Лабораторная-работа-1

3. Перечень основных технологических операций при напылении пленок термическим испарением.

4. Сравнительную характеристику способности к испарению хрома и меди по величине скорости испарения при условных температурах испарения Tусл для хрома и меди соответственно, вычисленных по формуле.

5. Результаты экспериментального определения сопротивления квадрата пленки вдоль диагоналей подложки на установке ИУС-3 (всего 9 замеров).

6. Результаты расчета распределения конденсата x для тех же точек.

0

7. График теоретической и усредненной экспериментальной неравно-

8. Выводы по результатам работы.

Контрольные вопросы

1.Что понимают технологи под условной температурой испарения?

2.Какими факторами определяется скорость испарения вещества?

3.От каких параметров зависит равномерность конденсата на подлож-

ке?

4.Почему высокопроводящие вещества не наносят непосредственно на диэлектрическую подложку?

5.Для каких целей может использоваться установка ВУП-4?

Литература

1.Технология тонких пленок: Справочник /Под ред. Р.Майссела, Р.Глэнга. Т. 1 / Пер. с англ. 1977. 664 с.

2.Технология СБИС / Под ред. С. Зи. В 2 книгах, кн. 2 / Пер. с англ.

М.: Мир, 1986. 453 с.

3.Техническое описание и инструкция по эксплуатации ВУП-4.

13