Ргту - мати
имени К.Э.Циолковского
Кафедра
"НАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ р - n ПЕРЕХОДА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
ПО КУРСУ "Физические основы микроэлектроники"
МОСКВА 2002
РГТУ - МАТИ
имени К.Э.Циолковского
Кафедра
"НАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
УТВЕРЖДЕНО
методической комиссией кафедры
"____" _________________ 2002 г.
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ р - n ПЕРЕХОДА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К КУРСОВОЙ РАБОТЕ
ПО КУРСУ "Физические основы микроэлектроники"
Автор
доц., к.т.н. Шадский В.А.
МОСКВА 2002
Аннотация
В указаниях дана методика расчета вольтамперной характеристики (ВАХ) идеального р-n перехода.
Исходными данными для лабораторной работы являются материал исходного полупроводника, материалы легирующих примесей, тип перехода, максимальные величины теплового обратного тока р-n перехода.
Содержание: анализ исходных данных, выбор концентраций легирующих примесей, расчет физических параметров р- и n- областей, расчет контактной разности потенциалов, теплового обратного тока, построение ВАХ р-n перехода.
Для студентов кафедры "Технология производства РЭА", обучающихся по дисциплине "Физические основы микроэлектроники".
Листов - 12 , рисунков - 3.
Содержание
стр.
|
Введение........................................................................ |
4 |
1. |
Цель работы.................................................................. |
4 |
2. |
Краткие теоретические сведения................................ |
4 |
3. |
Задание по работе......................................................... |
9 |
4. |
Содержание отчета по работе..................................... |
10 |
5. |
Контрольные вопросы................................................. |
10 |
6. 7. |
Литература.................................................................... Приложение …………………………………………. |
10 11
|