Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по отдельности / 8

8.Сторение кристаллической решетки в Si и Ge.

В кристаллах конфигурация ковал связей обуславливает координационное число и структуру кристаллов. Т.к. в Si и Ge при сближении атомов не может образоваться больше 4-х связывающих орбит на на каждый атом, то это значит, что Si и Ge имеют кристаллическую решетку типа алмаз.

Ретикулярные плотности

2/a²

{100} {110} {111}

По расчетам, наиболее плотно упакованы плоскости {110}

Реально: {111}

Причины

Получается чередование АА^/ВВ^/СС^/. За счет того, что атомные плоскости из совокупностей {111} двух подрешеток находятся на расстоянии (а3)/12 и оно мало за счет малости а, то ретикулярная плотность плоскости {111} фактически удваивается.

Вывод: наиболее плотно упакованные плоскости{111}. Соответственно при равновестном росте кристаллы Si и Ge ограняются плоск. октаэдра.