Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
Числовые значения констант даны с таким числом знаков, чтобы при возможном их уточнении изменение произошло не более чем на единицу в предпоследней значащей цифре.
Скорость света в вакууме
с= 2,9979∙108 м/с.
Постоянная Планка
h= 6,62∙10-34Дж.c,
ћ=h/2π= 1,05∙10-34Дж·c.
Заряд электрона
е= 1,60∙10-19Кл,
Масса покоя электрона
me= 9,108∙10-31кг.
Число Фарадея
F=eNa= 9,6485∙104Кл/моль,
где Na– число Авогадро;
Na= 6,022∙1023моль-1.
Постоянная Больцмана
1,3807∙10-23
Дж/ К,
где R– универсальная газовая постоянная;
R= 8,314 Дж/(моль К).
Магнитная постоянная
μ0=12,56·10-7Гн/м
Электрическая постоянная
ε0=8,85·10-12Ф/м.
Абсолютный нуль температуры
0К = -273,15ºС.
П.2. Свойства полупроводников
|
Наименование параметра |
Ge |
Si |
GaAs |
|
Атомный номер |
32 |
14 |
|
|
Атомная масса |
72,59 |
28,08 |
72,32 |
|
Кристаллическая структура |
решетка типа алмаза |
решетка типа алмаза |
решетка типа цинк. обманки |
|
Постоянная решетки, нм |
0,566 |
0,543 |
0,563 |
|
Концентрация атомов, 1028 м-3 |
4,42 |
4,99 |
1,3 |
|
Плотность (при 250С), 103 кг м -3 |
5,32 |
2,33 |
5,3 |
|
Твердость по шкале Мооса |
6,25 |
7 |
- |
|
Относительная диэлектрическая проницаемость |
16 |
12 |
11,1 |
|
Показатель преломления |
4,1 |
3,42 |
3,4 |
|
Работа выхода, эВ |
4,78 |
4,8 |
- |
|
Термическая ширина запрещенной зоны, эВ экстраполированная к 0К при 300К |
0,74 0,67 |
1,21 1,12 |
1,52 1,43 |
|
Температура плавления, ºС |
937 |
1420 |
1238 |
|
Температура кипения, ºС |
2700 |
2600 |
- |
|
Теплоемкость (при 300К) Дж/(моль К) |
22,919 |
19,483 |
- |
|
Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1 |
6,1 |
4,2 |
5 |
|
Теплопроводность, Вт/м (25ºС) |
58,6 |
83,7 |
44 |
|
Подвижность (при 300 К) дырок, см2/(Вс) электронов, см2/(Вс) |
1820 3800 |
470 1300 |
435 11000 |
|
Коэффициент диффузии (300 К) электронов, см2/с дырок, см2/с |
98 47 |
34 12 |
220 11 |
|
Критическая напряженность поля для электронов, В/см для дырок, В/см |
900 1400 |
2500 7500 |
3000 - |
|
Критическая скорость электронов, 104 м/с дырок, 104 м/с |
3,2 2,4 |
3,3 2,8 |
- - |
|
Удельное сопротивление собственного полупроводника (300 K), Ом.см. |
47 |
2,3·105 |
- |
|
Относительная эффективная масса электронов дырок |
0,12 0,28 |
0,26 0,49 |
0,043 0,68 |
|
Концентрация собственных носителей заряда каждого знака (300 К), см-3 |
2,5·1013 |
1,5·1010 |
9,21·1013 |
П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
|
Величина |
Символ |
Наименование |
Обозначение |
Размерность |
|
Длина |
L |
метр |
м |
L |
|
Масса |
m |
килограмм |
кг |
M |
|
Время |
t |
секунда |
с |
T |
|
Электрический ток |
I |
Ампер |
А |
I |
|
Температура |
T |
Кельвин |
К |
Θ |
|
Сила света |
Iv |
кандела |
Кд |
J |