Контрольные вопросы:
Где используются тонкие пленки?
Чем пленки отличаются от объемных образцов? Почему?
Чем обусловлен характер зависимости ρ=f(d)?
Какими процессами обусловлен характер зависимости R=f(T)?
Объяснить зависимость ТКС= f(d).
В чем заключается классические размерные дефекты?
В чем заключается квантовые размерные дефекты?
Литература:[6] – 2.1; 10.
Глава 3 Решение задач
Изучение курса ”Физические основы микроэлектроники” является весьма важным при подготовке специалистов соответствующего профиля. Как показывает опыт, решение достаточного числа примеров и задач существенно облегчает преодоление трудностей, возникающих при изучении данного курса. Решение задач помогает изучить физический смысл явлений, способствует закреплению в памяти формул, прививает навыки практического применения теоретических знаний.
Данная глава составлена с целью облегчить и углубить изучение основных вопросов курса. В ней содержатся задачи, которые можно использовать в качестве домашних заданий, на практических занятиях или в составе контрольных работ.
Глава содержит задачи по нескольким (основным) разделам курса. В начале каждого раздела приведены основные необходимые формулы. Ряд типовых задач приводится с решениями, которые позволяют понять основные алгоритмы их решения.
Правила выбора задач для контрольных работ определяются последними цифрами номера зачетной книжки студента. Для выполнения контрольных работ № 1,2,3,4 выбираются задачи, последняя цифра которых совпадает с последней цифрой номера зачетной книжки студента.
При выполнении контрольных работ необходимо выполнять следующие требования:
текст вопросов и условия задач следует записывать полностью;
ответы должны быть конкретными, иллюстрированы графиками, рисунками, примерами;
должны быть оценены погрешности результатов;
схемы, графики, рисунки следует выполнять аккуратно, соблюдая правила оформления ЕСКД;
при решении задач следует приводить расчетные формулы, расшифровывать условные обозначения величин, входящих в формулу, указывать единицы их измерения (в системе СИ), а также литературные источники, откуда взяты формулы;
в конце каждой контрольной работы следует привести перечень литературы, которой пользовался студент при выполнении работы.
3.1. Структура твердых тел Основные справочные формулы
● Молярный объем кристалла
, (3.1)
где M– молярная масса вещества;
ρ –плотность материала.
● Число элементарных ячеек в одном моле кристалла
, (3.2)
где V –объем элементарной ячейки, или
, (3.3)
где k– стехиометрический коэффициент элемента;
n– число атомов этого элемента в ячейке.
● Число элементарных ячеек в единице объема кристалла
. (3.4)
Параметр кубической решетки
.
(3.5)
Для обозначения узлов направлений и плоскостей в решетке используются специальные индексы Миллера:
[[mnp]] – индексы узла;
[mnp] – индексы направлений;
(hkl) – индексы плоскостей.
Индексы m,n,pвыражают число соответствующих параметров решетки. Индексы плоскостейh,k,lсвязаны с величиной отрезков, отсекаемых плоскостью на соответствующих осях (1/h; 1/k; 1/l).