Приложение 1.

КТ603Б hFE>60n-p-nКТ318БhFE=25-100n-p-n

КТ605БhFE=30...120n-p-n

КТ608Б hFE>3,5n-p-nБ

Э

Б Э

К

КТ201АhFE=20...60n-p-n

К

ГТ403БhFE=50...150p-n-p

К Э

Э Б

Б

КТ801Б hFE=20...100 n-p-n

К

2Т306БhFE=40...120n-p-nБ Э

Э К

К

Б

Д229Д U =300 I =0,4A I =0,2мА Д229Д U_ОБ=300 I_ПР=0,4А I₀=0,2мА

Д815Б V =6,8 I_СТ >1A

1Т308А hFE=20…75 p-n-p Д815Е V =15 I _СТ =0,5A

К

Э Б К4202НI_З=10мАI₀=10мАU_ПР=400U₀=400

1Е313Б hFE=20...250p-n-p

К

Э Б

┴

КТ203АhFE>9p-n-p

К Э

Б

3. Контрольные вопросы

1. Дайте определение полупроводникового диода.

2. Изобразить вольт - амперную характеристику полупроводникового диода и сделать ее анализ.

3. Перечислите основные параметры, характеризующие работу диоды.

4. Назвать типы диодов, применяемые в генераторах переменного тока и предельную рабочую температуру.

5. Объяснить работу стабилитрона.

6. Изобразить вольт - амперную характеристику кремниевого стабилитрона .

7. Чем определяется напряжение стабилизации стабилитрона и в каких пределах находится его величина?

8. Дайте определение полупроводникового транзистора.

9. Назвать типы применяемых транзисторов и их графическое изображение.

10. Объяснить работу транзистора обоих типов.

11. Дайте определение транзистора.

12. Какие преимущества имеет тиристор перед другими приборами?

13. Классификация и маркировка полупроводниковых диодов и транзисторов.

ЛИТЕРАТУРА

1.Касаткин А.С. Электротехника: Учеб. для вузов/ А.С. Касаткин, М.В.Ю Немцов. – 7-е изд., стер. – М.: Высш. шк., 2003. – 542 с.

2.Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. – Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2001. – 448 с.

3.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов. Под ред. О.П. Глудкина. – М.: Горячая линия – Телеком, 2003. -768 с.

4.Трофимова Т.И. Курс физики: Учеб пособие для вузов. – 7-е изд., стер. – М.: Высш. Шк., 2001. – 542 с.: ил.

3