
- •В.Н. Игумнов физические основы микроэлектроники практикум
- •Оглавление
- •Глава 1 7
- •Глава 2 36
- •Глава 3 163
- •Указания по технике безопасности
- •Предисловие
- •Глава 1 Обработка результатов измерений
- •1.1. Основные понятия и определения метрологии
- •1.2. Погрешности прямых измерений
- •1.2.1. Поправки
- •1.2.2. Случайные погрешности
- •Коэффициенты Стьюдента
- •Обратный ток через p-n-переход
- •1.2.3. Погрешность прибора
- •1.2.4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения
- •Э.Д.С. Датчика Холла
- •1.3. Погрешность косвенных измерений
- •1.3.1. Вычисление абсолютной и относительной погрешности
- •Результаты наблюдений
- •1.3.2 Схемы и формулы расчета погрешностей
- •1.3.3. Планирование эксперимента и оценка погрешности
- •1.4. Приближенные вычисления
- •1.5. Единицы измерения физических величин
- •1.6. Оформление результатов измерений
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 2 Лабораторные работы
- •2.1. Исследование характеристических параметров полупроводников
- •Зонная структура полупроводников
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла
- •Основные сведения из теории
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора
- •Поверхностные состояния
- •Порядок выполнения работы
- •Величина тока стока
- •Величина тока стока
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоэдс
- •Основные сведения из теории
- •Задание и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом
- •Основные сведения из теории
- •Применение эффекта Пельтье для охлаждения радиоаппаратуры
- •Описание установки и порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.6. Контакт металл – полупроводник
- •Основные сведения из теории
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.7. Изучение электрофизических процессов вp-nпереходе
- •Основные сведения из теории
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
- •Основные сведения из теории
- •Плазменно-электролитическое анодирование
- •Состояние теории образования оксидных пленок
- •Свойства оксидных пленок
- •Описание установки и анодирование
- •Измерение динамики роста и свойств оксидной пленки
- •Задания и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе
- •Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •Процессы захвата, заряда, прилипания и рекомбинации носителей заряда
- •Время жизни носителей заряда. Квантовый выход
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.10. Полупроводники в сильных электрических полях
- •Теоретическая часть
- •Эффект Ганна
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.11. Свойства тонких проводящих пленок
- •Свойства тонких пленок
- •Контроль толщины тонких пленок
- •Порядок выполнения работы:
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 3 Решение задач
- •3.1. Структура твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.2. Энергетические состояния микрочастиц Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.3. Электрические свойства твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.4. Свойстваp-nперехода Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова,17
Примеры решения задач
Пример 1.Определить число узлов, приходящееся на одну элементарную ячейку в базоцентрированной ромбической решетке.
Решение. Выделим элементарную ячейку в кубической решетке (рис. 3.1) и определим, скольким соседним элементарным ячейкам принадлежит той или иной узел выделенной ячейки. Узлы в углах принадлежат одновременно восьми элементарным ячейкам, узлы на гранях принадлежат только двум ячейкам. Поэтому общее число узлов, приходящееся на одну базоцентрированную ячейку,
n=1/88+1/22=2 узла.
`
Рис. 3.1. Элементарная ячейка
Пример 2. Определить число элементарных ячеек кристалла меди объемомV=1 см3.
Решение. Число элементарных ячеек кристалла определяется из выражения (3.4)
z=ρkNaV/nM.
Поскольку ячейка состоит из одинаковых атомов, то k=1. Плотность меди считаем известной (ρ=8,93103кг/м3). Малярная масса вещества определяется с помощью периодической таблицы Менделеева (М=63,5510-3кг/моль). Медь относится к кристаллам гранецентрированной кубической решетки, следовательно ее ячейка содержит 4 атома (n=4). Подставив данные в расчетную формулу, получим
z=8,9310316,021023110-6/(463,5510-3)=2,111022.
Пример 3. Определить параметры решетки а и расстояниеdмежду ближайшими соседними атомами кристалла кальция.
Решение. Поскольку кальций имеет ГЦК-решетку, то объем элементарной ячейкиV=a3. С другой стороны, объем элементарной ячейки может быть найден из соотношения (3.2)
V=VM/ZM.
В результате можно записать с учетом (3.4)
a=.
Подставляя значения величин n,МиNaв формулу и проводя вычисления, получим
а=556 пм.
Расстояние между ближайшими соседними атомами находится из простых геометрических соображений
d=a/.
d=393 пм
Пример 4. Написать индексы направления прямой, проходящие через узлы [[110]] и [[011]] кубической примитивной решетки.
Решение. Рассмотрим аналитический метод решения. Напишем в общем виде уравнение прямой, проходящей через две точки в пространстве, с индексами узлов [[m1n1p1]] и [[m2n2p2]
Величины, стоящие в знаменателях, пропорциональны направляющим косинусам прямой. Но так как эти величины целочисленны (по определению), то они и будут являться индексами направления. Подставляя в знаменатели данного выражения значения индексов узлов, получим:
m2-m1=0-1=-1
n2-n1=1-1=0
p2-p1=1-0=1
Таким образом искомые индексы направления [101].
Возможен также графический способ решения.
Пример 5. Найти индексы Миллера для плоскости, содержащей узлы с индексами [[2 0 0]], [[0 1 0]] и [[0 0 2]].
Решение. Анализ условий задачи показывает, что известны отрезки, отсекаемые плоскостью на осях координат. Отрезки выражаются в единицах постоянной решетки соответственно 2,1,2. В соответствии с общим правилом нахождения индексов Миллера запишем обратные значения данных чисел ½; 1/1; ½ и приведем их к наименьшему целому кратному этих чисел (умножив их на 2). Полученная совокупность значений и есть искомые индексы Миллера – (1 2 1).
Можно воспользоваться аналитическим методом, решая задачу об отыскании уравнения плоскости, проходящей через три точки с заданными индексами Миллера. Особенно удобен этот способ в том случае, когда точки не лежат на осях координат.
Задачи
1.1. Сколько атомов приходится на одну элементарную ячейку примитивной решетки кубической сингонии? Нарисовать ячейку.
1.2. Назвать и нарисовать элементарную ячейку кристаллической решетки кубической сингонии, содержащую 2 атома.
1.3. Сколько атомов приходится на одну элементарную ячейку гранецентрированной решетки кубической сингонии? Нарисовать ячейку.
1.4. Определить и нарисовать элементарную ячейку кристаллической решетки гексагональной сингонии, если она содержит 2 частицы.
1.5. Сколько атомов приходится на две смежных элементарных ячейки триклинной сингонии? Нарисовать ячейки.
1.6. Определить и нарисовать элементарную ячейку кристаллической решетки моноклинной сингонии, если она содержит 1 частицу.
1.7. Сколько атомов приходится на две элементарных ячейки базоцентрированной решетки ромбической сингонии. Нарисовать ячейки.
1.8. Определить и нарисовать элементарную ячейку кристаллической решетки ромбической сингонии, если она имеет 2 частицы.
1.9 Сколько атомов приходится на четыре элементарных ячейки гранецентрированной решетки ромбической сингонии? Нарисовать ячейки.
1.10. Определить и нарисовать элементарную ячейку кристаллической решетки тетрагональной сингонии, если она содержит 2 атома.
1.11. Определить число элементарных ячеек кристалла объемом V=1 м3(ГЦК решетка).
1.12. Определить число частиц в кристалле CsClобъемом 1 м3(ГЦК).
1.13. Найти число элементарных ячеек в кристалле меди объемом V=1 см3(ГЦК).
1.14 Определить число частиц в кристалле меди объемом 10 см3(ГЦК).
1.15. Вычислить число элементарных ячеек в кристалле кобальта объемом 1 м3 (структура гексагональная).
1.16. Определить число частиц в 1 см3кристалла кобальта (структура гексагональная).
1.17. Найти число элементарных ячеек в 10 см3кристалла магния (структура гексагональная).
1.18. Определить число частиц в 5 см3кристалла магния (структура гексагональная).
1.19. Найти число элементарных ячеек в 5 см3бериллия (структура гексагональная).
1.20. Определить число частиц в 1 м3кристалла бериллия (структура гексагональная).
1.21. Определить плотность кристалла гелия при температуре 2К. Структура гексагональная, а=0,357 нм.
1.22. Вычислить постоянную решетки кристалла бериллия, который имеет гексагональную структуру, параметр решетки равен 0,359 нм.
1.23. Определить постоянные а и с решетки магния, который представляет собой гексагональную структуру.
1.24. Вычислить постоянную решетки и расстояние dмежду ближайшими соседними атомами для алюминия (ГЦК).
1.25. Определить атомную массу кристалла, если известно, сто расстояние dравно 0,304 нм.
1.26. Вычислить постоянную решетки и расстояние dдля вольфрама (ОЦК).
1.27. Найти плотность кристалла неона (Т=20К), если решетка ГЦК и а=0,452 нм.
1.28. Найти плотность кристалла стронция, если известно, что его решетка ГЦК и а=0,43 нм.
1.29. Найти постоянную решетки и расстояние dдля кристалла стронция (ГЦК).
1.30. Вычислить постоянную решетки и расстояние dдля кристалла меди (ГЦК).
1.31. Написать индексы направлений прямых, проходящих в кубической решетке через начало координат и узел с кристаллографическими индексами, в двух случаях 1) [[1 2 1]]; 2)[[1 1 2]]. Показать на рисунке.
1.32. Написать индексы направлений ,проходящих через два узла 1) [[1 2 1]] и [[1 3 1]]; 2) [[2 1 1]] и [[1 1 1]]. Показать на рисунке.
1.33. Найти индексы Миллера плоскости,
отсекающей на осях координат отрезки
;
;
.
Показать на рисунке.
1.34. Найти индексы плоскости, отсекающей
на осях отрезки
;
;
.
Показать на рисунке.
1.35. Найти индексы вертикальной плоскости, отсекающей на оси х отрезок 2а, на оси у – отрезок 3b. Проиллюстрировать плоскость.
1.36. Найти индексы плоскости, отсекающей на осях отрезки 1а; -3b; 2с. Дать иллюстрацию плоскости.
1.37. Система плоскостей примитивной кубической решетки задана индексами (1 1 1). Определить расстояние dмежду соседними плоскостями, если параметр решетки равен 0,3 нм.
1.38. Система плоскостей в примитивной кубической решетке задана индексами Миллера (2 2 1). Найти наименьшие отрезки, отсекаемые плоскостью на осях координат, и изобразить эту плоскость графически.
1.39. Определить параметр апримитивной кубической решетки, если межплоскостное расстояниеdдля системы плоскостей (-2 1 2) равно 0,12 нм.