
- •Проектирование интегральных
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Объекты изучения
- •1.3. Лабораторный макет
- •1.4. Задание на лабораторную работу
- •1.5. Методические указания по выполнению работы
- •1.6. Работа с микроскопом
- •1.7. Содержание отчета
- •1.8. Вопросы для самоконтроля
- •Каталог гис
- •2.3. Лабораторный макет.
- •2.4. Задание на лабораторную работу
- •2.5. Методические указания по выполнению работы
- •2.6. Работа с микроскопом
- •2.8. Вопросы для самоконтроля
- •Приложение а2
- •3.1. Цель работы
- •3.2. Общие сведения
- •3.3. Задание на работу
- •3.4. Технические средства исполнения работы
- •3.5. Варианты индивидуальных заданий
- •Данные к вариантам индивидуальных заданий
- •3.6. Последовательность проектирования.
- •3.7. Содержание отчета
- •3.8. Вопросы для самоконтроля
- •Приложение а3 Соотношения согласования размеров и параметров бпт
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Общие сведения
- •4.3. Задание на лабораторную работу
- •4.4. Технические средства исполнения работы.
- •4.5. Варианты индивидуальных заданий.
- •Данные вариантов индивидуальных заданий
- •4.6. Последовательность проектирования
- •4.7. Содержание отчета.
- •4.8. Вопросы для самоконтроля
- •Приложение а4
- •5.4. Среда исполнения работы
- •5.6. Содержание отчёта
- •5.7. Вопросы для самоконтроля
- •Приложения а5 Материалы к проектированию плат гис
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Задание на работу
- •6.3.Состав работ по проектированию гис
- •6.4. Среда исполнения работы
- •Приложения а6 Материалы к проектированию гис
- •Список литературы
- •Леонид Александрович Торгонский проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров Лабораторный практикум
- •634055, Г. Томск, пр. Академический, 13-24, Тел. 49-09-91.
3.4. Технические средства исполнения работы
Работа исполняется либо в среде тестирующей программы «ИсследБпт», а при невозможности, применением материалов приложения А3 с применением средств доступного диалогового пакета выполнения расчётов и подготовки текстовых и графических документов.
3.5. Варианты индивидуальных заданий
Варианты заданий представлены в табл. 3.1 в расчете на 24 исполнителя. Исходные данные по параметрам Iр, Rke, помещенные в таблицу, рассматриваются, как начальные. Параметры, не вошедшие в таблицу, являются едиными для всех вариантов. Их значения принимаются. Приводимые значения соответствуют приведенному ранее перечню переменных:
– В1 = 200;
– варианты конфигурации БПТ образуются из сочетаний: 1e1b1c (один эмиттер–одна база–один коллектор), 1e2b1c (с двумя базовыми электродами), 2e1b1c (с двумя эмиттерами).
– Roe=Rok=Rоb=400 [Оммкм2];
– 0.1, 0.2, 0.3, 0.3 [мкм];
– 0.5, 4, 5, 5 [В];
– 20 [мкм];
– 0.1 [Ом];
– 0.2, 0.4 [мкм];
– 0.7, 0.7, 0.7, 0.7 [В];
– 0.1 [мкм].
Номер варианта состоит из двух позиций. Первая позиция соответствует номеру строки исходных данных к проектированию, а вторая позиция указывает форму топологии.
Таблица 3.1
Данные к вариантам индивидуальных заданий
№ |
Стр-ра |
Xeb, Xcb, Xcp, Xr, мкм |
Rkb1, Rkb2, Rkc1, Rkc2, Ом |
Iр(мА)/, Rke, Oм |
1_1b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
300, 1000, 100, 120 |
4/? |
2_1b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 1000, 100, 100 |
4/? |
3_1b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
300, 1000, 100, 120 |
?/20 |
4_1b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 1000, 100, 100 |
?/20 |
5_1b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
400, 1500, 100, 120 |
4/? |
6_1b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 800, 100, 100 |
4/? |
7_1b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
400, 1500, 100, 120 |
?/20 |
8_1b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 800, 100, 100 |
?/20 |
9_2b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
300, 1000, 100, 120 |
4/? |
10_2b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 1000, 100, 100 |
4/? |
11_2b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
300, 1000, 100, 120 |
?/20 |
12_2b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 1000, 100, 100 |
?/20 |
13-2b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
400, 1500, 100, 120 |
4/? |
14_2b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 800, 100, 100 |
4/? |
15_2b |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
400, 1500, 100, 120 |
?/20 |
16-2b |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 800, 100, 100 |
?/20 |
17_2e |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
300, 800, 100, 100 |
4/? |
18_2e |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 1000, 100, 100 |
4/? |
19_2e |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
300, 800, 100, 100 |
?/20 |
20_2e |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 1000, 100, 100 |
?/20 |
21-2e |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
400, 1500, 100, 120 |
4/? |
22_2e |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 800, 100, 100 |
4/? |
23_2e |
эпск |
1, 2, 6, 8 |
400, 1500, 100, 120 |
?/20 |
24_2e |
эпсв |
1, 2, 6, 4 |
300, 800, 100, 100 |
?/20 |
Знак «?» в табл. 3.1 обозначает подчинённое значение параметра, сопутствующее удовлетворению требований по явно заданному параметру, указанному через разделитель «/». Так обозначение «4/?» соответствует заданному току 4 mA, а межэлектродное сопротивление Rke(Oм) определяется, как сопутствующее значение.