4.3. Задание на лабораторную работу

4.3.1. Выполнить эскиз конструкции исследуемого резистора в (2–3) проекциях с простановкой обозначений размеров.

4.3.2. Произвести расчет размеров, площади, емкости на несущий слой, граничной частоты по модели замещения для сочетаний номинала R и трёх значений допуска δR (δR, 0.δ R, 1.2 δR) и трёх значений номинала R (R/2, R, 2R) при допуске δR.

4.3.3. Построить графические зависимости: L=L(R, δR); D=D(R, δR); S=S(R, δR);

Cr=Cr(R, δR); Fgr=Fgr(R, δR),

где S – габаритная площадь резистора на кристалле с учетом разделительных зон; Cr – полная емкость резистора; Fgr – верхняя граничная частота резистора.

4.3.4. Оформить и представить отчет по работе с объяснениями форм полученных зависимостей.

4.4. Технические средства исполнения работы.

Работа исполняется либо в среде обучающей программы «ИсследРез», а при невозможности, расчётно-графическим способом с применением материалов приложения А4 с предпочтительным применением средств доступного диалогового пакета выполнения расчётов и подготовки текстовых и графических документов.

4.5. Варианты индивидуальных заданий.

Варианты заданий задаются двумя позициями:

– первая позиция соответствует номеру в табл. 4.1;

– вторая позиция соответствует варианту глубины разделительных переходов структуры по п. 8. Исходные значения параметров R, Rк, δR резистивного слоя приведены в табл. 4.1. Значения параметров полного перечня, не вошедшие в табл. 4.1, принимаются следующие:

– Rob = Rok = Roe = 400 Ом_*мкм²;

– Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм];

– Fkij=0.7 [B] (для всех p-n переходов);

– для структуры:

– ЭПСK_1 – 1, 2, 6, 8 мкм;

– ЭПСK_2 – 1, 3, 7, 8,5 мкм

– ЭПСБ_1 – 1, 2, 6, 4 мкм;

– ЭПСБ_2 – 1, 3, 7, 5 мкм.

– 4 B; 10) 0.07; 11) 0,2 мкм; 12) 0.3 мкм; 13) 0,1 мкм

Пример кодирования варианта.

Вариант 21_2 – соответствует резистору, исполняемому в базовом слое структуры ЭПСБ без перекрытия сверху эмиттерным слоем с глубинами переходов 1,3, 7, 5 мкм с исходными значениями параметров R, RK, dR по номеру 21 табл. 4.1.

Таблица 4.1

Данные вариантов индивидуальных заданий

№	Структура	Топология	Слой, Rк [Ом]	R [Ом],  R
1	ЭПСК	1	B-слой, 300	2000, 0.2
2	ЭПСК	2	B-слой, 300	2000, 0.2
3	ЭПСК	3	B-слой, 300	2000, 0,2
4	ЭПСК	4	B-слой, 300	200, 0,2
5	ЭПСК	1	B-слой, 500	1000, 0,2
6	ЭПСК	2	B-слой, 500	1000, 0,2
7	ЭПСК	3	B-слой, 500	1000, 0,2
8	ЭПСК	4	В-слой, 500	100, 0,2
9	ЭПСК	1	С-слой, 100	1000, 0,2
10	ЭПСК	2	С-слой, 100	1000, 0,2
11	ЭПСК	3	С-слой, 100	1000, 0,2
12	ЭПСК	4	С-слой, 100	100, 0,2
13	ЭРСК	4	Е-слой, 5	20, 0,3
14	ЭПСБ	1	В-слой, 400	2000, 0,2
15	ЭПСБ	2	В-слой, 400	2000, 0,2
16	ЭПСБ	3	В-слой, 400	2000, 0,2
17	ЭПСБ	4	В-слой, 400	100, 0,2
18	ЭПСБ	1	В-слой, 300	600, 0,2
19	ЭПСБ	2	В-слой, 300	600, 0,2
20	ЭПСБ	3	В-слой, 300	600, 0,2
21	ЭПСБ	4	В-слой, 300	600, 0,2
22	ЭПСБ	4	Е-слой, 3	6, 0,2
23	ЭПСБ	1	ВР-слой, 1000	5000, 0,25
24	ЭПСБ	2	ВР-слой, 1000	5000, 0,25
25	ЭПСБ	3	ВР-слой, 1000	5000, 0,25