
- •В.Н. Игумнов физические основы микроэлектроники практикум
- •Оглавление
- •Глава 1 7
- •Глава 2 36
- •Глава 3 163
- •Указания по технике безопасности
- •Предисловие
- •Глава 1 Обработка результатов измерений
- •1.1. Основные понятия и определения метрологии
- •1.2. Погрешности прямых измерений
- •1.2.1. Поправки
- •1.2.2. Случайные погрешности
- •Коэффициенты Стьюдента
- •Обратный ток через p-n-переход
- •1.2.3. Погрешность прибора
- •1.2.4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения
- •Э.Д.С. Датчика Холла
- •1.3. Погрешность косвенных измерений
- •1.3.1. Вычисление абсолютной и относительной погрешности
- •Результаты наблюдений
- •1.3.2 Схемы и формулы расчета погрешностей
- •1.3.3. Планирование эксперимента и оценка погрешности
- •1.4. Приближенные вычисления
- •1.5. Единицы измерения физических величин
- •1.6. Оформление результатов измерений
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 2 Лабораторные работы
- •2.1. Исследование характеристических параметров полупроводников
- •Зонная структура полупроводников
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла
- •Основные сведения из теории
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора
- •Поверхностные состояния
- •Порядок выполнения работы
- •Величина тока стока
- •Величина тока стока
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоэдс
- •Основные сведения из теории
- •Задание и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом
- •Основные сведения из теории
- •Применение эффекта Пельтье для охлаждения радиоаппаратуры
- •Описание установки и порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.6. Контакт металл – полупроводник
- •Основные сведения из теории
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.7. Изучение электрофизических процессов вp-nпереходе
- •Основные сведения из теории
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
- •Основные сведения из теории
- •Плазменно-электролитическое анодирование
- •Состояние теории образования оксидных пленок
- •Свойства оксидных пленок
- •Описание установки и анодирование
- •Измерение динамики роста и свойств оксидной пленки
- •Задания и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе
- •Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •Процессы захвата, заряда, прилипания и рекомбинации носителей заряда
- •Время жизни носителей заряда. Квантовый выход
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.10. Полупроводники в сильных электрических полях
- •Теоретическая часть
- •Эффект Ганна
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.11. Свойства тонких проводящих пленок
- •Свойства тонких пленок
- •Контроль толщины тонких пленок
- •Порядок выполнения работы:
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 3 Решение задач
- •3.1. Структура твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.2. Энергетические состояния микрочастиц Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.3. Электрические свойства твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.4. Свойстваp-nперехода Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова,17
Плазменно-электролитическое анодирование
Название этого метода говорит о том, что он является как бы комбинированным или переходным между обычным анодированием в водных растворах электролитов и анодированием в кислородосодержащей плазме тлеющего разряда. Сущность его состоит в том, что окисляемый образец – анод опускают в электролит на небольшую глубину, а катод располагают над анодом выше уровня электролита. Касаются катодом поверхности электролита или поднимают уровень электролита до применения его к катоду, после чего устанавливают прежнее расстояние между общим уровнем электролита и катодом. Затем к электродам прикладывают напряжение и между ними возникает бурлящий слой электролита. Возможно и другое расположение электродов – катод в электролите, а анод над электролитом.
Возникновению метода плазменно-электролитического анодирования предшествовало установление ряда новых закономерностей плазменного и электролитического анодирования, объясняющих увеличение скорости роста пленок и уменьшение трещинообразования при повышенных плотностях тока. Трещинообразование у оксида препятствует применению больших плотностей тока в гальваностатическом режиме. С увеличением плотности тока падает выход по току за счет потерь на газовыделение. Установлено, что при плотности тока формовки больше 100 А/м2этот процесс резко интенсифицируется. Формирование толстослойного оксида часто сопровождается его микропробоями. При глубоком расположении анода гидростатическое давление препятствует выбросу парогазовой смеси. Развивающееся в порах высокое давление пара приводит к трещинообразованию. Присутствие паров в зоне разряда при плазменном анодировании увеличивает скорость окисления и толщину оксида.
Учитывая все эти факты, можно было ожидать при плазменно-электролитическом анодировании уменьшение трещинообразования, так как гидростатическое давление в этом случае значительно меньше. Это должно позволить применение повышенных плотностей тока и увеличение скорости роста оксидных пленок. При наличии микроразрядов в водных растворах электролитов локальная концентрация кислоты увеличивается. Установлено, что при неглубоком погружении анода в электролит для разряда характерны некоторые особенности. Так, например, плотность образующейся плазмы выше, чем в случае, если оба электрода расположены в газовой среде. Это обусловлено тем, что жидкость тормозит расширение канала разряда. Характер разряда и частота повторения разрядных циклов зависит от приложенного напряжения, состава электролита, расстояния между электродами и глубины погружения анода в электролит. Каждый цикл разряда состоит из трех стадий: образование канала разряда; выделение энергии в канале разряда; разрыв канала.
На последней стадии в канале разряда образуются газовые пузырьки, которые под давлением плазмы, превышающее гидростатическое, разрушаются. Так, как разряды происходят часто и хаотически, пространство между электродами постоянно заполнено парами электролита. Благодаря этому электроды нагреваются незначительно, а в пространстве между ними образуется большое количество ионов кислорода. Это способствует ускорению роста оксидной пленки.
Механизм плазменно-электролитического анодирования сложен и пока еще не ясен. Он включает в себя элементы механизмов как электролитического, так и плазменного анодирования и имеет свои особенности.