Лекции / Старосельский.2004 / Часть 1 / Часть 1 / 7

3

7. Барьерная и диффузионная емкости в диоде

7.1. Барьерная емкость р-п перехода

;

.

7.2. Диффузионные емкости базы и эмиттера

.

a)

.

.

б)

—

среднее время пролета дырок через базу.

.

Аналогично вычисляется диффузионная емкость эмиттера:

a)

.

б)

.

При . При .

7.3. Эквивалентная схема диода

7.3. Основные результаты

1. Диод обладает барьерной и диффузионной емкостями, подключенными параллельно ОПЗ.

2. Барьерная емкость связана с изменением заряда ионов в ОПЗ при изменении напряжения и ширины перехода. Барьерная емкость нелинейна — обратно пропорциональна ширине ОПЗ, зависящей от напряжения.

3. Диффузионная емкость связана с накоплением избыточных носителей заряда в базе и эмиттере. Диффузионная емкость нелинейна —пропорциональна току через диод.

4. В диодах с толстой базой диффузионная емкость пропорциональна времени жизни избыточных носителей заряда, диодах с тоонкой базой – времени пролета неосновных носителей через базу.