Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по отдельности / 1

1. полупроводниковоое состояние вещества.

П/п состояние характеризуется высокой чувствительностью физ. Свойств к факторам внешнего и внутреннего воздействия.

Под действием этих факторов изменяются физические свойства, величина которых зависит от концентрации свободных носителей заряда в системе. Изменяя концентрацию приместных атомов п\п в пределах 1%, электропроводность меняется на 8 -10 порядков. Изменение Т окружающей среды на 2 порядка, приводит к изменению концентрации свободных носителей на 10 и более порядков.

Пример GaAs T=25⁰C→1000⁰C: концентрац. 10⁶→10¹⁷см^-3.

Полупроводимость как явление может проявляться в веществах самого разного химического состава при определенном наборе параметров состояния. Традиционно к п\п относят вещ-ва которые обладают п/п (ми) свойствами. При нормальных условаиях. К ним относятся элементы B(III), C, Si, Ge, серое олово (IV), P, As, Se, S, Te (IV), I(VII)/ Значительно шире число п/п из группы бинарных соединений. A^IIIB^V, A^IIB^VI, A^IVB^VI и т.д.

П/П(ость) как свойство может проявляться в веществах одного тогоже химического состава, но находящихся в различных фазовых состояниях. Сущ. Примеры двойных и тройных соединений которые сохраняют п\п свойство и в жидкости и в стеклообразном состоянии. Элементарные п\п(и) при повышении температуры или давл, могут перейти в металлическую фазу.