контрольная работа 1, 2
.docxМИНИСТЕРСТВО РЫБНОГО ХОЗЯЙСТВА CCCР
Калининградское высшее инженерное морское училище
ШОНИН В.Н.
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И РАДИОКОМПОНЕНТЫ
Методические указания с контрольными заданиями для студентов и курсантов -заочников высших учебных заведений по специальности 23.04 "Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования''
Калининград 1990
Контрольная работа № 1.
Номер задания определите по последней цифре курсантского билета.
0. Опишите конструкцию, используемые материалы, непроволочых трехослойных углеродистых и боруглеродистых металлодиэлектрических и металлоокисных резисторов. Укажите марки этих резисторов, общего применения и специальных, прецизионные, высокочастотные, диапазон номиналов.
1. Опишите конструкцию, используемые материалы, непроволочных, композиционных, пленочных и объемных резисторов. Укажите марки этих резисторов общего применения, специальных, высокомегаомные, высоковольтные, диапазон номиналов.
- 
Опишите конструкцию, используемые материалы проволочных резисторов. Укажите марки этих резисторов общего применения и специальных, диапазон номиналов.
 - 
Опишите конструкцию, используемые материалы переменных резисторов. Укажите марки этих резисторов.
 
4. Дайте классификацию резисторов по назначению, материалу резистивного элемента и конструктивному.' исполнению, систему условных обозначений и маркировку, и охарактеризуйте параметры резисторов.
- 
Дайте классификацию конденсаторов по назначению и применяемому диэлектрику, систему условных обозначений и маркировку. Охарактеризуйте основные параметры конденсаторов.
 - 
Опишите конструкцию, используемые материалы электролитических конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов, диапазон номиналов.
 
7. Опишите конструкцию, используемые материалы керамических конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов, диапазон номиналов.
- 
Опишите конструкцию, используемые материалы пленочных и бумажных конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов, диапазон номиналов.
 - 
Опишите конструкцию, используемые материалы переменных и подстроечных конденсаторов. Укажите марки этих конденсаторов.
 
Контрольная работа № 2
На основе кристалла собственного полупроводника с исходными данными, приведенными в Приложении I, изготовлен идеальный диод с резким (плавным) электронно-дырочным переходом. Характеристики идеализированного р-n перехода и параметры диода для комнатной температуры (T=30Q°K) указаны в таблице I, где приняты следующие обозначения:
    - концентрации
акцепторной  и донорной примесей;
      -  подвижности
основных носителей и удельные электрические
проводимости полупроводника в n
-  и р - областях;
  
   - таблица базы
диода; 
  - соответственно
коэффициент диффузии, диффузионная
длина и время жизни неосновных носителей
в базе; 
-  контактная
разность потенциалов;
- площадь поперечного
сечения перехода;
- прямое напряжение,
приложенное к р - n
  переходу;
 
-
толщина и барьерная емкость p
- n
перехода;   
-
обратный (тепловой) и прямой токи диода;
 
 - немодулированное
сопротивление базы; 
- дифференциальное
и статическое сопротивления диода; 
- диффузионная
емкость
диода.
Необходимо:
а) по известным параметрам (c учетом Приложения I) рассчитать недостающие параметры, против которых стоит прочерк, и внести их в таблицу;
б) рассчитать и построить теоретическую вольт - амперную статическую характеристику диода;
в)
определить, как изменится характеристика
диода при температуре
 (указано в градусах Цельсия); 
г)
для заданного (найденного) значения 
определить
дифференциальные параметры идеализированного
диода (крутизну,
температурные чувствительности по току
и напряжению);
д) построить на том же графике (см. п.п. б, в) реальную характеристику диода и сравнить реальную крутизну с теоретической;
е) нарисуйте полную высокочастотную эквивалентную схему полупроводникового диода, покажите как она упрощается для случая низких частот, при прямом и обратном напряжениях, для случая средних частот при прямом к обратном напряжениях.
Примечание:
    1.
Для вариантов 4 - 7 считать   р - n
  переход плавным
несимметричным /28/ § 2-2 с градиентом
примесей в базе 
 .
В
варианте 4 
 , 5 
,
6 
,
7 
.
Для
остальных вариантов   р - n
  переход резкий.
	 
	
	 
	
