2.6. Работа с микроскопом

Микроскоп не является обязательным прибором для выполнения работы по стендовому анализу конструкции ГИС. Он применяется для получения цифровых фотографий. Если, тем не менее, исполнитель намерен применить микроскоп, то следует для этого согласовать возможность применения с руководителем занятия.

2.7. Содержание отчета

Отчет по работе (форма титульного листа представлена в прил. А1 работы №1) оформляется на подгруппу (1–2) исполнителей и должен содержать:

– наименование, цель работы;

– задание на работу;

– краткую характеристику состава применённого лабораторного оборудования;

– результаты работы:

а) электрическую схему ПИМС или базисного логического элемента (с обозначением радиоэлементов и оцененных номинальных параметров резисторов);

б) фотографию ПИМС (со стороны крышки с позиционным указанием объектов состава и сведений о них по п. 5.1);

в) фотографию кристалла ПИМС (с указанием объектов и сведений о них по п. 5.2);

г) оценочные расчёты, эскизы топологии и структур радиоэлементов с обозначением размерных цепей дополняющие фотографию кристалла;

д) заключение по результатам работы с комментарием степени интеграции, плотностей плоскостной и объемной компоновки (эл/мм², эл/мм³) и коэффициента заполнения активной зоны кристалла Кза или зоны отведённой на размещение базисного логического элемента.

2.8. Вопросы для самоконтроля

2.8.1. По какому критерию изделия относятся к категории сборочной единицы? Назовите сборочный состав исследуемой ПИМС.

2.8.2. К какой категории изделий относится кристалл исследуемой ПИМС?

2.8.3. Какое назначение имеют, так называемые, ключи на микросхеме, на кристалле? Какие формы, способы исполнения ключей приняты в исследуемой микросхеме?

2.8.4. Какие монтажные и электромонтажные способы применены в производстве исследуемой ИМС?

2.8.5. Как оценить технологические размерные допуски принятые в производстве исследуемой ИМС?

2.8.6. Одинаковы ли структуры контактных переходов внешних подключений кристалла? Если нет, то чем это различие объяснить?

2.8.7. Какие размеры и формы контактных областей резисторов применены в исследуемом логическом элементе? Если формы различны, то поясните причину различия?

2.8.8. Для чего на корпусе и на кристаллах должны размещаться маркировочные знаки? Имеются ли эти знаки на кристалле исследуемой ИМС? Способ исполнения маркировки?

2.8.9. Как определить сопротивление квадрата резистивного слоя исследуемой микросхемы? Какой слой применён в качестве резистивного в исследуемом кристалле? Какие конструктивные меры следует применять для обеспечения удобства контроля названного параметра?

2.8.10. Можно ли при эксплуатации ИМС увеличивать рабочие токи выходных транзисторов исследуемой ИМС в сравнении с номинальными значениями? Какие ограничения следует учитывать?

Приложение а2

Каталог ПИМС

Эскизы принципиальных электрических схем, фотографии плат и сборочных единиц гибридных микросхем по вариантам размещены в отдельной папке кафедральной сети, путь доступа: Cesir/AOS/tla/УМК ПИМСиМП/ УчебноМетодПособ/ ЛабЦикл/ПриложенияЛабРаб_2/Приложение А2/КаталогПИМС

Лабораторная работа №3

Расчет и исследование размерных зависимостей в конструкциях БПТ