- •Аналоговая и цифровая электроника
- •Часть 1. Аналоговые устройства на операционных усилителях
- •Содержание
- •1. Введение
- •Исследовать:
- •2. Программа схемотехнического моделирования радиоэлектронных устройств Electronics Workbench
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Структура программы Electronics Workbench
- •2.3. Интерфейс программы Electronics Workbench
- •2.4. Создание схемы радиоэлектронного устройства с помощью программы Electronics Workbench
- •2.5. Контрольно – измерительные приборы ewb.
- •3. Элементы теории обратной связи.
- •4. Операционные усилители.
- •4.1. Основные свойства.
- •4.2. Инвертирующий усилитель.
- •4.3. Инвертирующий сумматор (суммирующий усилитель).
- •4.4. Не инвертирующий усилитель.
- •4.5. Не инвертирующий сумматор.
- •4.6. Дифференцирующее устройство.
- •4.7. Интегрирующее устройство (интегратор).
- •4.8. Импульсные усилители
- •4.9. Избирательные усилители
- •4.10. Электрические фильтры
- •4.11. Активные фильтры
- •5. Разработка схем радиоэлектронных устройств
- •5.1. Выбор базового операционного усилителя
- •5.2. Разработка измерительной схемы не инвертирующего
- •5.3. Разработка измерительной схемы активного фнч
- •5.4. Разработка измерительной схемы активного фвч
- •5.5. Измерительная хема активного полосового фильтра (пф)
- •6. Исследование схем радиоэлектронных устройств
- •6.1. Общие положения
- •6.2. Исследование влияния rос и разброса параметров элементов не инвертирующего усилителя на ку и ачх
- •6.2.1. Определение полосы рабочих частот не инвертирующего
- •6.2.2. Построение амплитудной характеристики
- •6.2.3. Определение коэффициента нелинейных искажений
- •6.2.4. Нахождение точки на амплитудной характеристике,
- •6.2.5. Определение коэффициента усиления при изменении rос
- •6.2.6. Исследование влияния r ос на ачх
- •6.2.7. Исследование влияния разброса параметров элементов на ачх
- •6.2.7.1. Исследование чувствительности схемы не инвертирующего усилителя к общему 20% разбросу параметров элементов схемы
- •6.2.7.2. Исследование чувствительности схемы не инвертирующего усилителя к 20% разбросу параметров отдельных элементов схемы
- •6.3. Исследование влияния разброса параметров элементов на ачх активного фнч
- •6.3.1. Определение рабочего диапазона частот схемы активного фнч
- •6.3.2. Исследование чувствительности активного фнч к общему 20% разбросу параметров элементов
- •6.5. Исследование влияния разброса параметров элементов на ачх активного полосового фильтра (пф)
- •6.5.1 Определение рабочего диапазона частот схемы активного пф
- •6.5.2. Исследование чувствительности активного пф к общему 20% разбросу параметров всех элементов схемы
- •3.5.3. Исследование чувствительности активного пф к 20% разбросу параметров отдельных элементов схемы
- •7. Методические указания по лабораторному практикуму
- •7.1. Определение зависимости коэффициента усиления kу не инвертирующего усилителя от сопротивления обратной связи rос
- •7.1.1. Определение полосы пропускания частот не инвертирующего усилителя
- •7.1.2. Построение амплитудной характеристики
- •7.1.3. Определение коэффициента нелинейных искажений
- •7.1.4. Определение коэффициента усиления ку при разном r ос
- •7.2. Исследование влияния r ос на ачх не инвертирующего
- •7.3. Исследование влияния разброса параметров элементов на ачх усилителя, активного фнч, активного фвч и активного пф
- •7.3.1. Исследование чувствительности к общему разбросу параметров всех элементов схемы
- •7.3.2. Исследование влияния на ачх разброса параметров отдельных элементов схемы
- •8. Отчет по лабораторному практикуму.
- •9. Контрольные вопросы.
8. Отчет по лабораторному практикуму.
В отчете, оформленном согласно стандарту МГУ ПИ, привести краткие теоретические сведения об ОУ, способах их включения в схемы РЭУ, видах обратной связи и их влиянии на характеристики РЭУ.
По результатам экспериментальной части работы привести графики, полученные в ходе её выполнения.
Допускается представление отчета в электронном виде.
9. Контрольные вопросы.
При защите выполненной и оформленной работы студенту предлагается продемонстрировать на ПК один из опытов экспериментальной части с исходными данными его варианта задания.
А также ответить на контрольные вопросы из приводимого ниже списка:
1.
2.
3.
4.
5.
…
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1) Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBMPC. Лабораторный практикум на базеElectronicsWorkbench. Издание 5 – е. – М.: СОЛОН – Пресс, 2004. – 800 с.: ил – (Серия «Системы проектирования»).
2) Кучумов А.И. Электроника и схемотехника: Учебное пособие. – М.: Гелиос АРВ, 2002. – 304 с.: ил.
3) Быстров Ю.А. и др. Электронные приборы и устройства на их основе. Справочник. М.: РиС, 2002 г.
4) Быстров Ю.А., Мироненко И.Г. Электронные схемы и микросхемотехника М.:2002.
5) Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств М.: РиС, 1987 г.
6) Нефёдов В.И. Основы радиоэлектроники и связи: Учебник для вузов. – 2-е изд. перераб. и доп. – М.: ВШ, 2002. – 510 с.: ил.
7) Каяцкас А.А. Основы радиоэлектроники: Учебное пособие для студентов вузов по спец. «Конструирование и производство радиоаппаратуры: – М.: ВШ, 1988. – 464 с.: ил.
Перечень элементов не инвертирующего усилителя. Таблица П1
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Прим. |
|
Аналоговая микросхема |
|
|
DA |
LM741 |
1 |
|
|
Резисторы |
|
|
R1, R2, Rос,Rn |
МЛТ 0,25 – 4,7 кОм ±2% |
4 |
|
|
Конденсаторы |
|
|
C1 |
К50-9 – 1 мкФ ±5% |
1 |
|
Перечень элементов активного ФНЧ. Таблица П2.
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Прим. | |
|
Аналоговая микросхема |
|
| |
|
LM741 |
1 |
| |
|
Резисторы |
|
| |
R1,R2,R3,R4 |
МЛТ0,25– 4,7 кОм ±2% |
4 |
| |
|
Конденсаторы |
|
| |
С1 |
КТ4-21 – 1пФ ±0,5% |
1 |
| |
C2 |
К10-7«в»–68–1000пФ ±5% |
1 |
|
Перечень элементов активного ФВЧ. Таблица П3.
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Прим. | ||
|
Аналоговая микросхема
|
|
| ||
|
LM741 |
1 |
| ||
|
Резисторы |
|
| ||
R1,R2,R3 |
МЛТ 0,25 – 12 кОм ±2% |
3 |
| ||
R4 |
C5-43 – 0,068 – 1 Ом |
1 |
| ||
|
Конденсаторы |
|
| ||
C1,С2 |
К50-12 - 10 – 2000 мкФ±5% |
2 |
|
Перечень элементов активного ПФ. Таблица П4.
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Прим. |
|
Аналоговая микросхема |
|
|
|
LM741 |
1 |
|
|
Резисторы |
|
|
R1 |
МЛТ 0,12 – 33 кОм ±2% |
1 |
|
R2 |
МЛТ 0,25 – 12 кОм ±2% |
2 |
|
R3 |
МЛТ 0,25 – 4,7 кОм ±2% |
1 |
|
R4 |
МЛТ 1,0 - 10∙106Ом |
1 |
|
|
Конденсаторы |
|
|
C1 |
К50-9 – 1 мкФ ±5% |
1 |
|
С2 |
К75-24 – 2,2 мкФ |
2 |
|