Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
SLAYD-EKEKTRONIK-2012 / КЭС_01.ppt
Скачиваний:
26
Добавлен:
14.04.2015
Размер:
242.69 Кб
Скачать

СТАБИЛИТРОНЫ

 

 

I, мА

 

 

 

 

8

 

 

 

 

6

 

 

 

 

4

 

–10

 

–5

2

5

 

 

Uст

 

 

–2

U, В

 

 

 

 

 

ΔI

 

–4

 

 

 

–6

 

 

 

 

 

 

ΔU

 

–8

 

 

 

 

 

Резкое возрастание тока

при увеличении обрат- ного напряжения на p-n-

переходе используется как положительное свойство в специальных диодах с

«Зенеровским пробоем».

Этот «восстанавливае- мый пробой» характери- зуется стабильным на- пряжением пробоя, или напряжением стабилиза- ции Uст

и дифференциальным сопротивлением области стабилизации: Rдиф = ΔU / ΔI.

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

I, мА

 

 

 

10

Iпик

 

 

8

 

 

6

а

 

 

4

Iвпад

б

 

2

 

 

0,4

0,8

U, В

Особое место среди полу- проводниковых диодов занимает туннельный диод

из-за свойственного ему

«падающего участка» ВАХ

с «отрицательным диффе-

ренциальным сопротивле- нием» (пунктирная линия)

• Впервые туннельные диоды под названием

«кристадин Лосева» начали применять в 30-х годах

20-го столетия.

Туннельные диоды изготавливают из германия или

арсенида галлия. На рис. приведена ВАХ

туннельного диода из арсенида галлия. Пиковый ток Iпик для разных типов диодов может иметь значение от единиц до десятков миллиАмпер.

Отношение пикового тока к току впадины (Iпик /

Iвпад) может составлять от 4 до 10.

Наличие участка с «отрицательным диффе- ренциальным сопротивлением» позволяет реализовать на этих диодах генераторы перемен-

ного напряжения или статические триггеры.

Соседние файлы в папке SLAYD-EKEKTRONIK-2012