- •Полупроводниковые запоминающие устройства
- •Обозначение микросхем памяти
- •1. Постоянные запоминающие устройства
- •Программируемые постоянные запоминающие устройства
- •Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •Программируемые логические матрицы
- •2. Оперативные запоминающие устройства
- •Статические запоминающие устройства
- •Динамические запоминающие устройства
- •3. Микросхемы памяти в составе микропроцессорной системы
- •Увеличение разрядности ячейки памяти (слова)
Обозначение микросхем памяти
В соответствии с принятой системой (ОСТ 11 073. 915 - 80) обозначение микросхемы содержит четыре обязательных элемента.
Первый элемент – цифра, указывающая группу микросхемы по конструктивно – технологическому признаку: 1, 5, 6, 7 – полупроводниковые, 2, 4, 8 – гибридные, 3 – прочие (пленочные, пьезокерамические). Второй элемент – две – три цифры, указывающие номер разработки данной серии. В сочетании указанные два элемента составляют номер серии, к которой принадлежит микросхема. Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы: РУ – ОЗУ с управлением, РМ – матрицы ОЗУ, РЕ – масочные ПЗУ, РФ – репрограммируемое ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым светом, РТ – программируемое ПЗУ, РР – репрограммируемое ПЗУ со стиранием информации электрическим сигналом, РЦ – ЗУ на ЦМД, ИР – регистры. Четвёртый элемент – порядковый номер разработки микросхемы в серии микросхем одного вида. Перед первым элементом для характеристики условий применения, материала и типа корпуса могут размещаться: К- общетехнического применения, Э – экспортное исполнение, Р – пластмассовый корпус типа 2, Е – металлополимерный корпус типа 2, М – керамический, металло- или стеклокерамический корпус типа 2, А – пластмассовый корпус типа 4, И – стеклокерамический корпус типа 4, Н – керамический кристаллоноситель, Б – бескорпусное исполнение. После четвёртого элемента может быть размещена дополнительная группа: А, Б, В и т.д., определяющее условие разбраковки микросхем по одному из функциональных параметров: быстродействию, потребляемому току и др.
1. Постоянные запоминающие устройства
ПЗУ могут быть: масочными - запрограммированными на заводе изготовителе (ROM), однократно-программируемыми пользователемППЗУ(PROM), многократно-программируемыми (репрограммируемыми) пользователемРПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM) или c электрическим стиранием (EEPROM,Flash). Широкое распространение нашли также программируемые логические матрицы и устройства (PLM, PML, PLA, PAL, PLD, FPGAи т.д.) с большим выбором логических элементов и устройств на одном кристалле.
На кристалле каждой микросхемы ЗУ формируются накопитель и схемы обрамления. Накопитель представляет собой регулярную структуру из отдельных элементов памяти (ЭП), число которых равно числу бит хранимой информации. К схемам обрамления относятся дешифраторы выбора адресов ЭП, элементы управления режимами работы ЗУ, формирователи сигналов, обеспечивающие сопряжение накопителя с внешней средой.
Микросхемы ПЗУ построены по принципу матричной структуры накопителя. Функции ЭП в микросхемах ПЗУ выполняют перемычки в виде проводников, диодов или транзисторов между шинами строк и столбцов в накопителе. В матрице наличие перемычки соответствует 1, а ее отсутствие – 0. Микросхемы ПЗУ имеют словарную организацию и поэтому информация считывается в форме многоразрядного кода, т.е., словом. Совокупность ЭП в матрице накопителя, в которой размещается слово, называют ячейкой памяти(ЯП). Число ЭП в ЯП определяет ее разрядностьn. Каждая ЯП имеет свой адрес и для обращения к определенной ЯП для считывания из нее информации необходимо к адресным выводам микросхемы подвести сигналы кода, соответствующего данной ячейки адреса. Число ячеек памяти равно 2m, а информационная емкость микросхемы – 2m*nбит.
Занесение информации в микросхемах ПЗУ, т.е. их программирование, осуществляют в основном двумя способами. Один способ заключается в формировании в накопителе перемычек в местах пересечения строк и столбцов матрицы через маску на заключительной технологической стадии изготовления микросхемы ПЗУ. Такие микросхемы ПЗУ называют масочными.Другой способ программирования микросхемы ПЗУ основан на пережигании легкоплавких перемычек в тех пересечениях шин строк и столбцов, куда должен быть записан 0 или 1, в зависимости от принятого кодирования. В исходном состоянии такая микросхема имеет в матрице перемычки во всех пересечениях строк и столбцов. Программирование осуществляет пользователь электрическими импульсами с помощью устройства доя программирования, называемогопрограмматором.
Микросхемы ПЗУ, масочные (ПЗУМ) и программируемые (ППЗУ), допускают однократное программирование, поскольку оно осуществляется формированием или разрушением соединений в матрице. Один из вариантов реализации ПЗУ ориентирован на программирование заданных логических функций. Такие ПЗУ называют программируемыми логическими матрицами (ПЛМ).