27 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

взаимно перекрываются. В результате передача даже незначительной энергии способна привести к протеканию тока.

2.2. Электронно-дырочный переход

2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода

Электронно-дырочным (или p-n) переходом называют область на границе двух полупроводников, обладающих различными типами проводимости. Толщина электронно-дырочного перехода обычно достигает от 100 нм до 1 мкм. На границе полупроводников электронного и дырочного типа концентрации носителей заряда неодинаковы, в результате чего в электронно-дырочном переходе возникает электрическое поле. Электроны переходят из области электронного типа в дырочную область, а дырки, наоборот, из дырочной области мигрируют в область электронного типа, то есть начинает протекать диффузионный ток. Когда концентрация основных носителей заряда больше, чем неосновных, то наибольшим будет ток, образованный упорядоченным движением основных носителей. Нейтрализация носителей зарядов в областях противоположного типа носит название рекомбинации носителей заряда. Рекомбинация электронов в дырочной области приводит к появлению в ней большого количества неподвижных отрицательных ионов, а возникшее электрическое поле будет ускоряющим для неосновных носителей заряда, и тормозящим и отталкивающим назад основных носителей заряда, которые будут вынуждены возвратиться обратно в область электронного типа. Аналогичным образом, рекомбинация дырок в электронной области приводит к образованию в ней большого количества неподвижных положительных ионов. Поэтому выравнивания концентраций носителей зарядов не возникнет. Участок грани-

28 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

цы полупроводников между местом, где будет максимальная концентрация отрицательных ионов акцепторной примеси и местом, где будет максимальная концентрация положительных ионов донорной примеси и есть электронно-дырочный переход. Электроннодырочные переходы, обладающие примерно одинаковой концентрацией носителей зарядов в областях дырочного и электронного типов называют симметричными. Практическое применение симметричных p-n переходов довольно узко, а более широко применяют несимметричные электронно-дырочные переходы. В них концентрации носителей зарядов обладают отличием как минимум на несколько порядков.

Электронно-дырочный переход не получают простым соприкосновением двух разнотипных полупроводниковых брусков, так как в месте их соприкосновения не исключено наличие жировых пятен, пыли, чрезвычайно трудноудаляемой воздушной прослойки и прочего. А вместо этого электронно-дырочные переходы создают по специальным технологиям: диффузии, сплавления, эпитаксии, ионного легирования и ионной имплантации и многим другим.

Суть диффузии состоит в проникновении атомов паров примесей ввиду теплового движения на поверхность и внутрь кристаллов полупроводников, нагретых примерно до 950 °C … 1200 °C, причѐм концентрация примесей наиболее высока на поверхности, а наиболее низка в глубине кристаллов.

Сплавление заключено в наложении таблетки легирующего вещества на кристалл полупроводника и разогревании их до такой температуры, при которой наступит взаимное сплавление легирующего материала и полупроводника. Образованный таким образом электронно-дырочный переход называют резким, т.е. таким, при котором участок перехода концентраций примесей соизмерим с диффузионной длиной.

Эпитаксия – это выращивание плѐнки одного полупроводника на кристалле другого полупроводника. Кристалл полупроводника, на

29 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

который осуществляют наращивание, называют подложкой. Подложку выполняют из полупроводника с кристаллической решѐткой, похожей на кристаллическую решѐтку наращиваемого полупроводника. Если выращиваемый полупроводник и полупроводник подложки – это химически одно и то же вещество, то процесс называют гомоэпитаксией, а если они различны – то гетероэпитаксией.

Процесс ионного легирования заключѐн во внедрении в кристалл полупроводника ионов примеси, которые были в вакууме разогнаны до определѐнной скорости и направлены на поверхность полупроводника.

Помимо рассмотренного электронно-дырочного перехода также выполняют электронно-электронные, дырочно-дырочные переходы, переходы металл-полупроводник и другие.

2.2.2. Прямое и обратное включения электроннодырочных переходов

Подсоединим электронно-дырочный переход к внешнему источнику питания так, чтобы отрицательное напряжение последнего было приложено к области электронного типа, а положительное – к области дырочного типа проводимости. Внешнее поле позволяет преодолеть заряд примесей, которые отталкивают носителей заряда от перехода. Основные носители заряда подступают гораздо ближе к границе полупроводников, и становится меньше ширина электрон- но-дырочного перехода и высота потенциального барьера. Если увеличим напряжение, прикладываемое к электронно-дырочному переходу, возрастѐт концентрация основных носителей зарядов и в области дырочного типа, и в области электронного, в результате чего значительно возрастѐт протекающий через переход диффузионный ток, который существенно превысит дрейфовый ток. Основные носители заряда преодолевают электронно-дырочный переход и попадают из области электронного типа в область дырочного типа

30 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

проводимости, в которой они являются неосновными. Этот процесс называют инжекцией. Ставшие неосновными носители заряда рекомбинируют с основными носителями заряда этой области. Совершенно аналогично дырки из области дырочного типа преодолевают электронно-дырочный переход, инжектируются в область электронного типа проводимости и там рекомбинируют. Указанное включение электронно-дырочного перехода и ток, вызванный движением основных носителей заряда, называют прямым.

Теперь подключим электронно-дырочный переход к внешнему источнику питания так, чтобы положительное напряжение было приложено к области электронного типа, а отрицательное – к области дырочного типа. Внешнее поле ещѐ сильнее отталкивает носителей заряда от перехода, и возрастают и ширина электроннодырочного перехода, и высота потенциального барьера. Прямой ток через электронно-дырочный переход не течѐт. Электроны из области дырочного типа и дырки из области электронного типа будут под действием электрического поля направлены сквозь p-n переход в области тех типов проводимости, в которых они станут основными. Этот процесс носит название экстракции. Через электроннодырочный переход протекает маленький дрейфовый ток, называемый обратным, вызванный движением неосновных носителей заряда. Обратный ток почти не зависит от приложенного к электроннодырочному переходу напряжения до определѐнного предела, после которого он начнѐт возрастать из-за генерации носителей заряда в области границы разнотипных полупроводников. При увеличении температуры и обратный ток, и прямой ток возрастают, причѐм обратный ток увеличивается гораздо быстрее прямого тока. При уменьшении температуры существенного снижения токов не происходит.

Согласно сказанному, сделаем важное заключение: рассмотренный идеальный электронно-дырочный переход в прямом включении

31 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

пропускает электрический ток, а в обратном включении не пропускает, т.е. обладает односторонней проводимостью.

2.2.3. Ёмкости и частотные свойства электроннодырочных переходов

Основное влияние на возможность работы электронно-дырочного перехода на определѐнных частотах оказывают две ѐмкости, которые называют диффузионной и барьерной.

Диффузионную ѐмкость инициируют носители заряда, которые при прямом включении электронно-дырочного перехода в силу инжекции диффундируют через него и не успевают пройти рекомбинацию. Диффузионная ѐмкость тем больше, чем существенней заряд, который перенесѐн через электронно-дырочный переход, и чем меньше падение напряжения на нѐм в прямом включении. Так как диффузионная ѐмкость свойственна открытому состоянию перехода, который при этом обладает малым (в идеале нулевым) сопротивлением, она не оказывает значительного воздействия на частотные свойства.

Барьерной называют ѐмкость, которая возникает при обратном включении электронно-дырочного перехода, когда практически все носители заряда находятся на границе раздела, а в нѐм самом отсутствуют. Барьерная ѐмкость оказывает основное влияние на частотные свойства электронно-дырочного перехода, так как присуща его закрытому состоянию, обладающему высоким (в идеале бесконечным) сопротивлением. Из-за барьерной ѐмкости электроннодырочный переход на высокой частоте может потерять свойство односторонней проводимости. Чтобы этого избежать с барьерной ѐмкостью борются конструктивными и технологическими методами, например, увеличивая протяжѐнность электронно-дырочного перехода и уменьшая его площадь, что характерно для точечных диодов.