- •Старооскольский технологический институт
- •1. Теоретическая часть
- •1.1 Структура биполярного транзистора
- •1.2 Принцип действия и схемы включения транзистора
- •1.3 Статические характеристики и параметры транзистора
- •1.4 Малосигнальные параметры транзистора
- •1.5 Расчет усилителей на постоянном токе
- •2. Практическое выполнение задания
- •2.1 Построение статических характеристик транзистора
- •2.2 Измерение коэффициента усиления по току в статическом режиме
- •Iэ iб ik
- •2.4 Расчет и моделирование параметров усилителя на постоянном токе
Старооскольский технологический институт
(ФИЛИАЛ)
МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ИНСТИТУТА
СТАЛИ И СПЛАВОВ
(ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА)
Кафедра АиПЭ
Основина О.Н.
ЭЛЕКТРОНИКА
методические указания
для выполнения контрольного лабораторного задания № 1
на тему:
«Исследование биполярных транзисторов»
для студентов специальностей:
«Информационные системы и технологии»
«Автоматизация технологических процессов и производств»
(заочная форма обучения)
Одобрено редакционно-издательским советом института
Старый Оскол
2010
Аннотация
Рекомендуемые методические указания составлены в соответствии с разделом «Элементная база электронных устройств» курса «Электроника» для студентов специальности АТП, ИС, обучающихся на заочном отделении. Выполнение лабораторного задания предусматривает построение и исследование статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора, исследование зависимости коэффициента усиления транзистора по току от тока коллектора в статическом режиме, расчет параметров биполярных транзисторов, исследование влияния напряжения коллекторно-базового p-n перехода на его емкость, исследование характеристик усилителей на постоянном токе.
Рекомендации к выполнению задания содержат краткие теоретические сведения по теме задания, задание на выполнение по варианту, методику и примеры расчёта, требуемые для выполнения справочные данные, список рекомендуемой литературы.
Выполнение задания является важным элементом учебного процесса, служит для закрепления лекционного материала и приобретения навыков расчёта и моделирования электронных схем.
Требования к оформлению лабораторного задания
Задание выполняют на листах формата А4, на обложке указывается фамилия, имя, отчество, номер варианта.
Писать нужно на одной стороне листа.
Исходные данные и условие задания формулируется полно и четко.
Основные положения решения и результаты моделирования объясняют и иллюстрируют схемами, чертежами, диаграммами, характеристиками и т. д. На схемах показывают положительные направления токов.
Графическую часть задания выполняют аккуратно с помощью чертежного инструмента на миллиметровой бумаге.
Выдерживают следующий порядок записи при вычислениях: сначала приводят формулу, заменяют символы их числовыми значениями, затем выполняют преобразования с числами, после этого дают результат вычислений и указывают единицу измерения.
К выполненному заданию прилагают письменные ответы на требуемые контрольные вопросы (согласно варианта), перечень использованной литературы, в конце работы ставят дату и подпись.
Задание, выполненное не по своему варианту, а также написанное неразборчиво, не рецензируется.
Лабораторное задание № 1
Тема задания: Исследование биполярных транзисторов
Цель задания:
1. Построение и исследование статических характеристик биполярного транзистора.
2. Исследование зависимости коэффициента усиления по току от тока коллектора в статическом режиме.
3. Расчет параметров биполярных транзисторов.
4. Исследование влияния напряжения коллекторно-базового p-n перехода на его емкость.
5. Исследование характеристик усилителей на постоянном токе.
6. Изучение методики задания параметров усилителей по постоянному току.
7. Моделирование работы усилителя на постоянном токе и сопоставление результатов моделирования результатам расчетов.