- •2. Основные направления ТвТЭл-ки
- •3. Функциональная электроника. Задачи и преимущества
- •4. Физические принципы интеграции функциональной электроники. Схемотехническая и функциональная интеграции
- •5. Основные направления фэ
- •6. Типичные устройства фэ
- •7. Классификация материалов фэ
- •8. Св-ва материалов. Классификация фх св-в
- •9. Кристаллические материалы
- •12. Кристало Физическая система координат, соотношения между кгск и кфск.
- •13 Ортогональн Преобр Координат. Матрица преобразования.
- •14. Тензорное описание свойств кристаллов. Скаляры векторы и тензоры
- •15 Тензор второго ранга
- •16Примеры и преобразование тензоров третьего и четвертого рангов.
- •17. Влияние симметрии кристалла на их св-ва. Принцип Неймана
- •18. Полевые и материальные тензоры. Принцип Кюри.
- •19 Матричное описание физич тензоров.
- •20. Акустоэлектроника. Механические св-ва кристалла
- •21 Тензоры напряжений и деформаций
- •22. Закон Гука
- •23(1) Упругие волны.
- •23(2). Вшп-встречно штыревой преобразователь
- •24. Пав. Волны Рэлея,Лява,Стоунли
- •I. Пав с вертикальной поляризацией
- •1. Волны Рэлея
- •II. Волны с горизонтальной поляризацией
- •25. Активые диэлектрики.
- •27. Сегнетоэлектрики.
- •27,28 Акустооптика
8. Св-ва материалов. Классификация фх св-в
Признак классиф. |
Группа св-в |
Пример |
1 По влиянию структуры |
а) структурно-чувствит. (кинетические) б) структурно-устойчив. (статические) |
а) электропроводимость, подвижность носителей б) теплоемкость |
2 По объемному распределению |
а) усредненные (макроскопические) б) экстремальные (микроскопические) |
а) плотность, тепло и электро проводность, показат. преломления модуль упр б) Эл-ая плотность, мех. плотность |
3 По зависимости к КРГРАФ направ. |
а) изотропные ( не зависят от направ-ия в кристалле) б) анизотропные |
|
Классификация св-в материалов ФЭ
а) Ф-Х
б) Потребительские
ФХ:
-функциональные (пригодность)
-оптические, механические,эл-кие, теплофизич., химические
-технологич ( способность и обработке материала)
-твердость, пластичность, деформируемость, растворимость
-стойкость к хим. агрессивным взаимодействиям
-адгезионная способность
Потребительские:
-Экономические ( себистоимость, цена и разница между ними)
-экологические (при создании устройств)
-гигиенические (при исп-ии устройств)
-эстетические (дизайн)
9. Кристаллические материалы
Кристаллами наз. ТВ. тела которые имеют регулярное (периодическое) расположение частиц в трехмерном пространстве.
При этом это расположение частиц выдерживается на расстояниях соизмерим. с размерами кристалла, что наз. дальним порядком
Важнейшими св-ми кристаллов явл
-симметрия
-анизотропия
10. КГСК. Это трехмерная система координат в анизотропн кристаллич среде, выбираемая в соответствии с кристалл строением и в общем случае это косоугольная система координат с неравными массштабными отрезками по осям. Характеризуется 6ю параметрами. В общем случае α≠β≠γ≠90 a≠b≠c
Сингония кубическая(a=b=c; α=β=γ=90);
гексагональная(a=b≠c α≠β=90 γ=120);
тетрагональная(a=b≠c α=β=γ=90),
ромбическая (a=b=c; α=β=γ≠90),
тригональная() моноклинная()
триклинная(a≠b≠c; α≠β≠γ)
11. КГСК. Это трехмерная система координат в анизотропн кристаллич среде, выбираемая в соответствии с кристалл строением и в общем случае это косоугольная система координат с неравными массштабными отрезками по осям. Характеризуется 6ю параметрами. В общем случае α≠β≠γ≠90 a≠b≠c
Сингония кубическая(a=b=c; α=β=γ=90);
гексагональная(a=b≠c α≠β=90 γ=120);
тетрагональная(a=b≠c α=β=γ=90),
ромбическая (a=b=c; α=β=γ≠90),
тригональная() моноклинная()
триклинная(a≠b≠c; α≠β≠γ)
Обратная решетка характеризуется 3мя параметрами a* d* c*; α* ,β* ,γ*
ā*=[b×č]/V b*=[č×ā]/V č*=[ā×b]/V
V-объем элементарной ячейки
V=[ ā × [b×č]]=abc*SQR(1-cos2α-cos2β-cos2γ+2cosαcosβcosγ)
Cos*α=(cosβcosγ-cosα)/sinβsinγ
Cos*β=(cosαcosγ-cosβ)/sinαsinγ
Cos*γ=(cosαcosβ)/sinαsinγ
Для ортогональных сингоний
a*=1/a b*=1/b c*=1/c
α*=β*=γ*=90
2. Для гексагонального кристалла базисные векторы
a*=b*=2/a√3 c*=1/c α*=β*=90 γ*=60
Основные св-ва обратной решетки
Вектор обратной решетки ┴ пл-ти Ħ*(hkl)
Ħ*(hkl)=hā*+kb*+lč*
Ħ*(hkl)=1/dhkl
12. Кристало Физическая система координат, соотношения между кгск и кфск.
Для описания физич. свойств кр-ла испоьлзунтся КФСК.
e1 , e2 ,e3 единичные базисные вектора, взаимоотртогональные.
Отличит. Свойство прямая и обратные решетки совпадают.
Для кубичекой, тетрагон, ромбическо сингоний оси КФСК совпадают с осями координат КГСК.
(x1,x2,x3)КФСК
Для гексагональных кристаллов (x,y,z)КГСК (x1,x2,x3)КФСК
Соотношения между КГСК и КФСК,
Характеризуется коэф – ми разложения векторов одного базиса
К векторам другого.
КФСК a1,a2,a3
КГСК e1,e2,e3
Согласно правилу Энштейна:
Aij=
Триклин. |
Террогон,кубич,ромбич. |
Гексогон. тригон |
Аналогично для матрицы разлож базисных векторов КФСК.
Eij=
Триклин. |
Террогон,кубич,ромбич. |
Гексогон. тригон |