- •Полупроводниковые запоминающие устройства
- •Обозначение микросхем памяти
- •1. Постоянные запоминающие устройства
- •Программируемые постоянные запоминающие устройства
- •Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •Программируемые логические матрицы
- •2. Оперативные запоминающие устройства
- •Статические запоминающие устройства
- •Динамические запоминающие устройства
- •3. Микросхемы памяти в составе микропроцессорной системы
- •Увеличение разрядности ячейки памяти (слова)
Программируемые логические матрицы
При организации устройств такого типа с одной стороны, сохраняется принцип построения КЦУ, основанный на применении ограниченного числа логических элементов с минимальной избыточностью, с другой стороны, сохраняются преимущества постоянных ЗУ, связанные с регулярной структурой элементов и программируемостью связей между ними для конкретных задач. Это решение реализовано в одной из разновидностей ПЗУ, получивших название программируемых логических матриц (ПЛМ).
Основой ПЛМ. являетсянабор нескольких уровней логических элементов заданного базиса. На каждом уровне используются однотипные элементы с одинаковым числом входов, поэтому создается структура элементов со многими признаками регулярности. Между уровнями элементов вводятся системы (матрицы) горизонтальных и вертикальных (линий), на пересечении которых при программировании в нужных местах выполняются электрические соединения. Это можно делать либо на этапе изготовления (как в ПЗУ), либо введением плавких перемычек (как в ППЗУ). На рис. 9 приведен пример структуры, иллюстрирующей основные принципы построения ПЛМ. Входные элементы, относящиеся к уровню I, используются для получения двух разных значений входных сигналов и обеспечивают необходимую нагрузочную способность. Логические элементы И-НЕ на уровнях II и III обеспечивают необходимое преобразование кодов в соответствии с конкретной реализацией соединений в матрицах I—II и II—III. Можно показать, что для каждого выходного сигнала У обеспечивается преобразование входных сигналов X в соответствии с совершенной дизъюнктивной нормальной формой (СДНФ). Если на каждом из уровней используется достаточное число логических элементов с соответствующим числом входов, то на выходе могут быть реализованы любые комбинации кодов. ПЛМ находят широкое применение для построения различных устройств управления. На их основе совместно с триггерами, регистрами и счетчиками могут быть созданы разнообразные цифровые автоматы.
Рис. 9
2. Оперативные запоминающие устройства
Полупроводниковые ЗУ подразделяются на ЗУ с произвольной выборкой и ЗУ с последовательным доступом. ЗУПВ подразделяются на:
статические оперативные запоминающие устройства (СОЗУ);
динамические оперативные запоминающие устройства (ДОЗУ).
ЗУ с последовательным доступом подразделяются на:
регистры сдвига;
приборы с зарядовой связью (ПЗС).
В основе большинства современных ОЗУ лежат комплиментарные МОП ИМС (КМОП), которые отличаются малой потребляемой мощностью. Это достигается применением пары МОП транзисторов с разным типом канала: n-МОП и p-МОП. Как видно на рис. 10, в КМОП инверторе как при низком, так и при высоком уровне сигнала на входе один из транзисторов закрыт. Поэтому потребление энергии происходит только при переключении "1"R"0" (и обратно).
Рис. 10. Схема КМОП инвертора.
Чтобы реализовать на подложке n-типа не только p-канальный транзистор, но и n-канальный, последний изготавливается в так называемом "кармане", как показано на рис. 11
Рис. 11. Конструкция инвертора на КМОП транзисторах.
Аналогично на четырех МОП транзисторах (2 n-МОП и 2 p-МОП, включенных параллельно и последовательно) можно построить и другие базовые логические элементы "И" и "ИЛИ" и, соответственно, на их основе строятся все другие более сложные логические схемы.
Как известно, быстродействие МОП транзисторов в первую очередь ограничивается большой входной емкостью затвор-исток (подложка). Уменьшение геометрических размеров приборов (площади затвора и длины канала) при увеличении степени интеграции увеличивает граничную частоту.