Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

контрольная работа 1, 2

.docx
Скачиваний:
13
Добавлен:
09.05.2015
Размер:
148.64 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО РЫБНОГО ХОЗЯЙСТВА CCCР

Калининградское высшее инженерное морское училище

ШОНИН В.Н.

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И РАДИОКОМПОНЕНТЫ

Методические указания с контрольными заданиями для студентов и курсантов -заочников высших учебных заведений по специальности 23.04 "Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования''

Калининград 1990

Контрольная работа № 1.

Номер задания определите по последней цифре курсантского билета.

0. Опишите конструкцию, используемые материалы, непроволочых трехослойных углеродистых и боруглеродистых металлодиэлектрических и металлоокисных резисторов. Укажите марки этих резисторов, общего применения и специальных, прецизионные, высокочастотные, диапазон номиналов.

1. Опишите конструкцию, используемые материалы, непроволочных, композиционных, пленочных и объемных резисторов. Укажите марки этих резисторов общего применения, специальных, высокомегаомные, высоковольтные, диапазон номиналов.

  1. Опишите конструкцию, используемые материалы проволочных резисторов. Укажите марки этих резисторов общего применения и специальных, диапазон номиналов.

  2. Опишите конструкцию, используемые материалы переменных резисторов. Укажите марки этих резисторов.

4. Дайте классификацию резисторов по назначению, материалу резистивного элемента и конструктивному.' исполнению, систему условных обозначений и маркировку, и охарактеризуйте параметры резисторов.

  1. Дайте классификацию конденсаторов по назначению и применяемому диэлектрику, систему условных обозначений и маркировку. Охарактеризуйте основные параметры конденсаторов.

  2. Опишите конструкцию, используемые материалы электролитических конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов, диапазон номиналов.

7. Опишите конструкцию, используемые материалы керамических конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов, диапазон номиналов.

  1. Опишите конструкцию, используемые материалы пленочных и бумажных конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов, диапазон номиналов.

  2. Опишите конструкцию, используемые материалы переменных и подстроечных конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов.

Контрольная работа № 2

На основе кристалла собственного полупроводника с исходными данными, приведенными в Приложении I, изготовлен идеальный диод с резким (плавным) электронно-дырочным переходом. Характеристики идеализированного р-n перехода и параметры диода для комнатной температуры (T=30Q°K) указаны в таблице I, где приняты следующие обозначения:

- концентрации акцепторной и донорной примесей;

- подвижности основных носителей и удельные электрические проводимости полупроводника в n - и р - областях;

- таблица базы диода;

- соответственно коэффициент диффузии, диффузионная длина и время жизни неосновных носителей в базе;

- контактная разность потенциалов;

- площадь поперечного сечения перехода;

- прямое напряжение, приложенное к р - n переходу;

- толщина и барьерная емкость p - n перехода;

- обратный (тепловой) и прямой токи диода;

- немодулированное сопротивление базы;

- дифференциальное и статическое сопротивления диода;

- диффузионная емкость диода.

Необходимо:

а) по известным параметрам (c учетом Приложения I) рассчитать недостающие параметры, против которых стоит прочерк, и внести их в таблицу;

б) рассчитать и построить теоретическую вольт - амперную статическую характеристику диода;

в) определить, как изменится характеристика диода при температуре (указано в градусах Цельсия);

г) для заданного (найденного) значения определить дифференциальные параметры идеализированного диода (крутизну, температурные чувствительности по току и напряжению);

д) построить на том же графике (см. п.п. б, в) реальную характеристику диода и сравнить реальную крутизну с теоретической;

е) нарисуйте полную высокочастотную эквивалентную схему полу­проводникового диода, покажите как она упрощается для случая низких частот, при прямом и обратном напряжениях, для случая средних частот при прямом к обратном напряжениях.

Примечание:

1. Для вариантов 4 - 7 считать р - n переход плавным несимметричным /28/ § 2-2 с градиентом примесей в базе . В варианте 4 , 5 , 6 , 7 . Для остальных вариантов р - n переход резкий.