- •Московский государственный институт электроники и математики
- •Изучение статических и динамических характеристик логических интегральных транзисторно-транзисторных схем.
- •Москва 1999
- •1. Цели работы:
- •2. Краткие теоретические сведения.
- •3. Описание стенда.
- •Рабочее задание.
- •Требования к отчету по выполняемой работе.
- •5. Контрольные вопросы.
- •6. Рекомендуемая литература.
3. Описание стенда.
Работа выполняется на универсальном стенде в лаборатории электроники кафедры Э и Э. Исследуемые цепи собираются на основе одного из блоков стенда (рис. 3) и внешних измерительных приборов: вольтметров, амперметров.
Рис. 3. Блок стенда, на котором выполняется работа.
Рабочее задание.
Исследование передаточной характеристики Uвых=f(Uвх) производится по схеме, изображенной на рис. 4.
Измеряются величины входного напряжения на входе микросхемы и на выходе схемы. Передаточная характеристика снимается при различных коэффициентах разветвления N1=1 и N2=3 результаты измерения заносятся в таблицу :
N1=1 |
Uвх |
|
|
|
|
|
|
|
Uвых |
|
|
|
|
|
|
N2=3 |
Uвх |
|
|
|
|
|
|
|
Uвых |
|
|
|
|
|
|
Исследуемая
микросхема
Нагрузка
Рис. 4.
По данным таблицы 1 построить зависимость на миллиметровке.
2. Исследование входных характеристик проводится по схеме, изображенной на рис.5.
Uвх
Рис.5
Исследуемая схема
Нагрузка
&
&
mA
U1
V
Изменяется величина тока и напряжения на одном из выходов микросхемы. Второй вход микросхемы подключен к источнику напряжения, формирующему потенциал U1=2,4 В. К выходку исследуемой микросхемы подключается микросхема нагрузки. Входная характеристика снимается для каждого входа микросхемы отдельно и результаты измерения заносятся в таблицу 2.
|
Uвх,В |
|
|
|
|
|
|
|
Вход1 |
I вх, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uвх,В |
|
|
|
|
|
|
|
Вход2 |
I вх, мА |
|
|
|
|
|
|
|
По данным таблицы 2 построить зависимость на миллиметровке.
3. Измерение статистической потребляемой мощности от источника питания производится по схеме, изображенной на рис.5.
Для измерения потребляемой мощности микросхемой миллиамперметр включается последовательно между источником питания и разъемом, на который подается напряжение питания. Измеряется величины тока питания и напряжения питания при изменении
напряжение на входе от U0 до U1. Статистическая потребляемая мощность определяется для коэффициентов разветвления по выходу N1 = 1 и N2 = 3.
Результаты измерений заносятся в таблицу 3.
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
| ||
|
Uлит , В
|
|
|
|
|
|
|
pлот ,мВТ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| ||
|
Uлит , В
|
|
|
|
|
|
|
pлот ,мВТ
|
|
|
|
|
|
По данным табл. 3 построить зависимость на миллиметровке.
Измерение времени переключения t0,1, t1,0 производится по схеме изображенной на рис. 6.
Генератор & &
импульсов
U1
Снагр &
C1-55
&
Y1 Y2
Сигнал от генератора импульсов поступает на один из входов исследуемой микросхемы ,а на второй вход подаётся напряжение U1=2,4B.Сигнал с выхода исследуемой микросхемы подаётся на нагрузочную ёмкость Снагр .С помощью осциллографа С1-55 наблюдается сигнал на выходе исследуемой схемы. Времена переключения t0,1 и t1,0 измеряются при различных Снагр и результаты измерения заносятся в таблицу 4.
Таблица 4.
|
Cнагр1= |
Снагр2= |
Снагр3= |
|
t0,1 |
|
|
|
|
t1,0 |
|
|
|
|