МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(Технический университет) Кафедра «Электроника и электротехника» курсовая работа

по дисциплине: «Электроника и электротехника»

Исполнитель: Студент группы С-43 Зубчевский В.В.

Руководитель: доц. каф. ЭиЭ. к.т.н. ________( Рябов Н.И.)

Москва — 2003

Исходные данные для проектирования.

Вариант № 90.

Схема И-НЕ на n-МОП транзисторах.

М

Т_Н

инимальный размер 3 мкм.

Толщина окисла – 100 нм.

1. П та1 ринцип работы схемы.

Таблица истинности для элемента И-НЕ

Вх1	Вх2	Вых
0 ТА2	0	1
0	1	1
1	0	1
1	1	0

Для логических схем на n-МОП транзисторах уровень логического нуля приблизительно равен нулю, а уровень логической единицы ― меньше чем Eпит. Сток и затвор верхнего нагрузочного транзистора подключены к питанию, поэтому всегда выполняется неравенство

,

следовательно нагрузочный транзистор всегда открыт и работает в пологой области как нелинейный резистор.

Если хотя бы на один активный транзистор подано напряжение логического нуля, то он оказывается заперт, в следствии чего выход отключается от земли и на нем устанавливается напряжение логической единицы. При этом будет меньше Eпит из-за влияния нагрузочного транзистора:

.

Если на оба активных транзистора подано напряжение логической единицы, то выход оказывается подключенным к земле, а нагрузочный транзистор имеет большое сопротивление. В этом случае на выходе получается уровень логического нуля порядка 0,1— 0,3В.

2. Технология изготовления схемы.

Технологический процесс для n-канального МОП-прибора с металлическим затвором будет следующим:

1. Получение исходной подложки р-типа со структурой (100) ().

p

2. Выращивание толстого защитного слоя окисла.

3. Фотолитография для вскрытия областей истока и стока n⁺-типа.

p

4. n⁺-диффузия и выращивание окисла.

n⁺

n⁺

p

5. Фотолитография для р-ограничителей канала.

p

n⁺

n⁺

6. Диффузия или внедрение ионов р-типа, рост окисла ().

7. Фотолитография для тонких слоев окисла под затворы, и вскры­тие окон под выводы.

8. Термическое выращивание тонкого слоя окисла под за­творами ().

9. Ионное внедрение бора для регулировки U_ЗИпор n-МОП-приборов.

10. Отжиг для активации внедренных ионов и восстановле­ния повреждений кристаллической решетки.

11. Фотолитография для вскрытия окон под контакты истока и стока.

12. Осаждение парообразного алюминия.

13. Фотолитография для формирования рисунка металлической разводки и контактных площадок.

14. Нанесение низкотемпературного пиролитического стекла.

15. Фотолитография для вскрытия окон под контактные площадки для проволочных соединений.