
- •В. Е. Поляков
- •Предисловие
- •Введение
- •Глава 1. Основы взаимодействия различных видов излучений с веществом
- •1.1. Ядерное взаимодействие
- •1.1.1. Взаимодействие нейтронов с веществом
- •1.1.2. Взаимодействие заряженных частиц
- •1.1.3. Ядерные реакции при взаимодействии гамма-излучения
- •Пороги фотоядерных реакций для изотопов некоторых химических
- •Максимальные значения сечений фотоядерной реакции для ряда
- •1.2. Электромагнитное взаимодействие
- •1.2.1. Взаимодействие гамма-излучения
- •Энергия k-краев поглощения для ряда химических элементов
- •Взаимодействие рентгеновского излучения
- •Взаимодействие излучения ультрафиолетового, инфракрасного и видимого спектральных диапазонов
- •Взаимодействие излучения видимого спектрального диапазона с веществом
- •Взаимодействие инфракрасного излучения с веществом
- •Взаимодействие излучения радиочастотного диапазона
- •Глава 2. Метод масс-спектроскопии в задачах контроля металлов, сплавов и лома
- •2.1. Физическая сущность метода масс-спектроскопии с лазерной ионизацией вещества
- •Масс-спектрографе с двойной фокусировкой, и фотометрическая кривая этой спектрограммы (б) и области массового числа
- •2.2. Принципы взаимодействия импульсного лазерного излучения с веществом мишени
- •2.3. Типы лазеров и их параметры
- •2.4. Метод масс-спектроскопии с лазерной ионизацией вещества
- •2.5. Масс-спектрометры – средства контроля металлов, сплавов и лома
- •2.6. Типы масс-анализаторов, используемые в масс-спектрометре
- •2.7. Основы методики идентификации элементного состава вещества с использованием лазерного ионизатора и время-пролетного динамического масс-анализатора
- •2.8. Эмиссионные спектроскопы для экспертного спектрального анализа черных и цветных металлов
- •2.8.1. Многоканальный эмиссионный спектрометр дсф-71 (ls-1000)
- •Составные части прибора имеют следующие особенности:
- •Технические характеристики
- •2.8.2. Многоканальный эмиссионный спектрометр серии мфс
- •Технические характеристики:
- •Источник возбуждения спектра – универсальный генератор угэ-4:
- •Унифицированная система управления и регистрации:
- •Источники питания:
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 2
- •Глава 3. Физические основы γ-флуоресцентного контроля металлов, сплавов, лома
- •3.1. Рентгеновские лучи
- •3.2. Рентгеновские спектры
- •Рентгеновская спектроскопия
- •Рентгеновская аппаратура. Рентгеновская камера и рентгеновская трубка
- •Рентгеновский гониометр
- •3.6. Рентгеновский дифрактометр
- •3.7. Рентгенофлуоресцентный кристаллдифракционный сканирующий вакуумный «Спектроскан-V»
- •3.8. Спектрометр рентгенофлуоресцентный кристалл-дифракционный сканирующий портативный «Спектроскан»
- •3.9. Спектрометр рентгенофлуоресцентный кристалл-дифракционный сканирующий портативный «Спектроскан-lf»
- •3.10. Основы методики идентификации элементного состава неизвестного вещества и определение концентрации ингредиентов с использованием метода гамма-флуоресцентного анализа
- •3.11. Методика безэталонного рентгеноспектрального анализа сталей
- •3.11.1. Методика анализа углеродистых сталей
- •3.11.2. Методика определения содержании металлов в питьевых, природных и сточных водах при анализе на сорбционных целлюлозных дэтата-фильтрах
- •3.11.3. Методика определения содержания металлов в порошковых пробах почв
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 3
- •Глава 4. Приборы и методы таможенного контроля состава металлов, сплавов, лома с использованием методов вихревых токов
- •4.1. Основы теории вихревых токов
- •4. 2. Распределение вихревых токов
- •4.3. Характеристики вещества и поля
- •4.4. Физические принципы метода вихревых токов (вт)
- •4.5. Области применения и классификация методов вихревых токов
- •Датчики и характерные физические процессы
- •4.7. Некоторые типовые конструкции датчиков
- •Контроль и влияние примеси на электропроводность некоторых металлов
- •Меди (б)
- •Электропроводность и температурный коэффициент некоторых
- •4.9. Методы и приборы измерения электропроводности немагнитных металлов
- •4.10. Общие положения. Порядок проведения измерений
- •4.11. Элементы методики исследования и выбор материала для контроля
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 4
- •Глава 5. Ультразвуковые методы контроля металлов, сплавов, лома и руд
- •5.1. Классификация акустических методов контроля
- •5.2. Ультразвуковая аппаратура
- •Подготовка к контролю
- •Порядок проведения контроля
- •5.3. Ультразвуковая аппаратура в неразрушающем контроле
- •5.4. Ультразвуковые преобразователи
- •5.5. Определение типа металла, сплава, лома по измерению скорости распространения упругих волн
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 5
- •Глава 6. Классификация радиометрических методов контроля состава руд
- •6.1. Методы определения элементного состава полезных ископаемых по спектрометрии вторичных излучений
- •6.2. Методы, основанные на взаимодействии гамма- или рентгеновского излучения с электронными оболочками атомов или ядрами атомов элементов
- •6.3. Методы, основанные на спектрометрии гамма-излучения, возникающего при различных ядерных реакциях нейтронов с веществом
- •Методы определения естественной радиоактивности пород, содержащих радиоактивные элементы
- •6.5. Люминесцентные методы контроля состава руд
- •6.6. Фотометрические методы контроля состава руд
- •6.7. Радиоволновые методы контроля руд
- •6.8. Технология сортировки руды
- •Вопросы для самопроверки знаний по главе 6
- •Заключение
- •Список используемой литературы:
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •191186, Санкт-Петербург, ул. Миллионная, 5
Пороги фотоядерных реакций для изотопов некоторых химических
элементов Таблица 1.1.3.1
Изотоп |
Порог реакции, МэВ |
Изотоп |
Порог реакции. МэВ |
6Li 9Be 13C 25Mg 29Si 57Fe 65Cu 67Zn 82Se |
5,35 1,67 4,95 7,25 8,45 7,75 10,00 7,00 9,80
|
91Zr 93Nb 97Mo 113Cd 118Sn 133Cs 181Ta 184W 208Pb 209Bi |
7,20 8,70 7,10 6,50 9,10 9,05 7,60 6,25-7,15 7,40 7,40 |
Максимальные значения сечений фотоядерной реакции для ряда
химических элементов Таблица 1.1.3.2
Химический элемент |
Максимальное сечение, барн |
Химический элемент |
Максимальное сечение, барн | |
Be |
0.002 |
Мо |
0.240 | |
С |
0,013 |
РЬ |
0.850 | |
Me |
0.012 |
Bi |
0.940 | |
Мn |
0,081 |
Zn |
0.102 | |
Fe |
0.074 |
Со |
0.125 | |
Сu |
0,100 |
|
1.2. Электромагнитное взаимодействие
Электромагнитное
взаимодействие так же как и ядерное
взаимодействие относится к числу
интенсивных взаимодействий природы,
хотя оно и слабее ядерного. Переносчиками
этого взаимодействия являются кванты
электромагнитного излучения, которые
в зависимости от их происхождения и
энергии называют фотонами, рентгеновским
излучением,
-квантами,
а также радиоволнами. Кванты
электромагнитного излучения возникают
в результате взаимодействия электрического
заряда с окружающим его электромагнитным
полем. Оценка интенсивности электромагнитного
взаимодействия показывает, что оно
в 102
- 103
раз слабее ядерного и процессы так
называемого электромагнитного
распада протекают в
102
- 103
раз медленнее ядерных процессов
[23].
1.2.1. Взаимодействие гамма-излучения
В
предыдущем параграфе был рассмотрено
взаимодействие с веществом
-излучения
с энергией более 10 МэВ, сопровождающееся
протеканием ядерных реакций типа (
,n),
(
,p)
и (
,
).
В области энергий
-квантов
в пределах от 0,01 до 0,5 МэВ преобладающим
видом взаимодействия являетсяфотоэлектрическое
поглощение или
фотоэффект,
а
также рассеяние
-излучения
[24].
Фотоэффектом
называется
такой процесс взаимодействия
-кванта
с атомом вещества, при котором одному
из электронов передается вся энергия
-кванта.
При этом электрон выбивается за пределы
атома с кинетической энергией:
,
(1.2.1.1)
где
Еу
- энергия
-кванта;
- потенциал ионизацииi-й
оболочки атома.
Согласно модели Бора электроны, окружающие ядро атома, располагаются в определенном порядке по концентрическим оболочка K,L,M,N и.т.д., составляющим определенные энергетические уровни (рис. 1.2.1.1).
Фотоэффект
возможен на связанном с атомом электроне
и только в том случае, когда энергия
-квантаЕу
превосходит
величину потенциала ионизации этой
электронной оболочки
.
Следовательно, если Еу
<IК,
то
фотоэффект возможен только на L-,
М-, N-,
... оболочках
и невозможен на K-оболочке.
В случае, когда Еу
<IL,
то
фотоэффект возможен лишь на М-,
N-,
...
и т.д. электронных оболочках и невозможен
на К-
и
L-оболочках
и т.д.
M-оболочка
Рис. 1.2.1.1. Модель атома и схема основных переходов для К- и L-серий характеристического рентгеновского излучения
Вероятность
фотоэффекта характеризуется атомным
коэффициентом фотопоглощения,
который
представляет собой относительное
ослабление пучка
-лучей
сечением 1 см2,
приходящееся на один атом вещества.
Зависимость атомного коэффициента
фотопоглощения от энергии
-квантов
и атомного номераZ
определяется законом Ионссона, и с
некоторым приближением его можно
выразить формулой
,
(1.2.1.2)
где
С
-
постоянная, меняющаяся скачкообразно
при переходе энергии фотонов через
значения потенциалов ионизации
электронных оболочек атома;
-
длина волны фотонов, которую можно
определить
по формуле:
,
(1.2.1.3)
Однако для более точных расчетов используют формулы Вальтера
,
при λ < λK
,
,
при λK
<
λ < λL1
, (1.2.1.4)
где
λK
и
λL1
- длина
волны, соответствующая К-
и
L-краям
поглощения вещества с атомным номером
Z;
к-
длина
волны фотонов. Итак, чем меньше связь
электрона с атомом по сравнению с
энергией-кванта,
тем менее вероятен фотоэффект. При малыхZ
электроны легких элементов связаны
кулоновскими силами ядра слабее, чем в
тяжелых элементах. Поэтому фотоэффект
особенно существенен для тяжелых
элементов, где он идет с заметной
вероятностью даже при высоких энергиях
-квантов,
а для легких элементов он становится
заметным только при относительно
небольших энергиях
-квантов.
Сечение фотоэффекта на электронахK-оболочки
можно подсчитать с помощью формул:
(1.2.1.5)
Это обстоятельство определяет все основные свойства фотоэффекта: ход сечения с энергией, соотношение вероятностей фотоэффекта на разных электронных оболочках и зависимость сечения от заряда среды.
На
рис. 1.2.1.2 изображен ход сечения фотоэффекта
с энергией
-квантов.
Рис
1.2. 1.2. Ход
сечения фотоэффекта с ростом энергии
-квантов.
Приведенная
зависимость показывает, что при больших
энергиях
-квантов
(для которых все электроны связаны)
сечение мало. Уменьшение энергииЕу
приводит
к росту сечения, сначала по закону 1/Ey
а
затем по мере приближения Ey,
к потенциалу ионизации K-оболочки
IК
по
более сильному закону (1/Ey)7/2.
Рост
сечения продолжается до тех пор, пока
Еу
не
станет равной IК.
При
Еy<
IК
фотоэффект
на K-оболочке
становится невозможным, и сечение
фотоэффекта определяется только
взаимодействием
-кванов с электронами последующихL-,
М-,... оболочек.
Электроны этих оболочек связаны с атомом
слабее, чем электроны K-оболочки,
поэтому при равных энергиях
-квантов вероятность фотоэффекта
электрона сL-оболочки
и тем более с M-оболочки
существенно меньше, чем с K-оболочки.
В связи с этим на кривой сечения при Еу
=
IК
наблюдается
резкий скачок.
При
Еу
< 1К
сечение
фотоэффекта начинает расти снова, т.к.
опять возрастает относительная связность
электрона
Рост прекращается приЕу
=
IL,
где
наблюдается новый резкий скачок сечения,
и т.д. Характерные точки разрыва при
IK,IL,
IM
на рис. 1.2.1.2 называются краями
поглощения и определяются значением
энергии связи соответствующей
оболочки. Относительный вклад в сечение
фотоэффекта на L-,
М- и
других оболочках невелик. Расчет дает
для отношения сечений фотоэффекта
на разных оболочках значения:
В табл. 1.2.1.1 приведены энергии K-краев поглощения для ряда химических элементов, которые свидетельствуют о том, что фотоны энергией от 1 до 3 кэВ имеют низкую проникающую способность.
Фотоэффект
является главным механизмом поглощения
мягкого
-излучения в тяжелых веществах. Массовый
коэффициент ослабления
-квантов
в результате фотоэлектрического
поглощения для од-нокомпонентных и
многокомпонентных веществ определяется
соответственно формулами
(1.2.1.6)
,
(1.2.1.7)
где
-
соответственно порядковый номер,
относительная атомная масса и массовая
доляi-элемента;
суммирование в уравнении (1.2.1.7) проводится
по всем элементам, входящим в состав
изучаемого вещества.