- •С.Г.Авдєєв, т.І.Бабюк, п.В.Гель, о.С. Камінський
- •Розділ перший. Фізика атома та ядра Лабораторна робота № 6.1 визначення втрат енергії -частинок за довжиною вільного пробігу в повітрі
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.2 визначення активності джерела -випромінювання
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.3 визначення лінійного коефіцієнта ослаблення і енергії гамма-квантів у свинці для Co60
- •Теоретичні відомості
- •Фотоефект
- •Комптонівське розсіювання.
- •Утворення електронно-позитронних пар
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.4 вивчення іонізуючого випромінювання фотоемульсійним методом
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6.5 визначення питомого заряду електрона методом магнетрона
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Розділ другий Елементи статистичної фізики та термодинаміки Лабораторна робота № 7.1 визначення відношення теплоємностей газу методом клемана-дезорма
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.2 визначення коефіцієнта внутрішнього тертя та середньої довжини вільного пробігу молекул повітря
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.3 визначення коефіцієнта в’язкості рідини методом стокса
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту і їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.4 визначення коефіцієнта теплопровідності металів
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.5 дослідження критичних явищ в системі рідина – пара
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 7.7вивчення розподілу максвелла за швидкостями для термоелектронів
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів вимірювань та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Література
- •Лабораторна робота № 7.8визначення коефіцієнта поверхневого натягу рідини
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Розділ третій. Фізика твердого тіла Лабораторна робота № 8.1 дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
- •Теоретичні відомості
- •Власна провідність напівпровідників
- •Домішкова провідність напівпровідників
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.2 вивчення ефекту холла в напівпровідниках
- •Теоретичні відомості
- •Використання ефекту Холла.
- •Хід роботи
- •Обробка експериментальних результатів
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.3 вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.4 вивчення фізичних властивостей р-п-переходу в напівпровідниковому діоді
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів експерименту та їх аналіз
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота №8.5принцип роботи та вольт - амперна характеристика тунельного діода
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.6 вивчення принципу роботи і зняття характеристик біполярного транзистора
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.7 дослдження зміни провідності напівпровідникових діодів залежно від температури
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8.8 якісний рентгеноспектральний аналіз
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання робіт
- •Контрольні запитання
- •Найважливіші фізичні сталі
- •Періоди піврозпаду деяких ізотопів (т)
- •Корені і натуральні логарифми
- •Література
- •Навчальне видання
Власна провідність напівпровідників
Власна електропровідність напівпровідників зумовлена переміщенням електронів власних атомів, які входять до складу структурних елементів кристалічної решітки. Вона буває електронною і дірковою. Пояснимо її механізм.
Під дією зовнішніх факторів (опромінення, нагрів і т. п.) в якомусь атомі нейтрального напівпровідника порушився ковалентний зв'язок. При цьому якийсь електрон залишив своє місце і перейшов до іншого іона. Тоді атом, який віддав свій електрон, стає позитивним іоном. Говорять, що на місці електрона виник надлишок позитивного заряду або «позитивна дірка». Ця дірка поводить себе як елементарний заряд, що чисельно дорівнює заряду електрона. На місце дірки перейде електрон від іншого атома, і дірка виникне в іншому місці. Цей процес переходу електронів і утворення нових дірок відбувається безладно в усій масі напівпровідника: дірки переходять від одного атома до іншого.
Власну провідність напівпровідників можна пояснити на основі зонної теорії. За рахунок додаткової енергії частина електронів переходить з валентної зони в зону провідності — ці електрони стають вільними (рис. 8.1.2).
Рис. 8.1.
Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу, називається енергією активації (Ед). Для германію вона дорівнює 0,72 еВ, для кремнію — 1,1 еВ.
Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні 10-28еВ. Електрони, що перейшли зону провідності під впливом електричного поля, утворюють струм з переходом електрона у верхню зону провідності, у валентній зоні з'являються вільні енергетичні рівні або позитивні дірки. Електрони, які залишились у валентній зоні, під впливом поля переходять з нижчих енергетичних рівнів цієї зони на вищі, де були вільні місця. При цьому виникають нові дірки, які рухаються в напрямі, протилежному до напряму переміщення електронів.
Отже, в чистих напівпровідниках (в яких немає дефектів кристалічної решітки) електричний струм зумовлений двома провідностями; електронною і дірковою.
Досліди показують значне зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Позначивши рухливості електронів і дірок UnіUp, співвідношення (4) для власної провідності запишеться так:
= e(Un+Up)n,(5)
де враховано, що концентрації електронів і дірок однакові. Рухливості носіїв струму UnіUpзалежать від температури, однак ця залежність досить слабка і значною мірою не впливає на результати дослідів. Оскільки розрив ковалентних зв'язків обумовлений тепловим рухом, то слід очікувати значного росту концентрації при зростанні температури. При звичайних температурах (300 К) концентрація носіїв струму в германії nGe1019м-3і кремнії nSi1016м-3. При інших температурах концентрації носіїв знаходять, використовуючи статистику Больцмана, згідно з якою:
. (6)
Перехід електрона в зону провідності потребує додаткової енергії Ед. Оскільки в результаті цього з'являються два носії, то енергія Е, яка необхідна для генерації (утворення) одного носія дорівнює .
Відповідно
. (7)
Підставивши (7) в (5) одержимо вираз для температурної залежності електропровідності власного напівпровідника:
, (8)
що узгоджується з експериментом.