- •ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ
- •Классификация твёрдых тел по характеру взаимного расположения атомов
- •1. Идеальные монокристаллы.
- •Простейшие операции симметрии кристаллов
- •Сингонии кристаллов и соответствующие им решетки Бравэ
- •Решётки Браве
- •Полиморфные фазы диоксида кремния SiO2
- •Аллотропные формы углерода
- •Димер из 2 молекул С60
- •Применение нанотрубок
- •Применение нанотрубок
- •2. Монокристаллы с дефектами решетки – реальные
- •б) Линейные дефекты - дислокации
- •Винтовая дислокация в кристалле:
- •в) Плоские дефекты
- •Г) Объемные дефекты: поры, включения второй фазы
- •3. Поликристаллы
- •4.Аморфные материалы
- •Дифракционные методы исследования структурного состояния материалов
- •Схема рентгеновской трубки для структурного Рис.1 анализа: 1 – металлический анодный стакан; 2
- •Кристаллографические плоскости.Индексы Миллера
- •Кристаллографические плоскости.Индексы Миллера
- •Рис. 8. Отражение падающих лучей семейством плоскостей
- •Условия Лауэ - условия возникновения дифракционного
- •Существует три метода получения дифракционной картины:
- •Произвольная установка (Тонкими ли-
- •2. Метод вращения Исследуемый образец – монокристалл,
3. Поликристаллы
Поликристалл состоит из множества реальных мелких монокристаллов
22
4.Аморфные материалы
Ваморфных материалах отсутствует дальний порядок (нет трансляционной симметрии),
но имеет место ближний порядок
23
Дифракционные методы исследования структурного состояния материалов
Рентгенография
1913
1895
X-ray–электромагнитные волны
Электронография
1927
1897
e-
1932 |
Нейтронография |
|
1936 |
||
|
no
Кристаллы
берилла
Al2[Be3(Si6O18)]
24
Схема рентгеновской трубки для структурного Рис.1 анализа: 1 – металлический анодный стакан; 2 - окна из бериллия для выхода рентгеновского
излучения; 3 -термоэмиссионный катод; 4 -стеклянная колба; 5 – выводы катода, к кото-
рым подводится напряжение накала, а также вы- сокое(относительно анода) напряжение; 6 электро- статическая система фокусировки электронов;
7 - анод; 8 - патрубки для охлаждающей системы.
Рис.2
Рентгеновская трубка серии БСВ для структурного анализа
Рис.3 |
|
Спектры тормозного |
|
излучения для разных |
|
величин ускоряющего |
25 |
напряжения трубки |
Рис.4
Схемы образования спектральных линий Характеристического рентгеновского излучения.
Рис.5
Вид рентгеновских спектров для трубок с медным и молибденовым анодом.26
Кристаллографические плоскости.Индексы Миллера
Рис. 6. Семейство плоскостей (231)
27
Кристаллографические плоскости.Индексы Миллера
Рис. 7. Кристаллографические плоскости.
28
Рис. 8. Отражение падающих лучей семейством плоскостей
29
Условия Лауэ - условия возникновения дифракционного
максимума в кристаллах: углы φ01 φ02 φ03 иφ1 φ2 φ3 определяют
направления распространения первичной и рассеянной волн соответственно
Три целых числа h k l называют индексами интерференции.
a(cos 1 cos o1 ) hλ b(cos 2 cos o2 ) kλ c(cos 3 cos o3 ) lλ
•Условие возникновения дифракционного максимума в кристаллах также можно записать в виде уравнения Вульфа- Брэггов: 2dsin = n 2dhklsin =
где d - межплоскостное расстояние; n - порядок отражения; -угол скольжения (2 - угол рассеяния)
Рис. 9. К выводу уравнения
Вульфа-Брэггов
a+b = 2dsin =n |
30 |
|
Существует три метода получения дифракционной картины:
1. Метод Лауэ. Исследуемый образец – монокристалл, излучение
полихроматическое
Рис. 11. Рентгеновская камера РКСО
Рис. 10
Схема получения лауэграммы (а); вид дифракционной картины для кристалла (б): эллипсы, проведенные через рефлексы, пересекаются в точке, соответствующей оси симметрии 4-го порядка
Рис. 12.
Кристаллографическая зона
31