Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Met_Ukaz_PZ_MKREA

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
14.04.2015
Размер:
520.04 Кб
Скачать

в) d 3 мкм, Sn 22 мм2 , матеріал діелектрика – алюмосилікатне скло;

г) d 0,5 мкм,

Sn 5 мм2, матеріал діелектрика – пентаоксид танталу.

Задача 3. Вибрати конструкцію конденсатора та розрахувати відносну

похибку

площі перекриття обкладинок S ,

якщо задані площа

перекриття

обкладинок Sn , коефіцієнт форми Kф та метод формотворення.

 

а)

Sn 15 мм2 ,

Kф 1, метод формотворення – вільна маска;

 

б)

Sn 4 мм2 ,

Kф 1,4, метод

формотворення –

контактна

фотолітографія;

 

 

 

 

в) Sn 20 мм2 ,

Kф 1,7, суміщений метод формотворення;

 

г) Sn 0,8 мм2,

Kф 2, метод формотворення – контактна маска.

Задача 4. Розрахувати мінімальне за

критерієм електричної стійкості

значення товщини діелектричної плівки, якщо задана максимальна робоча напруга конденсатора UC та відомий матеріал діелектрика.

а) UC 10 В, матеріал діелектрика – скло електровакуумне C44 1;

б) UC 40 В, матеріал діелектрика – монооксид силіцію;

в) UC 5 В, матеріал діелектрика – пентаоксид танталу;

г) UC 20 В, матеріал діелектрика – боросилікатне скло.

Задача 5. Розрахувати максимальну за критерієм потрібної точності

питому ємність конденсатора C0точн . Відомі метод формування топології,

номінальне значення електричної ємності C, значення допустимої відносної

похибки

номінального

значення ємності

C , значення

відносної похибки

питомої

ємності шару

діелектрика C0,

небхідний

термін експлуатації

конденсатора te , максимальна робоча температура Tmax, матеріал діелектрика.

Коефіцієнт форми конденсатора Kф 1.

 

 

 

 

а)

метод

формотворення

– контактна маска,

C 100 пФ,

C 0,15,

 

C0

0,062, t

e

4000 год, T

110 C, матеріал діелектрика – боросилікатне

 

 

 

 

max

 

 

 

скло;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б)

суміщений метод формотворення, C 500 пФ, C 0,2,

C0 0,06,

t

e

10000 год,

T 100 C, матеріал діелектрика –

скло електровакуумне

 

 

 

 

 

max

 

 

 

C44 1;

21

 

 

 

в)

метод

формотворення

контактна фотолітографія,

C 2500 пФ,

 

C

0,22,

C0

0,048, t

e

4000 год, T

120 C,

матеріал

діелектрика –

 

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

сульфід стибію;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г)

метод

формотворення

вільна

маска,

C 1200 пФ,

C 0,14,

 

C

0

0,033, t

e

6000 год,

T

80 C, матеріал діелектрика

монооксид

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

 

 

силіцію.

Задача 6. Вибрати матеріал діелектрика, конструкцію конденсатора та обчислити розміри конденсатора (товщину діелектричної плівки d , довжину l і ширину b обкладинок), якщо необхідно отримати наступні характеристики:

номінальне значення електричної ємності C, допустима відносна похибка номінального значення ємності C , , небхідний термін експлуатації конденсатора te , максимальна робоча температура Tmax, максимальна робоча напруга UC . Відомими є значення значення відносної похибки питомої ємності шару діелектрика C0 та метод формотворення.

 

а)

C 30 пФ,

 

C

 

0,15,

t

e

 

5000 год,

T

100 C,

U

C

40 В,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

 

C0

0,04

, метод формотворення – контактна фотолітографія;

 

 

 

 

 

 

 

б)

C 180 пФ,

 

 

C

0,2,

t

e

 

6000 год,

T

110

C,

U

C

30 В,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

 

C0

0,06

, метод формотворення – вільна маска;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в)

C 1200 пФ,

 

 

C

0,15,

 

t

e

5000 год,

T

90

C,

U

C

100 В,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

 

C0

0,05

, метод формотворення – суміщений метод формотворення;

 

 

 

 

 

г)

C 3000 пФ,

 

 

C

0,1,

t

e

 

4000 год,

T

120 C,

U

 

C

12 В,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

 

 

C0

0,03

, метод формотворення – контактна маска.

 

 

 

 

 

 

 

3 РОЗРАХУНОК ПЛІВКОВИХ ІНДУКТИВНИХ ЕЛЕМЕНТІВ

3.1 Мета заняття

Метою практичного заняття є вивчення методики розрахунку плівкових індуктивних елементів, що використовуються в ІМС та безпосередньо на друкованих платах. В ході заняття студенти повинні засвоїти зв’язок основних електричних характеристик індуктивних елементів, що мають одну з типових конфігурацій, з розмірами цих елементів і характеристиками матеріалів провідника та діелектричної основи.

22

3.2 Основні визначення та розрахункові співвідношення

У наш час при виробництві РЕА використовуються як котушки індуктивності, виконані у вигляді дискретних елементів, так і плівкові індуктивні елементи, що є невід’ємною частиною друкованої плати. Деякі інтегральні мікросхеми також містять індуктивні елементи, але в цьому випадку при обмежених розмірах ІМС важко отримати велике значення індуктивності. Принаймні без використання магнітних провідників або основ. На даному практичному занятті розглядаються лише плівкові індуктивні елементи. Більш детальне вивчення матеріалу студенти мають здійснити при підготовці до практичного заняття за допомогою конспекта лекцій та додаткової літератури [1-3].

Типовими конфігураціями плівкових індуктивних елементів є такі:

плоска квадратна спіраль (рис. 3.1), плоска кругла спіраль (рис. 3.2), окремі квадратний або круглий витки (рис. 3.3), прямокутний відрізок плівкового провідника.

Рисунок 3.1 – Індуктивний елемент у вигляді плоскої квадратної спіралі

Найважливішим параметром індуктивного елементу є індуктивність L. Для наведених типових конфігурацій індуктивність визначається за такими формулами.

23

Рисунок 3.2 – Індуктивний елемент у вигляді плоскої круглої спіралі

Рисунок 3.3 – Індуктивні елементи у вигляді окремих витків

На частотах до сотен мегагерців в РЕА широко використовують круглу та квадратну плоскі спіралі, індуктивність яких визначають за формулами

12,3 w2

(D

D

)

2

 

10 7, Гн,

 

L

 

max

min

 

 

 

(3.1)

 

 

 

 

 

 

Dmax Dmin 5,5 (t b)

 

14,2 w2

(D

D

)

2

 

10 7, Гн,

 

L

 

max

min

 

 

 

(3.2)

 

 

 

 

 

 

Dmax Dmin 5,5 (t b)

де w – кількість витків спіралі; Dmax та Dmin– відповідно максимальний та мінімальний діаметр витків круглої спіралі (3.1) або максимальна та мінімальна сторона квадратної спіралі (3.2), м; t – відстань між спіралями, м; b

ширина провідника, м.

Слід зазначити, що суму t b називають також радіальною шириною спіралі. Зазвичай, зовнішній розмір спіралі Dmax має бути не більшим ніж

24

20 мм, а значення індуктивності плоских спіралей не перевищує одиниць мікрогенрі. Для збільшення індуктивності можна застосувати основу з матеріалу з підвищеною відносною магнітною проникністю r . Плівкові квадратні спіралі при однакових габаритах мають дещо більшу індуктивність але меншу добротність, ніж круглі спіралі. При проектуванні необхідно також враховувати те, що металеві елементи або екрани, які розміщені від плівкової спіралі на відстані, меншій Dmax, зменшують індуктивність і добротність індуктивного елементу.

Плівкові спіральні індуктивні елементи, що призначені для роботи на частотах НВЧ діапазону мають, як правило, лише два витка [3]. З рис. 3.1 та

рис. 3.2 зрозуміло, що при цьому радіальна ширина спіралі t b D2 D1 ,

2

Dmax Dmin D2 D1, а вирази (3.1) і (3.2) можна спростити:

 

49,2 (D

D )

2

10 7 , Гн,

 

L

 

2

1

 

(3.3)

3,75 D2

 

 

 

 

1,75 D1

 

 

56,8 (D D )

2

10 7 , Гн,

 

L

 

2

1

 

(3.4)

3,75 D2

 

 

 

 

1,75 D1

 

Якщо індуктивні елементи діапазону НВЧ повинні мати невелике значен-

ня індуктивності L 0,5...20 нГн, то їх виконують у формі круглого або квадра-

тного витка (рис. 3.3), а також як прямокутний відрізок плівкового провідника

[3].

Індуктивність круглого витка розраховують з виразу

L 0,2 l (ln(

 

2 l

) 2,451) 10 6 ,

Гн,

(3.5)

 

 

 

 

 

b d

 

 

 

 

а квадратного з виразу

 

 

 

 

L 0,2 D (ln(

2 D

) 2,853) 10 6,

Гн,

(3.6)

 

 

 

 

 

b d

 

 

 

 

де l – довжина провідника круглого витка,

м; D– розмір сторони квад-

ратного витка, м; b – ширина провідника, м; d – товщина провідника,

м.

Індуктивність прямокутного плоского провідника визначають за

допомогою формули

 

 

 

 

L 0,2 l (ln(

l

d) 1,19 0,22

(b d)

) 10 6 , Гн,

(3.6)

 

 

 

b

l

 

 

де l, b та d – відповідно довжина, ширина та товщина провідника,

м.

25

Також важливими при розрахунку індуктивних елементів є такі параметри, як добротність, власна резонансна частота та температурний коефіцієнт індуктивності (ТКІ).

Добротність плівкового індуктивного елементу визначають з формули

QL

L

 

 

 

,

(3.7)

r r

 

 

д

f

 

де rд – діелектричні втрати в основі,

Ом; rf

– опір провідника з ураху-

ванням поверхневого ефекту, Ом.

В свою чергу, діелектричні втрати в основі розраховують за формулою

 

 

 

r

3 C

L

L2 tg ,

 

 

 

 

(3.8)

 

 

 

д

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

де CL – власна ємність індуктивного елементу, Ф;

tg

тангенс кута

діелектричних втрат матеріалу основи.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тоді як tg – це довідникова інформація, власну ємність CL

отримують з

виразу

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CL Cп (w 1) l1,

 

 

 

 

(3.9)

де Cп

– погонна ємність між двома сусідніми витками, Ф/м; l1 – довжи-

на першого (внутрішнього) витка, м.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Погонну ємність Cп для плоскої спіралі (рис. 3.1 або рис. 3.2) можна роз-

рахувати, як

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cп

 

 

 

 

 

 

 

 

(t b)2

 

 

 

 

 

 

r 0

 

 

 

 

 

 

1,

 

(3.10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t2

 

 

 

 

 

де r

– відносна діелектрична проникність матеріалу основи.

 

Опір провідника індуктивного елементу з урахуванням поверхневого ефе-

кту на частоті f розраховують за формулою

 

 

 

 

 

 

rf

 

 

l

 

 

 

 

 

10 3 , Ом

 

(3.11)

 

 

 

 

 

f

 

 

b d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

де

– питомий опір матеріалу провідника, Ом м;

– коефіцієнт, що

залежить від співвідношення

b

:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,32,1

 

 

4,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b

 

 

 

b

 

 

 

 

1,35 exp(5,4 10 3 (

4)),

 

4.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Довжину круглої спіралі обчислюють за формулою

26

w

 

l 1,3 2 (w R1 (t b) (i 1)),

(3.12)

i 1

 

де R1 – радіус першого (внутрішнього) витка, м.

Якщо спіраль квадратна, то довжину провідника визначають з виразу

l w (4 D1 (4 w 1) t).

(3.13)

Власна резонансна частота індуктивного елементу дорівнює

 

f0

 

1

 

.

(3.14)

2

 

 

 

 

 

 

L CL

 

ТКІ індуктивного елементу визначається як сума температурних коефіцієнтів лінійного розширення основи осн, діелектричної та магнітної

проникності основи, активного опору провідників R та екрану е:

L осн R е .

Питомий опір основних провідникових матеріалів, які використовуються при виготовленні в тому числі й індуктивних елементів, наведений в табл. 3.1 [4].

Таблиця 3.1 – Значення питомого опору провідникових матеріалів

Матеріал

Питомий опір, 10 8Ом м

Мідь

1,68-1,72

 

 

Срібло

1,47

Золото

2,01

 

 

Латунь

2,5-6

Алюміній

2,61

 

 

Молібден

5,3

Вольфрам

5,3

 

 

Ніколь

6,2

 

 

Олово

10,1

Ковар

49

 

 

Alloy42

57

Сплави Ковар та Alloy42 використовують в РЕА переважно в якості матеріалів виводів та міжелементних сполучень.

Як відомо, власну індуктивність провідників можна розділити на дві складові – внутрішню та зовнішню індуктивності. Зовнішня індуктивність обумовлена утворенням силових ліній магнітного поля в просторі навколо

27

провідника зі струмом I . Внутрішня індуктивність в свою чергу обумовлена утворенням силових ліній магнітного поля навколо так званих «ліній струму» всередині провідника. Зі зростанням частоти струму збільшується індуктивний опір провідника. Оскільки струм завжди протікає по шляху з меншим опором, то «лінії струму» розподіляються поблизу зовнішньої поверхні провідника. Ця поверхнева область провідника, в якій зосереджені лінії струму високої частоти, називається скін-шаром. Товщина скін-шару зменшується зі зростанням частоти і обчислюється по формулі

 

 

 

,

 

 

(3.15)

f r

 

 

 

 

0

 

 

 

де – питомий опір матеріалу провідника,

Ом м;

r

– відносна магніт-

на проникність провідника.

Зрозуміло, що оскільки на високій частоті лінії струму «витісняються» до поверхні провідника, не може йти мови про силові магнітні лінії всередині ма-

теріалу провідника. Тому, на високій частоті власна індуктивність визначається лише зовнішньою індуктивністю.

Слід зауважити, що такі метали як залізо, ніколь та кобальт відносять до групи феромагнетиків. Тому ці метали, а також сплави, складовими яких вони є, мають відносну магнітну проникність r 1. Наприклад, сплави Ковар та

Alloy42 можуть мати відносну магнітну проникність, що досягає значень 100500. При цьому внутрішнє магнітне поле в феромагнітному провідникові зростає, а тому і індуктивність провідника збільшується. Але це стосується лише частот до 1 МГц. На більш високих частотах внаслідок скін-ефекту власна індуктивність такого провідника стає такою ж, як і індуктивність мідного провідника.

3.3 Методика розрахунку плівкових індуктивних елементів

Плівкові індуктивні елементи розраховують в наступній послідовності: 1. Вибирають матеріали провідника та діелектричної основи. У більшості

випадків для виготовлення спіралей використовують ті ж самі матеріали, що і для плівкових провідників і контактних площинок (табл. 2.1). При цьому питомий опір матеріалу можна отримати через зв’язок поверхневого опору Rп з

товщиною d (1.1). Також, питомий опір основних провідникових матеріалів наведений в табл. 3.1. В якості діелектричних основ при виготовленні

28

індуктивних елементів широко використовують матеріали, електричні характеристики яких приведені в табл. 3.2 [3, 4].

Таблиця 3.2 – Матеріали діелектричних основ

Матеріал

 

tg на частоті

r

на частоті

 

f

1МГц, 10 4

f

1МГц

 

 

 

 

 

Скло С41-1

 

<20

 

<7,5

 

 

 

 

 

Скло С48-3

 

<15

 

3,7-8

 

 

 

 

 

Ситал СТ50-1

 

2-20

 

5-8

Кераміка 22ХС

 

<6

 

<10,3

 

 

 

 

 

Полікор

 

1

 

9,1

Синтетичний сапфір

 

1

 

9,3-11,7

 

 

 

 

 

Склотекстоліт FR4

 

200-300

 

3,9-4,6

GETEK

 

120

 

3,5-4,2

 

 

 

 

 

RogersRF35

 

18

 

3,5

 

 

 

 

 

 

 

tg на частоті

r

на частоті

 

 

f 10 ГГц

f

10 ГГц

 

 

 

 

 

Ситал СТ38-1

 

3

 

7,2

 

 

 

 

 

Ситал СТ32-1

 

7

 

10

Кераміка алюмооксидна

 

15

 

10,3

ВК94-1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кераміка алюмооксидна

 

1

 

9,8

ВК100-1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Визначають потрібну товщину плівки провідника d . Товщина плівки має бути більшою за товщину скін-шару. Товщину скін-шару розраховують за формулою (3.15). Приймають d 3 .

3. Вибирають метод нанесення плівки (табл. 1.2) та, виходячи з техноло-

гічних обмежень, ширину провідника b bmin.

4. Вибирають форму спіралі, відношення k Dmin і визначають зовніш-

Dmax

ній діаметр спіралі Dmax та крок спіралі t.

Відношення k Dmin для круглої спіралі вибирають з інтервалу

Dmax

k 0,2...0,4, а для квадратної з інтервалу k 0,2...0,36.

29

При розрахунку двохвиткової спіралі вираз для Dmax D2 можна отрима-

ти з формул (3.3) та (3.4), враховуючи, що D1 k D2 :

 

D

 

L (3,75 1,75 k) 10

7

,

(3.16)

 

 

 

 

 

 

2

 

 

49,2 (1 k)2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

L (3,75 1,75 k) 10

7

.

(3.17)

 

 

 

 

 

 

2

 

 

56,8 (1 k)2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З рис. 3.1 та рис. 3.2 можна зробити висновок, що

 

 

Dmin Dmax 2 (w 1) t 2 b.

(3.18)

Враховуючи це, при розрахунку двохвиткової спіралі крок спіралі визна-

чається як

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

D2 (1 k) 2 b

.

 

 

(3.19)

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

5. Обчислюють внутрішній діаметр спіралі

 

 

 

 

 

 

Dmin k Dmax.

 

 

 

6. Розраховують власну ємність індуктивного елементу CL за допомогою

формул (3.9) і (3.10).

 

 

 

 

 

 

 

 

7. Визначають власну резонансну частоту індуктивного елементу

f0 по

формулі (3.14). Частота

f0

повинна не менше ніж в 2-3 рази бути більшою

робочої частоти. Якщо

це

не так, необхідно збільшити крок спіралі

t або

вибрати матеріал основи з меншим значенням відносної діелектричної проник-

ності.

8.Розраховують діелектричні втрати в основі rд по формулі (3.8).

9.Розраховують довжину спіралі l за формулами (3.12) або (3.13).

10.Обчислюють по формулі (3.11) опір провідника з урахуванням повер-

хневого ефекту rf .

11. Розраховують добротність індуктивного елементу QL по формулі

(3.7). Якщо значення QL менше заданого в технічному завданні, необхідно збільшити ширину провідника b, крок спіралі t і повторити розрахунки.

3.4 Приклади аудиторних і контрольних задач

Задача 1. Визначити індуктивність прямокутного плоского провідника,

якщо задані матеріал провідника, його довжина l та ширина b. Товщина плівки провідника має бути втричі більшою за товщину скін-шару на частоті f .

30