Тема 4 Конструирование имс на биполярных структурах – 0,5 часа (срс- 6 часов).

Кристаллы БП ИМС. План кристалла. Потери активной площади. Способы сокращения потерь. Принципы функциональной интеграции. Соединения и контакты на кристаллах. Дополнительные знаки и фигуры. Показатели качества компоновки кристалла. Схемная организация БПТ ИМС. Схемная организация ТТЛШ. Проектирование топологии биполярных микросхем.

Тема 5 Разработка конструкции и расчёт параметров элементов имс на полевых структурах – 1 часа (срс- 20 часов).

Полевые эффекты в планарных структурах на п/п пластинах (p-nпереходы, эффекты модуляции проводимости поверхностных слоев). Структура и топология полевого транзистора (ПТ) с индуцированным и встроенным каналами. Параметры ПТ для цифровых ИМС. Расчетные соотношения для параметров ПТ. Выбор форм и расчёт размеров ПТ.

Полевой транзистор как базовый элемент схем и конструкций цифровых ИС. Схема замещения транзистора с элементами физико-топологической модели ПТ. Разработка топологии и конструирование ИМС на полевых структурах. Специфика проектирования топологии ИМС на полевых структурах. Схемная организация и конструирование ИМС с ПТ одного и разных типов канала.

Выбор форм и размеров базовых логических вентилей ИС. Конструирование ИМС на биполярно-полевых структурахКомпозиции ПТ и БПТ. Приборы функциональной интеграции на полевых приборов (БИМОП элементы, цифровые элементы инжекционно-полевой логики (ИПЛ), преобразователи с зарядовой связью, элементы и устройства памяти). Кристаллы полевых ИМС.

Тема 6 Конструирование плат гибридных интегральных схем

(ГИС)– 2 часа (срс- 24 часа) 9 сем.

Состав конструкций ГИС. Платы толсто- и тонкопленочных ГИС. Резисторы ГИС. Конструирование и расчёт плёночных резисторов ГИС. Расчетные критерии и соотношения. Параметры. Выбор форм и размеров без подгонки и с подгонкой сопротивления. Специфика конструкций толстопленочных элементов.

Конденсаторы ГИС. Параметры. Конструирование и расчёт плёночных конденсаторов ГИС. Выбор форм, расчет без подгонки и с подгонкой емкости.Конструирование и расчёт плёночных проводников и контактных площадок гибридных ИМС. Микросборки. Состав конструкций микросборок (МСБ). Коммутационные основания и платы МСБ.Конструирование микросборок (МСБ) цифровых устройств.

Индуктивности ГИС. Параметры. Конструирование и расчёт плёночных индуктивностей ГИС. Выбор форм и размеров. Расчетные соотношения.Компоненты гибридных интегральных схем (ГИС). Параметры компонент. Конструкции активных и пассивных компонент.Разработка, расчёты конструкции и топологии ГИСс учетом монтажа компонент.Разработка конструкции и топологии ГИС и МСБ.План платы ГИС.

Влияние частоты на выбор материалов плат и слоев, форм и размеров элементов. Гибридные ИМС СВЧ диапазона. Платы, соединения, контакты, формы элементов СВЧ ГИС. Размерные ограничения. Расчетные соотношения. Конструирование СВЧ ГИС. Конструкции биполярных транзисторов, диодов и резисторов СВЧ ГИС. План платы ГИС СВЧ.

Тема 7Проектирование топологии больших интегральных схем (бис)– 0,5 часа (срс- 6 часов)

Большие (БИС) и сверхбольшие ИС (СБИС). Классификация БИС и базовые матричные кристаллы (БМК).Функциональный и конструктивный состав БМК. Состав этапов проектирования конструкций БИС. Микросборки цифровых БИС. Системы автоматизации проектирования БИС (САПР БИС) в проектировании БИС и СБИС. Специализированные библиотеки элементов, узлов.Кремниевая компиляцияв проектировании БИС и СБИС. Пакеты и технические средства поддержки САПР БИС.