
- •Задание
- •Содержание
- •Введение
- •2.Предварительный расчет
- •2.1.Расчет необходимой полосы пропускания
- •2.2. Особенности чувствительности приемника. Коэффициент шума
- •2.3.Выбор средств обеспечения избирательности приёмника.
- •2.4.Коэффициент усиления
- •3. Основной расчет
- •3.1.Расчет входной цепи (вц)
- •3.2.Расчет урч
- •3.3.Расчет диодных балансных смесителей.
- •3.4. Усилитель промежуточной частоты.
- •Расчет каскада основного усиления
- •Расчет оконечного каскада
- •4. Расчет импульсного детектора.
- •5. Заключение.
- •Список использованной литературы.
3. Основной расчет
3.1.Расчет входной цепи (вц)
Рассчитать фильтр преселектора приемника со следующими данными:
средняя частота настройки приемника
ГГц
промежуточная частота
МГц;
избирательность по зеркальному каналу
дБ.
На входе и выходе фильтр должен быть согласован с трактом с волновым сопротивлением 50Ом. Фильтр является частью ГИС СВЧ, поэтому габариты должны быть минимальными.
Ввиду высокой рабочей частоты приемника применим фильтр с полуволновыми разомкнутыми резонаторами.
Зеркальный канал приема равен:
Полоса запирания фильтра должна быть равна:
МГц.
Выберем
полосу пропускания преселектора в
несколько раз больше, чем полоса
пропускания приемника
МГц.
Находим отношение:
Из графиков находим, что с запасом по ослаблению фильтр должен иметь n=4.
Если преселектор приемника состоит из
входной цепи и УВЧ, целесообразно
заданную избирательность по зеркальному
каналу поделить поровну между входной
цепью и УВЧ по 30дБ.
Для реализации выберем микрополосковую
несимметричную линию передачи на
поликоре с=9,8.
Рассчитаем электрические характеристики фильтра при n=2.
Согласно
заданию:
Ом
Электрическую
длину резонатора берем
Волновое
сопротивление резонаторов фильтра
берем
Ом
Определяем эффективную диэлектрическую постоянную:
Из таблицы находим параметры прототипа
g0=1; g1=1,41; g2=1,41; g3=1
Конструктивное исполнение фильтра определяется его назначением и частотой. В радиоприемных устройствах в диапазоне от 0,3ГГц до 4ГГц широко используются полосовые фильтры на отрезках микрополосковых линий.
Вычисляем относительную полосу пропускания:
Рассчитываем параметры инверторов проводимостей:
где,
,
-волновое
сопротивление входного тракта
Параметры элементов связи на входе и выходе:
Находим нормированные емкости на единицу длины линии
Находим нормированные взаимные емкости между линиями
Сосредоточенные емкости на концах линий:
пФ
Задаемся
поперечным размером фильтра b=10мм
и
Расстояние
Si,i+1между полосками фильтра находим из
графика и рассчитанным взаимным емкостям:
,
,
;
Рассчитываем ширину полосок:
мм;
мм;
мм;
Уточняем
по формуле:
Определяем длины полосок (резонаторов):
мм
Рассчитываем потери фильтра в полосе пропускания.
Потери в проводниках:
где
определяется по графику
при
и
Потери в диэлектрике:
Учитывая потери на излучение, добротность резонатора
Эскиз фильтра
Швц: 1,25→1,41
Кп: 0,8→0,71
3.2.Расчет урч
Рассчитываем усилитель для ГИС СВЧ с параметрами:
частота сигнала
ГГц;
полоса пропускания приемника
кГц;
избирательность преселектора по зеркальному каналу не менее
дБ;
Волновое сопротивление подводящих линий МПЛ на входе и выходе усилителя 50 Ом.
Для
реализации усилителя на частоте
ГГц
используем транзисторный усилитель
как наиболее простой. Заданную
избирательность преселектора
дБ
обеспечим применением двух полосовых
фильтров СВЧ на входе усилителя (входная
цепь) и на его выходе с избирательностью
по зеркальному каналу по 30дБ на каждый
фильтр.
Выбираем
для усилителя схему с общим эмиттером
на биполярном транзисторе VT1
КТ391 схема с ОЭ в типовом режиме
мА,
В.
Из
таблицы находим S
– параметры транзистора (на частоте
ГГц):
,
,
,
,
,
,
Проверяем выполнение условий:
;
;
;
;
Поскольку
,
транзистор находится в области ОПУ. Для
перевода его в область ОБУ используем
стабилизирующее сопротивление:
Находим величину стабилизирующего сопротивления:
Ом
Пересчитаем
S
– параметры транзистора с учетом
Предварительно находим:
;
Пересчитанные S – параметры транзистора равны:
Рассчитаем транзисторный усилитель в режиме экстремального усиления. Коэффициент усиления транзисторного усилителя по мощности равен:
Перед корнем взят знак “минус” поскольку транзистор находится в режиме ОБУ.
Рассчитанный коэффициент усиления Kp достигается при двухстороннем согласовании на входе и выходе транзистора.
Расчет входного и выходного сопротивления транзистора.
Для
расчета входного
и выходного
сопротивлений транзистора, найдем
предварительно коэффициенты отражения
на входе и выходе:
где
и
найдем из выражений:
При расчете этих выражений использованы следующие формулы:
где
где
где
Окончательно находим:
где
Ом,
а
Ом
Выходное
комплексное сопротивление транзистора
носит индуктивный характер
Ом,
а
Ом.
Расчет цепей согласования.
Рассчитаем
цепи согласования входного сопротивления
транзистора с подводящей микрополосковой
линией с волновым сопротивлением
Ом
на ситаллс КП с
,
мм.
Двухшлейфовое согласование на входе.
Пересчитаем входное сопротивлением транзистора во входную проводимость
мСм
Активную
составляющую входного сопротивления
(проводимости) транзистора
согласуем с волновым сопротивлением
подводящей линии
Ом
с помощью четвертьволного трансформатора
(последовательного шлейфа) с параметрами:
длина шлейфа
где
см;
см
см
волновое сопротивление:
Ом
Находим ширину полоски
;
мм
Реактивную составляющую входного сопротивления (проводимости) транзистора емкостного характера компенсируем параллельным короткозамкнутым шлейфом, входное сопротивление которого должно носить индуктивный характер (см. рис.)
Длина шлейфа:
см
где
Ом;
Ом
Ширина полоски шлейфа равна
;
мм
Рассчитаем
цепи согласования выходного сопротивления
транзистора с микрополосковой линией
с волновым сопротивлением
Ом
на ситалле КП с
;
мм.
Рассмотрим двухшлейфовое согласование на выходе.
Пересчитаем выходное сопротивление транзистора в выходную проводимость
Активную
составляющую выходного сопротивления
(проводимости) транзистора
согласуем с волновым сопротивлением
МПЛ
Ом
с помощью четвертьволнового трансформатора
(последовательного шлейфа) с параметрами:
длина шлейфа
см
волновое сопротивление:
Ом
Реактивную составляющую выходного сопротивления транзистора, имеющую индуктивных характер, компенсируем с помощью параллельного шлейфа, в качестве которого используем четвертьволновый разомкнутый отрезок МПЛ, входное сопротивление которого должно носить емкостной характер (см. рис.)
Задаемся
волновым сопротивлением шлейфа
Ом.
Длину шлейфа находим по формуле:
см
Ширина полоски шлейфа равна
;
мм.
Коэффициент шума усилителя.
Коэффициент шума усилителя в соответствии с таблицей берем равным
Расчет цепей питания и смещения по постоянному току.
Выбираем схему питания и смещения транзистора по постоянному току
Рис б)
Считаем, что транзистор находится в типовом режиме работы по постоянному току:
В;
В;
мА;
В;
Задаемся
током базового делителя
мА
Находим величины сопротивлений резисторов усилителя.
Ом
кОм;
где
ток базы
находят по формуле
Ом;
;
Постоянные
напряжения питания и смещения подаем
на транзистор через высокочастотные
дроссели в качестве которых используем
четвертьволновые отрезки МПЛ
и
короткозамкнутые на конце по высокой
частоте емкостями С2 и С4.
После выполнения вышеприведенных расчетов приступают к разработке принципиальной электрической схемы усилителя.
Емкости
конденсаторов
(
)
выбираются из условия, чтобы реактивное
сопротивление конденсатора
на высокой частоте было близко к нулю,
выберемC1=С2=С3=С4=10мкФ.
Расчёт фильтра на выходе УРЧ аналогичен расчёту ВЦ.