7. Приложение
|
Задание по курсовой работе |
|
N
|
Материал полупроводника |
Тип перехода Резкий плавный симм-й несимм-й |
Тепловой ток, мкА |
Барьерная емкость, пФ | |||
|
1 |
Ge |
+ |
|
+ |
|
10 |
50 |
|
2 |
Si |
+ |
|
|
+ |
2 |
10 |
|
3 |
GaAs |
+ |
|
+ |
|
1 |
20 |
|
4 |
GaSb |
+ |
|
|
+ |
1 |
25 |
|
5 |
InSb |
+ |
|
+ |
|
2 |
10 |
|
6 |
InAs |
+ |
|
|
+ |
5 |
15 |
|
7 |
InP |
+ |
|
+ |
|
3 |
30 |
|
8 |
Ge |
|
+ |
|
+ |
10 |
50 |
|
9 |
Si |
|
+ |
+ |
|
2 |
10 |
|
10 |
GaAs |
|
+ |
|
+ |
1 |
20 |
|
11 |
GaSb |
|
+ |
+ |
|
1 |
25 |
|
12 |
InSb |
|
+ |
|
+ |
2 |
10 |
|
13 |
InAs |
|
+ |
+ |
|
5 |
15 |
|
14 |
InP |
|
+ |
|
+ |
3 |
30 |
|
15 |
Ge |
+ |
|
|
+ |
4 |
20 |
|
16 |
Si |
+ |
|
+ |
|
2 |
10 |
|
17 |
GaAs |
+ |
|
|
+ |
0,1 |
1 |
|
18 |
GaSb |
+ |
|
+ |
|
0,5 |
2 |
|
19 |
InSb |
+ |
|
|
+ |
1 |
5 |
|
20 |
InAs |
+ |
|
+ |
|
5 |
10 |
|
21 |
InP |
+ |
|
|
+ |
2 |
15 |
|
22 |
Ge |
+ |
|
|
+ |
2 |
50 |
|
23 |
Si |
|
+ |
|
+ |
5 |
10 |
|
24 |
GaAs |
+ |
|
|
+ |
3 |
20 |
|
25 |
GaSb |
|
+ |
|
+ |
10 |
25 |
|
26 |
InSb |
+ |
|
|
+ |
2 |
10 |
|
27 |
InAs |
|
+ |
|
+ |
1 |
15 |
|
28 |
InP |
+ |
|
|
+ |
1 |
30 |
N– порядковый номер в журнале группы.
Для плавного перехода градиент концентраций принять а = 1020м-3.
Физические параметры важнейших полупроводников
|
Полу- проводник |
Ширина запрещенной зоны, эВ |
Подвижность при 300 К, м2В-1с-1 электронов дырок |
Эффективная масса электрона дырки mn/me mp/me |
Время жизни Носителей заряда, с |
Относительная диэлектрическая проницаемость |
|
Ge |
0,66 |
0,39 0,19 |
0,52 0,388 |
10-3 |
16,0 |
|
Si |
1,12 |
0,15 0,045 |
1,05 0,53 |
2,5 10-3 |
11,9 |
|
GaSb |
0,72 |
0,5 0,085 |
0,042 0,4 |
10-7 |
15,7 |
|
GaAs |
1,42 |
0,85 0,04 |
0,067 0,082 |
10-8 |
13,1 |
|
InSb |
0,17 |
8,0 0,125 |
0,0145 0,4 |
10-9 |
17,7 |
|
InAs |
0,36 |
3,3 0,046 |
0,023 0,4 |
2 10-9 |
14,6 |
|
InP |
1,35 |
0,46 0,015 |
0,077 0,64 |
10-8 |
12,4 |