Шпоры / Шпоры(МП-23_edition) / 29

29. Эквивалентная схема биполярного транзистора

Наряду с реализацией входных и выходных параметров биполярного транзистора в аналитической форме существует и другая форма представления этой взаимосвязи в виде эквивалентных схем, когда реальные процессы в нелинейных устройствах можно заменить на набор активных (источники тока и напряжения) и пассивных (резисторы, емкости) элементов, адекватно описывающих взаимосвязь входных и выходных па-раметров. На основе рассмотренных характеристик представим эквивалентную схему транзистора при включении по схеме с общей базой в следующем виде. Основные пассивные элементы (со-противления r_э, r_к, r_б , емкости коллекторного С_Б и эмиттерного С_Д переходов), активные элементы (генератор тока αI_э в коллекторной цепи, источник ЭДС μ_экU_к в эмиттерной цепи, отражающей обратную связь между эмиттером и коллектором) изображены на эквивалентной схеме рис. 4.16.

Рис. 4.16. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой

Приведенная эквивалентная схема справедлива для рассмотрения статических характеристик биполярного транзистора, а также для рассмотрения этих характеристик в области низких частот. Эта схема называется Т-образной эквивалентной схемой, отражает основные физические процессы, происходящие в транзисторе и удобна для их анализа.

О сновные параметры эквивалентной схемы транзистора выражаются через конструктивно-технологические параметры следующим образом

Величины коэффициентов α, r_э, r_к, μ_эк для биполярного транзистора лежат в пределах: α = (0,95÷0,995), r_э = (1÷10) Ом, r_к = (10÷106) Ом, μ_эк = 10^-3÷10^-4.

Для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером эквивалентная схема выглядит аналогично.

Рис. 4.17. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Основные параметры эквивалентной схемы имеют тот же вид, что и в схеме с общей базой, кроме С^*_к и r^*_к, равных С^*_к = С_к (β + 1), r^*_к = r_к (β + 1).