Порядок выполнения работы
Лабораторная установка состоит из двух схем (рис. 2.17 и 2.18). Схема (рис. 2.17) позволяет качественно оценить характеристики полевого транзистора до получения графиков. Характеристики воспроизводятся на экране осциллографа. Схема 2 предназначена для измерения характеристик полевого транзистора с целью построения графиков (рис. 2.18).
На лицевой панели находятся три измерительных прибора, две ручки регуляторов и переключатель полярности:
ИП-1 – вольтметр для измерения напряжения затвор-исток;
ИП-2 – вольтметр для измерения напряжения исток-сток;
ИП-3 – миллиамперметр для измерения тока стока;
R1– регулятор напряжения затвор-исток;
R2– регулятор напряжения исток-сток.
Для выполнения работы необходимо:
1) вывести все ручки в крайнее левое положение;
2) включить осциллограф;
3) включить установку;
4) с помощью органов управления, обведенных на лицевой панели жирной линией, получить на экране осциллографа зависимость IС=f(UИС) приUЗИ=constиIС=f(UЗИ);
5) осциллограмму зарисовать в тетради;
6) снять зависимость IС=f(UЗИ) приUИС=const, для трех значенийUИС, равных 8 В, 10 В и 12 В; результаты занести в таблицу 2.4;
7) изменить полярность UЗИна обратную переключением тумблера, повторить пункт 6 и результаты занести в таблицу 2.4;
8) снять зависимость IС=f(UИС) при трех различных значенияхUЗИ=0; ±025; ±0,5 В и результат занести в таблицу 2.5;
9) выключить установку;
10) начертить графики зависимостей IС=f(UИС),IС=f(UЗИ), на основании которых построить график электропроводностиσ=f(UЗИ).
11) оценить и отметить на графиках погрешности измерений.
Таблица 2.4
Величина тока стока
|
U В UИС, В |
-0,5 |
-0,45 |
-0,4 |
-0,35 |
-0,3 |
-0,25 |
-0,2 |
-0,15 |
-0,1 |
0 | |
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
+0,1 |
+0,15 |
+0,2 |
+0,25 |
+0,3 |
+0,35 |
+0,4 |
+0,45 |
+0,5 |
| |
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
ЗИ,Таблица 2.5
Величина тока стока
|
В UЗИ, В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
-0,5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0,25 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+0,25 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+0,5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UИС,
Рис. 2.17. Схема 1 для измерения входных и выходных характеристик полевых транзисторов
Рис. 2.18. Упрощенная схема 2 для визуального наблюдения ВАХ полевых транзисторов