
- •2. Основные направления ТвТЭл-ки
- •3. Функциональная электроника. Задачи и преимущества
- •4. Физические принципы интеграции функциональной электроники. Схемотехническая и функциональная интеграции
- •5. Основные направления фэ
- •6. Типичные устройства фэ
- •7. Классификация материалов фэ
- •8. Св-ва материалов. Классификация фх св-в
- •9. Кристаллические материалы
- •12. Кристало Физическая система координат, соотношения между кгск и кфск.
- •13 Ортогональн Преобр Координат. Матрица преобразования.
- •14. Тензорное описание свойств кристаллов. Скаляры векторы и тензоры
- •15 Тензор второго ранга
- •16Примеры и преобразование тензоров третьего и четвертого рангов.
- •17. Влияние симметрии кристалла на их св-ва. Принцип Неймана
- •18. Полевые и материальные тензоры. Принцип Кюри.
- •19 Матричное описание физич тензоров.
- •20. Акустоэлектроника. Механические св-ва кристалла
- •21 Тензоры напряжений и деформаций
- •22. Закон Гука
- •23(1) Упругие волны.
- •23(2). Вшп-встречно штыревой преобразователь
- •24. Пав. Волны Рэлея,Лява,Стоунли
- •I. Пав с вертикальной поляризацией
- •1. Волны Рэлея
- •II. Волны с горизонтальной поляризацией
- •25. Активые диэлектрики.
- •27. Сегнетоэлектрики.
- •27,28 Акустооптика
1. Электроника Электроника-наука о взаимодействии заряженных частиц (электроны, ионы) с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, используемых для передачи, хранения и обработки информации.
В начале своего развития электроника развивалась как вакуумная (1915 г.г.)
50 г. – твердотельная электроника- эта область Э. охватывающая исследование электрических процессов для преобразования электромагнитной энергии в широких диапазонах частот.
Практическая задача Тв. Э.- создание Эл-х твердотельных приборов и устройств предназначенных для:
-генерирования
-усиления
-преобразования
-индикации эл. магнитных колебаний (волн),
управление потоками эл. маг. Энергии, выполнение арифметических и логических операций, хранение, передача, обработки информации.
Твердотельные приборы по сравнению с вакуумными приборами обладают преимуществами:
-значительно меньшие габаритные размеры и масса
-низкие рабочие напряжения, более высокие надежность и долговечность,
-устойчивость к вибрациям и ударам
-меньшая стоимость
Начало 1948 создание п/п транзистора
Создание интегральных микросхем 1958г.
2. Основные направления ТвТЭл-ки
Твердотельная электроника (ТТЭ)
-микроэлектроника(МЭ)
-интегральная МЭ (ИМЭ)
-функциональная электроника (ФЭ)
Задачи МЭ – изучение особенностей эл-х и др. физ. процессов и явл. в малых объемах ТВ. тел, разработка микроминиатюрных ТТ приборов ИС, объединяющие на одном кристалле 1000, 10000, Эл-тов (транзисторы)
Миллионы
В настоящее время основными тенденциями развития МЭ явл. технологическая интеграция все большего числа элементов и микроминюатиризация.
ИМЭ использует классические методы схемы радиотехники, теорию Эл-х цепей и основана на принципе технологической интеграции статических неоднородностей
Развитие современной МЭ
Дальнейшее развитие → к рядам проблемам и сложностям
технологические ограничения
-снижение коэф. выхода годных
-значительное увеличение площади занимаемые межсоединений
-повышение стоимости технологических процессов и оборудования
↓ технологических размеров → к физ. ограничениям
- возрастает удельная рассеиваемая мощность
-↑ падений напряжений на межсоединениях малых размеров
- возникает проблема пробивных напряжений
- возрастает роль эффектов туннелирования и просачивание электронов
-↑ влияние электропереноса
В итоге уменьшение надежности Инт. миниат. микросхем
На современном этапе развития уровень требований возрастает
-многоканальность
-многофункциональность
-повышение скорости, надежности и эффективности
-улучшение помехозащищенности
-обеспечение Эл-маг совместимости и скрытности
-снижение массы и габаритов
ФЭ - это направление ТТЭ, охватывающая вопросы использования разнообразных физ. явлений в твердых средах для интеграции различных функций в объеме одного твердого тела и создание устройств на этой основе
3. Функциональная электроника. Задачи и преимущества
ФЭ это направление ТТЭ, охватывающая вопросы использования разнообразных физ. явлений в твердых средах для интеграции различных функций в объеме одного твердого тела и создание устройств на этой основе
ФЭ ориентируется на преимущественное использование волновых процессов и взаимодействия Эл-маг полей с электронами и атомами в твердых средах
Устройства ФЭ более надежные
4. Физические принципы интеграции функциональной электроники. Схемотехническая и функциональная интеграции
Основные физ. явл. и процессы используемые в ФЭ
Оптические явления, акустические, фазовые переходы, квантовые, креогенные, плазменные, п/п(ые) электро-хим. процессы, тепловые явл. самоорганизации
МЭ
-схемотехническая (технологическая) интеграция
-локальная интеграция
-носители информации е
-традиционная ячейка состоит из большого числа статических неоднородностей
Статич. Неоднород.- это локальная область на пов-ти или в объеме среде с отличием от окружающ. среды свойствами, создаваемая технологическими методами в ходе необратимых производственных процессов и сохраняющая свои характеристики в течении всего срока эксплуатации
С.П. жестко связанно с системой
Сов-ть С.Н. позволяет генерировать хранить информацию
ФЭ
-физическая (функциональная) интеграция физ. явлений
-интеграция во всем объеме кристалла
-носители информации – Динамическая неоднородность
ДН представляет собой локальное неравновесное состояние в однородной протяженной среде лок. с отл. от среды и св-ми, создаваемое в результате обратимых физ. процессов неимеющей внутри себя статических неоднородностей, способной перемещаться по контенуальной среде и взаимодействовать со статическими неоднородностями или Д.Н. того же или другого типа.
Взаимодействие неоднородностей положено в работу ФЭ
ФЭ ориентируется на преимущественное использование волновых процессов и взаимодействия Эл-маг полей с электронами и атомами в твердых средах