ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Размер ог-

Содержание ограничения

раничения,

мкм

Ширина линии скрабирования слоя

60

Расстояние от центра скрабирующий полосы до края

50-100

слоя металлизации или до края диффузионной области

Размер контактных площадок для термокомпресси-

100´100

онной приварки проводников

Расстояние между контактными площадками

70

Размер контактных площадок тестовых элементов

50´50

Ширина проводника при длине < 50 мкм

4

Ширина проводника при длине ³ 50 мкм

6

Расстояние между проводниками

3

Ширина области разделительной диффузии

4

Расстояние от базы до области разделительной диф-

10

фузии

Расстояние между краем области подлегирования

коллекторного контакта и краем разделительной

10

области

Расстояние между краем разделительной области и

10

краем скрытого n+-слоя

Расстояние между краем контактного окна в окисли

7

к коллектору и краем базы

Расстояние между краем контактного окна в окисли

3

к базе и краем базы

Расстояние между эмиттерной и базовой областями

3

Расстояние между краем контактного окна в окисли

3

к эмиттеру и краем эмиттера

Расстояние между контактным окном к базе и эмит-

4

тером

Расстояние между базовыми областями, сформиро-

9

ванными в одном коллекторе

Расстояние между эмиттерными областями, сфор-

6

мированными в одной базе

Содержание ограничения

Размер ог-

раничения,

мкм

Расстояние между контактным окном к коллектору

10

и областью разделительной диффузии

Размеры контактного окна к базе

4´6

Размеры контактного окна к эмиттеру

4´4

Ширина области подлегирования n+-слоя в коллек-

8

торе

Ширина контактного окна к коллектору

4

Ширина резистора

5

Размеры окна в окисли

2,5´2,5

Перекрытие металлизации контактных окон в окис-

2

ли к элементам

Расстояние от края контактного окна кp+-разде-

лительным областям для подачи смещения до края

6

области разделения

Расстояние от края контактного окна к изолирован-

ным областям n-типа для подачи смещения до края

6

области разделения

Ширина диффузионной перемычки

3

Размер окна в пассивирующем окисле

100´100

Расстояние от края окна в пассивации до края кон-

6

тактной площадки

Расстояние между соседними резисторами

7

Расстояние меду диффузионными и ионно-легиро-

4

ванными резисторами

Расстояние меду контактной площадкой и прово-

20

дящей дорожкой

Ширина скрытого n+-слоя

4

Расстояние между контактными площадками тесто-

40

вых элементов