RнС. Поэтому, чем больш еемкость сглаж ивающ его конденсатор а, тем меньш епульсациивы пр я мленногонапр я ж ения на вы ходевы пр я мителя .

Е вн Е о

р n

а

б1

2

Полупр оводниковы й диод пр ипр я мом напр я ж ении

Распр еделениесопр о- тивления в диоде 1- пр инулевом напр я -

ж ении

2- пр ипр я мом напр я -

жении

14

 

Е вн

Е о

р

n

а

 

б

1

2

 

Iпр

в

Uпр

Iпр

1

Uобр

Iобр

Зависимостьпр я мого

Iобр

токадиода от пр я мого

в

напр я ж ения

Рис.2

Uобр

 

В ольтампер ная хар актер истика

2полупр оводниковогодиода 1 - идеальногодиода 2 - р еальногодиода

Uпр

Рис.4

Полупр оводниковы й диод пр иобр атном напр я ж ении

Распр еделениесопр отивления в диоде 1- пр инулевом напр я -

ж ении

2- пр иобр атном напр я -

жении

Зависимостьобр атного тока диода от обр атного напр я ж ения

Рис.3

 

 

 

 

 

 

С

Uвх

Rн

 

Uвы х

Uвх

Rн

 

 

Uвы х

 

 

 

 

 

 

 

а - однополупер иодны й вы пр я -

а - однополупер иодны й вы пр я митель-

мительсодним диодом

ссглаж ивающ им конденсатор ом

U

 

 

 

U

 

Uвы х

 

 

Uвы х

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

Uвх

 

 

 

Uвх

б- ф ор ма напр я ж ения без

б- влия ниеконденсатор а на ф ор му

сглаж ивания пульсаций

вы пр я мленногонапр я ж ения

 

Рис.5

 

 

 

 

Рис.6

15

О сновны мипар аметр амиполупр оводниковы х диодов я вля ются величины

Iпр, Iобр , Uпр иUобр . О нир азличны для р азличны х типов ивидов диодов. Пр ипр е- вы ш ениидопускаемогопр я моготока Iпр для конкр етногодиода диод пер егр ева-

ется ивы ходит из стр оя . Пр ипр евы ш ениидопускаемогообр атногонапр я ж ения

Uобр мож ет наступитьэлектр ический пр обой, чтотакж епр иводит кр азр уш ению диода. Д р угимипар аметр амидиодов я вля ются – пр едельная темпер атур а ичас-

тотны й интер валэксплуатациидиода, габар иты ипр.

О писан ие м акета. Н а р ис.7 изобр аж ен лабор атор ны й макет. М акет питается от сети пер еменного напр я ж ения 220 В . Н апр я ж ениесети подается на пониж аю-

щ ий тр ансф ор матор Тр, втор ичная обмотка

котор ого имеет отвод от ср едней

точки. Н а макетер асполож ены 4 диода – Д 1,

Д 2, Д 3, Д 4. В овсех упр аж нения х

использ уется в качествесопр отивления нагр уз кир езистор Rн, величина котор о-

го подобр ана так, что Rпр<<Rн<<Rобр . К онденсатор ы р азличной емкости С1, С2, С3, С4, С5 объединены в блоки соединены спер еключателем К , что позволя ет

изменя тьвеличину емкости, неотключая каж ды й р аз макет от сети пр и смене конденсатор а. Д ля виз уального наблюдения ф ор мы сигнала использ уется электр онны й осциллогр аф Э О .

 

 

 

ЭО

 

 

Y

X

 

вы кл

К

 

Т р

Д 1 Д 2 Д 3 Д 4 Rн

 

 

Рис.7

 

 

 

У пражн ен ие 1. В из уальноенаблюдениеф ор мы сигнала на вы ходепониж ающ е-

готр ансф ор матор а.

 

 

1. Собр ать схему р ис.8,

под-

 

 

 

В

 

 

ключив р езистор Rн квы водам

220

Rн

 

втор ичной обмотки тр ансф ор -

X

матор а Тр (клеммы А

и В).

 

Y

А

Подключить р езистор

Rн к

 

 

 

входу вер тикального отклоне-

Рис.8

 

 

ния луча осциллогр аф а “ Y”.

 

 

 

2. В ключитьмакет и осцилло-

гр аф .

3. Пр ивключенном генер атор ер азвер ткиосциллогр аф а наблюдатьф ор му пер е- менного тока чер ез р езистор Rн. Регулир уя усилениесигнала по вер тикали осциллогр аф а, добиться полного отклонения луча на экр ане. Регулир уя частоту р азвер тки, получитьизобр аж ение2–3 пер иодов пер еменноготока.

4. Зар исоватьосциллогр амму.

16

У пражн ен ие 2. В из уальноенаблюдениевольт-ампер ной хар актер истики полу-

пр оводниковогодиода.

 

 

 

 

1.О тключитьмакет от сети, невы ключая осциллогр аф .

 

2.

В схемепр еды дущ егоупр аж нения в р азр ы в меж ду р езистор ом Rн и клеммой

А

включить любой из 4х диодов (р ис.9). К лемму А

соединить с входом “ Х ”

гор изонтальногоотклонения луча осциллогр аф а.

 

 

 

3.

В ключить макет в сеть и,

 

 

 

 

вы ключив генер атор р аз вер т-

 

 

 

 

ки, наблюдатьосциллогр амму

220

Rн

X

вольт-ампер ной

хар актер и-

А

 

Y

стики полупр оводникового

 

 

 

 

 

 

 

диода.

 

Рис.9

 

 

 

4.

Зар исовать осциллогр амму.

 

 

 

 

Подумайте, почему осциллогр амма вольт-ампер ной хар актер истикиотли-

чается от вида хар актер истики, изобр аж енной на р ис.4.

 

У пражн ен ие 3. О днополупер иодны й вы пр я митель.

 

 

1.

Н евы ключая осциллогр аф имакет, в схемепр еды дущ егоупр аж нения (р ис.9)

включить р аз вер тку осциллогр аф а (пр овод меж ду

клеммой А и входом “ Х ”

мож ноубр ать).

 

 

 

 

 

2.

Н а экр анеосциллогр аф а получить изобр аж ениесигнала, отр аж ающ его вр е-

менную зависимостьнапр я ж ения

на вы ходеоднополупер иодноговы пр я мителя .

3.

Зар исоватьосциллогр амму.

 

 

 

 

У пражн ен ие 4. Сглаж иваниепульсаций вы пр я мленногонапр я ж ения пр и однополупер иодном вы пр я млении.

1.О тключитьмакет от сети, невы ключая осциллогр аф .

2.В схемепр еды дущ егоупр аж нения кр езистор у Rн подключитьблокконденсатор ов, какпоказанона р ис.10.

220

Rн

X

 

Y

 

К

 

Рис.10

3.В ключитьмакет в сеть.

4.Поставить пер еключатель К в кр айнеелевоеполож ение(конденсатор ы отключены ) ивоспр оизвестиосциллогр амму пр еды дущ егоупр аж нения .

5. Последовательно увеличивая емкость сглаж ивающ его конденсатор а пер е- ключателем К , наблюдатьуменьш ениепульсаций вы пр я мленноготока.

6. Зар исовать семейство осциллогр амм вы пр я мленного напр я ж ения с р аз личны миур овня мипульсаций.

17

У пражн ен ие 5. Д вухполупер иодны й вы пр я мительсоср едней точкой.

1.О тключитьмакет от сети, невы ключая осциллогр аф .

2.Собр атьсхему р ис.11.

3. В ключить макет в сеть и

 

 

наблюдать ф ор му сигнала на

Rн

 

вы ходе двухполупер иодного

 

220

 

вы пр я мителя со ср едней точ-

X

Y

кой.

 

 

4. Зар исовать осциллогр амму.

Рис.11

 

 

 

Упражн ен ие 6. М остовой двухполупер иодны й вы пр я митель.

1.О тключитьмакет от сети, невы ключая осциллогр аф .

2.Собр атьмостовую схему вы пр я мления , показанную на р ис.12.

3.В ключитьмакет в сетьинаблюдатьф ор му сигнала на вы ходедвухполупер и- одногомостовоговы пр я мителя .

4.Зар исовать осциллогр амму. Ср авнитенапр я ж ениена вы ходемостового вы -

пр я мителя снапр я ж ением, наблюдаемы м в пр еды дущ ем упр аж нении.

220

 

 

Rн

Y

X

Рис.12

У пражн ен ие 7. Сглаж иваниепульсаций вы пр я мленногонапр я ж ения пр и двухполупер иодном вы пр я млении.

1.О тключитьмакет от сети, невы ключая осциллогр аф .

2.В схемепр еды дущ егоупр аж нения кр езистор у Rн подключитьблокконденсатор ов, какпоказанона р ис. 13.

220

 

 

Rн

Y

X

 

К

 

Рис.13

3.В ключитьмакет в сеть.

4.Поставитьпер еключательК в кр айнеелевоеполож ение(конденсатор ы отлючены ) ивоспр оизвестиосциллогр амму пр еды дущ егоупр аж нения .

 

18

5.

Последовательно увеличивая емкость сглаж ивающ его конденсатор а пер е-

ключателем К , наблюдатьуменьш ениепульсаций вы пр я мленноготока.

6.

Зар исоватьсемействоосциллогр амм вы пр я мленногонапр я ж ения на р езисто-

р еRн ср азличны миур овня мипульсаций.

Реком ен даци при подготовке отчета оработе

О тчет долж ен содер ж ать:

1.К р аткиесведения ополупр оводниковом диоде, пр инципеегор аботы .

2.Электр ическиесхемы всех упр аж нений.

3.И з обр аж ения осциллогр амм всех упр аж нений, вы полненны ев относительном масш табе.

4. К р аткиевы воды по р аботе, вкючающ иесопоставлениер азличны х схем вы - пр я мления , их достоинства иогр аничения .

К он трол ь н ые вопросы

1. Н азначение вы пр я мителей. Ср авнение полупр оводниковы х и вакуумны х диодов.

2.Пр инципр аботы полупр оводниковы х диодов. Электр онно-ды р очны й пер е- ход, пр ир ода его обр азования . Распр еделениепотенциала, сопр отивления , концентр аций носителей тока вдоль p-n пер ехода пр и пр я мом и обр атном напр я ж ениина диоде.

3.О сновны епар аметр ы полупр оводниковы х диодов.

4.В ольт-ампер ная хар актер истика полупр оводниковогодиода, методика ееосциллогр аф ир ования .

5.О сновны есхемы вы пр я мления – однополупер иодны й вы пр я митель, двухполупер иодны й вы пр я мительсоср едней точкой, двухполупер иодны й мостовой вы пр я митель. И х достоинства иогр аничения .

6.Рольконденсатор а пр исглаж иваниипульсаций вы пр я мленноготока.

Л итература

2.

К алаш ников С. Г. Электр ичество / С. Г. К алаш ников. – М ., 2004. – С. 348 –

 

359; 473 – 582.

3.

Сивухин Д . В . О бщ ий кур сф изики: в 3–х т. / Д . В . Сивухин. – М ., 2004. – Т .3:

 

Электр ичество. – С. 466 – 469.

19

Составители: А лейников Н иколай М ихайлович, А лейников А лексей Н иколаевич

Редактор Т ихомир ова О .А .

Соседние файлы в папке pdf_labs