- •С.Г.Авдєєв, т.І.Бабюк, п.В.Гель, о.С. Камінський
- •Розділ перший. Фізика атома та ядра Лабораторна робота № 6.1 визначення втрат енергії -частинок за довжиною вільного пробігу в повітрі
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.2 визначення активності джерела -випромінювання
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.3 визначення лінійного коефіцієнта ослаблення і енергії гамма-квантів у свинці для Co60
- •Теоретичні відомості
- •Фотоефект
- •Комптонівське розсіювання.
- •Утворення електронно-позитронних пар
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.4 вивчення іонізуючого випромінювання фотоемульсійним методом
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.5 визначення питомого заряду електрона методом магнетрона
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Розділ другий Елементи статистичної фізики та термодинаміки Лабораторна робота № 7.1 визначення відношення теплоємностей газу методом клемана-дезорма
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.2 визначення коефіцієнта внутрішнього тертя та середньої довжини вільного пробігу молекул повітря
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.3 визначення коефіцієнта в’язкості рідини методом стокса
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту і їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.4 визначення коефіцієнта теплопровідності металів
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.5 дослідження критичних явищ в системі рідина – пара
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.7вивчення розподілу максвелла за швидкостями для термоелектронів
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів вимірювань та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Література
- •Лабораторна робота № 7.8визначення коефіцієнта поверхневого натягу рідини
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Розділ третій. Фізика твердого тіла Лабораторна робота № 8.1 дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
- •Теоретичні відомості
- •Власна провідність напівпровідників
- •Домішкова провідність напівпровідників
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.2 вивчення ефекту холла в напівпровідниках
- •Теоретичні відомості
- •Використання ефекту Холла.
- •Хід роботи
- •Обробка експериментальних результатів
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.3 вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.4 вивчення фізичних властивостей р-п-переходу в напівпровідниковому діоді
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота №8.5принцип роботи та вольт - амперна характеристика тунельного діода
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.6 вивчення принципу роботи і зняття характеристик біполярного транзистора
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.7 дослдження зміни провідності напівпровідникових діодів залежно від температури
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.8 якісний рентгеноспектральний аналіз
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання робіт
- •Контрольні запитання
- •Найважливіші фізичні сталі
- •Періоди піврозпаду деяких ізотопів (т)
- •Корені і натуральні логарифми
- •Література
- •Навчальне видання
Лабораторна робота № 8.3 вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
Мета роботи:вивчити закони внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору та знаходження його питомої чутливості.
Прилади і матеріали:досліджуваний фотоопір, установка для зняття вольт-амперної і світлової характеристик.
Теоретичні відомості
Суттєва різниця електронного спектра металів і напівпровідників, що описана раніше, визначає специфіку поглинання світла напівпровідниками. Розглянемо власний напівпровідник із шириною забороненої зони Eg, енергетична діаграма якого показана на рис. 8.3.1.
Рис. 8.3.
Тут Еv— верхній енергетичний рівень заповненої валентної зони.Ев—нижній енергетичний рівень вільної зони або зони провідності.ЕF— рівень Фермі
Очевидно, що Eg=Eв-Ev. ПриТ0в зоні провідності є деяка кількість вільних електронів, а у валентній зоні — така ж кількість дірок. Нехай на зразок падає світло частотоюv. Енергія його квантівE=hv. ЯкщоE<Eg, то кванти світла поглинаються як електронами, так і дірками. Таке поглинання носить назву поглинання вільними носіями. Оскільки ширина забороненої зони велика в порівнянні з тепловою енергієюкТ,то концентрація вільних носіїв мала, що обумовлює також малу інтенсивність поглинання. У цьому випадку більш суттєвим є відбиття світла.
Із зростанням частоти стає можливим ще один механізм ослаблення інтенсивності світла, а саме, при енергіях квантів hv>Egфотон поглинається електроном, який знаходиться у валентній зоні. Це супроводжується переходом електронів у зону провідності і називається внутрішнім фотоефектом. В результаті внутрішнього фотоефекту концентрація вільних носіїв зростає. А оскільки питома електропровідність пропорційна концентрації носіїв, то внутрішній фотоефект викликає зростання електропровідності. Збільшення електропровідності під дією світла носить назву фотопровідності.
У власних напівпровідниках фотопровідність має біполярний характер, тобто поглинання світла приводить до появи електронів в зоні провідності і рівної їм кількості дірок у валентній зоні.
Можлива також монополярна фотопровідність. Розглянемо домішковий напівпровідник, енергетична діаграма якого зображена на рис. 8.2.2, де Еd– домішковий донорний рівень, розташований у верхній половині забороненої зони. ПриhvEв-Edпоглинання фотона приводить до збудження електрона, зв'язаного з домішкою, та перехід його в зону провідності. Якщо частота задовольняє умовуhvEd-Ev, то енергії фотонів не вистачає для збудження електронів з валентної зони на домішковий рівень. Таким чином, приEd-EvhvEв-Edгенерується певна кількість вільних носіїв одного знаку — електронів, а фотопровідність має монополярний характер. Очевидно, що приhvEd-Evгенеруються як електрони провідності, так і дірки, тоді домішкова фотопровідність буде біполярна. Аналогічні міркування можна провести також і для акцепторного напівпровідника.
Поряд з генерацією носіїв квантами світла відбувається і зворотний процес, тобто перехід електронів у валентну зону, що називається рекомбінацією. Розрізняють кілька механізмів рекомбінації. Оскільки рекомбінація визначає суттєві прикмети фотопровідності, слід враховувати дві найважливіші з них:
1. Пряма рекомбінація або рекомбінаційна зона — зона, при якій з'єднання електрона з діркою відбуваються завдяки переходові електрона із зони провідності в пустий стан валентної зони. При цьому надлишок енергії електрон розсіює, здебільшого випромінюючи фотон.
Рис. 8.3.
2. Рекомбінація за участю домішок і дефектів. У цьому випадку вільні електрони рекомбінують із зв'язаними дірками на домішках і дефектах, а вільні дірки — із зв'язаними електронами. У результаті процесів фотогенерації та рекомбінації в зразку при неперервному освітленні встановлюється стабільне значення концентрації нерівноважних носіїв, яке й є фотопровідністю.
У даній роботі вивчаються фотоелектричні явища в напівпровідниках на прикладі фотоопору. Будова фотоопору та принцип дії показані на рис. 8.3.3 де 1 - ізолююча підкладка, 2 - фоточутливий шар напівпровідникового матеріалу (здебільшого PbS, CdS, CaAs), 3 - металеві контакти.
Рис. 8.3.
При опроміненні шару напівпровідника світлом завдяки внутрішньому фотоефекті опір зразка зменшується, а струм у колі відповідно зростає. Ця властивість фотоопорів обумовлює їх широке застосування в схемах автоматики як приймачів, так і датчиків випромінювання.