хз / Бис
.docМАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМДП СТРУКТУРЫ
-
Химическая обработка подложки
n
-
Окисление подложки
n
-
ЖХТ окисла для создания кармана
n
-
Формирование кармана. В сформированное окно имплантируем примесь.
После чего проводим отжиг для разгонки примеси и устранения дефектов.
p
n
-
Формирование охранных областей. Для чего:
стравливаем окисел.
p
n
Окисление
p
n
Для формирования охранных областей n и p – типа проведем процесс фотолитографию и ЖХТ чтобы защитить все остальные области и вскрыть окна для ионного легирования.
n+
p+
n+
n+
p
n
Операция осаждения нитрида кремния для защиты стоковых и истоковых областей
n+
p+
n+
n+
p
n
Проводим процесс фотолитографии по нитриду кремния, чтобы в дальнейшем создать охранные области
Si3N4
n+
p+
n+
n+
p
n
-
Нанесение тонкого слоя окисла операций локального окисления. Толщина окисла составляет 0.8 мкм.
n+
n+
n+
p
n
-
ПХТ нитрида кремния и операции травления окисла.
n+
n+
n+
p
n
-
Нанесение поликремния:
Очистка поверхности – химическая обработка;
Термическое окисление SiO2 (создание подзатворного
диэлектрика);
Нанесение поликремния.
Si* Si*
n+
n+
n+
9. Создание областей под стоковые и истоковые области. Удаляем лишние части поликремния.
n+
n+
n+
p
n
10. Создание стоковых и истоковых областей:
Проводим фотолитографию и формируем p+ области с помощью ионного легирования бором. Затем удаляем фоторезист и делаем химическую обработку пластины.
Проводим фотолитографию и формируем n+ области с помощью ионного легирования фосфором. Затем удаляем фоторезист и делаем химическую обработку пластины.
n+
n+
n+
p
n
11. Осаждение защитного окисла кремния.
n+
n+
n+
p
n
12. Фотолитография по защитному слою окисла, чтобы открыть
окна соединения сток-истоковых областей с металлом.
n+
n+
n+
p
n
13. Напыление металла.
Al
n+
n+
n+
p
n
14. Фотолитография по металлу, и его травление.
n+
n+
n+
p
n
15. Химическая очистка пластины и осаждение ФСС.
ФСС
n+
n+
n+
p
n