![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •ОБЩИЕ МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
- •Указания к выполнению контрольных работ
- •Программа курса "ФХОМ и Т РЭС и ЭВС"
- •Лабораторные работы по дисциплине "ФХОМ и Т РЭС и ЭВС"
- •Рекомендуемая литература
- •Основная литература
- •Дополнительная литература
- •Перечень методических пособий
- •1.1. Краткие теоретические сведения
- •1.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 1
- •Пример 1
- •Пример 2
- •1.3. Теоретические вопросы к теме 1
- •Тема 2. ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ
- •2.1. Краткие теоретические сведения
- •2.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 2
- •Пример 1
- •Пример 2
- •Пример 3
- •2.3. Теоретические вопросы к теме 2
- •3.1. Краткие теоретические сведения
- •3.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 3
- •Пример 1
- •3.3. Теоретические вопросы к теме 3
- •4.1. Краткие теоретические сведения
- •Распределение электронов в металле
- •Отсюда
- •Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в полупроводниках
- •4.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 4
- •Пример 1
- •Пример 2
- •Пример 3
- •4.3. Теоретические вопросы к теме 4
- •Тема 5. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЁРДЫХ ТЕЛ
- •5.1. Краткие теоретические сведения
- •5.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 5
- •Пример 1
- •Пример 2
- •5.3. Теоретические вопросы к теме 5
- •6.1. Краткие теоретические сведения
- •6.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 6
- •6.3. Теоретические вопросы к теме 6
- •Тема 7. ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА ТВЁРДЫХ ТЕЛ
- •7.1. Краткие теоретические сведения
- •7.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 7
- •7.3. Теоретические вопросы к теме 7
- •8.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 8
- •Пример 1.
- •Пример 2.
- •8.3. Теоретические вопросы к теме 8
- •9.1. Краткие теоретические сведения
- •Контакт металл – металл
- •Контакт металл – полупроводник
- •9.2. Задачи для индивидуальной работы к теме 9
- •9.3. Теоретические вопросы к теме 9
- •10.1. Задачи для индивидуальной работы к теме 10
- •10.2. Теоретические вопросы к теме 10
- •Тема 11. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ
- •11.1. Задачи для индивидуальной работы к теме 11
- •11.2. Теоретические вопросы к теме 11
- •Тема 12. МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
- •12.1. Задачи для индивидуальной работы к теме 12
- •12.2. Теоретические вопросы к теме 12
- •ПРИЛОЖЕНИЕ
- •Основные физические постоянные
69
масс электрона и дырки, если известно, что ширина запрещённой зоны определяется как Εg = 0,785 −4 10−4 T эВ.
4.3.Теоретические вопросы к теме 4
4.1.Описать механизмы образования носителей заряда в полупроводниках (примесныхисобственных) иметаллах. Показать ихнаэнергетическихдиаграммах.
4.2.ПолучитьформулудляопределенияплотностиэлектронныхсостоянийN(E).
4.3.Какзависитплотностьэлектронных состоянийвразрешённых зонахотэнергииэлектрона? ПривестиграфикизависимостиN(E) дляполупроводникаиметалла.
4.4.Зависит ли средняя энергия свободных электронов в металле от числа атомов в кристалле? Если да, то как?
4.5.Привести формулы для определения концентрации носителей заряда в полупроводниках, когда известно положение уровня Ферми. Объяснить физический смысл входящих в них величин.
4.6.Получить выражения для вычисления собственной концентрации носителей заряда (ni) в полупроводнике и определения его уровня Ферми EF.
4.7. Привести формулы для вычисления концентрации носителей n и р в примесных полупроводниках с энергией активации примесей Еd и Еа соответственно. Объяснить физический смысл входящих в них величин.
4.8.Привести зависимость EF(Т) в донорном полупроводнике. Объяснить её.
4.9.Привести зависимость EF(Т) в акцепторном полупроводнике. Дать соответствующие объяснения.
4.10.Описать механизмы образования носителей заряда в компенсированных полупроводниках. Показать их на энергетических диаграммах.
4.11.Где расположен EF в полностью компенсированном полупроводнике? Привести энергетическую диаграмму.
4.12.Дать определение и описать основные свойства вырожденных полупроводников.
4.13.Где расположен EF в вырожденном полупроводнике? Привести рисунок.
4.14.Как зависит от температуры концентрация носителей в легированном полупроводнике? Привести зависимость ln(n(T)). Дать объяснения.
4.15. Привести зависимость концентрации носителей заряда в проводниках от температуры. Дать ей объяснения.
70
4.16. Как и почему изменяется местоположение уровня Ферми в проводнике при увеличении температуры?
4.17. Как изменяется энергия носителей заряда в полупроводниках и металлах с увеличением температуры?
4.18. Какой физический смысл имеют коэффициенты NC и NV
вформулах (4.11) и (4.13)?
4.19.Дать определения процессам генерации и рекомбинации. Какие факторы определяют скорости генерации и рекомбинации носителей заряда?
4.20. Описать основные механизмы рекомбинации.
4.21.Почему в обычных полупроводниках межзонная рекомбинация, как излучательная, так и безызлучательная, маловероятны?
4.22.Описать процессы фотонной и фононной рекомбинаций. При каких условиях фотонная рекомбинация в полупроводниках преобладает?
4.23. Описать механизмы рекомбинации через локальные уровни ловушек (теория Холла, Шокли, Рида).
4.24.Как влияет положение энергетического уровня примесного атома в запрещённой зоне полупроводника на вероятность генерации
ирекомбинации носителей заряда в нём?
4.25.В чём различие между равновесными и неравновесными носителями заряда в полупроводнике? Дать определение процессам инжекции и экстракции.
4.26.Время жизни каких носителей заряда (основных или неосновных) определяет концентрацию неравновесных носителей? Объяснить.
4.27.Получить формулу, описывающую уменьшение концентрации неравновесныхносителейстечениемвремени n(t) послепрекращениявнешнеговоздействия.
4.28.Описать процессы токопереноса при наличии в объёме полупроводника градиента концентрации. Что описывают законы Фика?
4.29.Какой физический смысл имеют следующие характеристики: время жизни неравновесных носителей заряда τ; диффузионная длина электронов Ln; коэффициент диффузии электронов Dn?
4.30.До каких пор будет происходить увеличение избыточной концентрации носителей заряда в полупроводнике по действием периодических
прямоугольных импульсов света? Какие параметры световых импульсов и как будут влиять на величину n?