- •Предисловие
- •1. Простейшие компоненты
- •1.1. Резисторы
- •1.2. Варисторы и негисторы
- •1.3. Терморезисторы
- •1.4. Конденсаторы
- •1.5. Ионисторы
- •1.6. Моточные компоненты
- •1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели
- •1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы
- •2. Полупроводники и переходы
- •2.1. Общие сведения об электропроводности веществ
- •2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
- •2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная
- •2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
- •2.2. Электронно-дырочный переход
- •2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода
- •2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов
- •2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении
- •2.4. Гетеропереходы
- •2.5. Эффекты полупроводников
- •2.5.1. Эффект Ганна
- •2.5.2. Эффект поля
- •2.5.3. Эффект Суля
- •2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека
- •2.5.5. Туннельный эффект
- •2.5.6. Эффект Холла
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов
- •3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
- •3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов
- •3.2. Выпрямительные диоды
- •3.3. Импульсные диоды
- •3.4. Варикапы
- •3.5. Стабилитроны и стабисторы
- •3.6. Светодиоды
- •3.7. Полупроводниковые лазеры
- •3.8. Фотодиоды
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Общие сведения о транзисторах
- •4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов
- •4.3. Принцип действия биполярных транзисторов
- •4.4. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером
- •4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором
- •4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой
- •4.5. Биполярные фототранзисторы
- •4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов
- •4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
- •5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •5.4. Режимы работы полевых транзисторов
- •5.4.1. Динамический режим работы транзистора
- •5.4.2. Ключевой режим работы транзистора
- •6. Биполярные транзисторы с изолированными затворами
- •6.1. Общие сведения о БТИЗ
- •6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ
- •6.3. Основные параметры БТИЗ
- •7. Тиристоры
- •7.1. Общая информация о тиристорах
- •7.2. Динисторы
- •7.3. Тринисторы
- •7.4. Запираемые тиристоры
- •7.5. Симисторы
- •7.6. Фототиристоры
- •7.7. Основные параметры тиристоров
- •8. Вакуумные и ионные компоненты
- •8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах
- •8.2. Электровакуумные диоды
- •8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов
- •8.3. Триоды
- •8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов
- •8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов
- •8.4. Тетроды
- •8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры
- •8.4.2. Динатронный эффект
- •8.5. Лучевые тетроды
- •8.6. Пентоды
- •8.7. Лампы бегущей волны
- •8.8. Лампы обратной волны
- •8.10. Магнетроны
- •8.11. Мазеры
- •8.12. Тиратроны
- •8.13. Крайтроны и спрайтроны
- •9. Введение в микроэлектронику
- •9.1. Интегральные микросхемы
- •9.3. Гибридные интегральные микросхемы
- •9.4. Полупроводниковые микросхемы
- •10. Устройства отображения информации
- •10.1. Индикаторы
- •10.1.1. Светодиодные индикаторы
- •10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы
- •10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках
- •10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели
- •10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
- •10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
- •10.4. Плазменные панели
- •10.5. Органические светодиодные дисплеи
- •10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках
- •10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов
- •10.8. Голографические системы
- •11. Аналоговые устройства
- •11.1. Усилители сигналов и их классификация
- •11.2. Основные параметры и характеристики усилителей
- •11.2.1. Основные параметры усилителей
- •11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей
- •11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах
- •11.4. Выходные усилительные каскады
- •11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад
- •11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад
- •11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад
- •11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей
- •11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления
- •11.5.2. Режим работы класса A
- •11.5.3. Режим работы класса B
- •11.5.4. Режим работы класса AB
- •11.5.5. Режим работы класса C
- •11.5.6. Режим работы класса D
- •11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей
- •11.6.1. Основная информация об обратных связях
- •11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов
- •11.7. Автогенераторы
- •11.8. Усилители постоянного тока
- •11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями
- •11.8.2. Дифференциальный усилитель
- •11.8.3. Операционные усилители
- •11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей
- •Список литературы
- •Предметный указатель
153Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
лители и импульсные усилители, могут усиливать сигналы с частотой, лежащей в диапазоне примерно от 50 Гц до 6 МГц. Избирательные усилители необходимы для увеличения амплитуды сигналов при сохранении их формы (если это нужно) лишь в определѐнной узкой полосе частот. Для этого в такие устройства вводят избирательные цепи, такие как системы резонансных контуров, пьезоэлектрические или электромеханические фильтры и пр. Избирательные усилители используют в большинстве радиоприѐмников и телевизоров.
11.2. Основные параметры и характеристики усилителей
11.2.1. Основные параметры усилителей
К важнейшим параметрам усилителей относят коэффициент усиления, полосу пропускания, входное и выходное сопротивления, выходную мощность, коэффициент нелинейных искажений, КПД, уровень собственных шумов и другое.
Коэффициентом усиления по напряжению называют отношение амплитуды переменного выходного напряжения к амплитуде переменного входного напряжения усиливаемого сигнала: KU = Uвых / Uвх. Коэффициентом усиления по току именуют отношение силы тока нагрузки к входному току: KI = Iвых / Iвх. А коэффициентом усиления по мощности называют отношение мощности, отдаваемой в нагрузку, к вызвавшей еѐ мощности входного сигнала: KP = Pвых / Pвх. Если тракт усилителя многокаскадный, то суммарный коэффициент усиления всего тракта составляет произведение коэффициентов усиления его отдельных каскадов.
154Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
Если при фиксированной амплитуде входного сигнала изменять частоту сигнала, подаваемого на вход УНЧ, то можно заметить, что на определѐнных очень высоких и очень низких частотах коэффициенты усиления аппарата по напряжению понижаются. А в диапазоне между этими частотами коэффициент усиления практически неизменен. Полоса пропускания усилителя – это такой диапазон усиливаемых частот, в котором выходное напряжение, которое подводят к нагрузке, падает менее чем на 0,707 от наибольшего значения.
Для нормальной работы усилителя его входное сопротивление должно быть много выше выходного сопротивления источника сигнала, а выходное сопротивление усилителя должно быть много меньше, чем сопротивление нагрузки. Если имеет место прямо противоположное – входное сопротивление меньше, чем выходное сопротивление источника сигнала, или выходное сопротивление усилителя меньше сопротивления нагрузки, то их необходимо согласовать. Согласование – это осуществление операций, направленных на обеспечение возможности передачи наибольшей энергии от еѐ источника к потребителю с минимумом потерь и искажений. Типовой приѐм согласования входа транзисторного усилителя с низким сопротивлением и выхода источника сигнала с высоким сопротивлением состоит в установке между ними транзисторного каскада на биполярном или полевом транзисторах, которые включены по схемам с общим коллектором или общим стоком. Известно, что такие каскады обладают высоким входным и низким выходным сопротивлениями.
Номинальная выходная мощность усилителя – это наибольшая мощность, которую он может отдать с нагрузку без превышения заданного значения коэффициента нелинейных искажений. Выход-
ную мощность обычно находят согласно выражению: Pном = Uвых2 / Rн,
где Rн – сопротивление нагрузки, Ом;
а Uвых – напряжение на выходе усилителя, В.
155Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
Нелинейные искажения – это искажения, в результате которых на выходе возникают новые гармоники, которые отсутствовали в исходном сигнале. Количественно эти искажения представляют в виде выраженного в процентах коэффициента гармоник, или коэффициента нелинейных искажений, который находят по следующей
формуле:
Kни = 100% · √(U22 + U32 + U42 + … + Un2) / U1,
где U1 – амплитуда напряжения первой гармоники, В; U2 – амплитуда напряжения второй гармоники, В;
U3 – амплитуда напряжения третьей гармоники, В; U4 – амплитуда напряжения четвѐртой гармоники, В; Un – амплитуда напряжения n-ной гармоники, В.
КПД усилителя, выражаемый в процентах, допустимо вычислить согласно выражению:
η = (Pвых / Pп) · 100, %,
где Pвых – выходная мощность усилителя, Вт;
а Pп – мощность, которую потребляет усилитель от источника питания, Вт.
Возникающие в выходном сигнале усилителя шумы выделяют в три группы:
шумы компонентов, усиливающих сигнал,
тепловые шумы, связанные с повышением температуры резисторов, стабилитронов и других деталей, шумы, обусловленные пульсациями в питающем напряжении.
11.2.2.Важнейшие характеристики усилителей
Косновным характеристикам усилителей причисляют амплитудную, амплитудно-частотную (АЧХ) и фазовую характеристики.
Амплитудной характеристикой называют зависимость амплитуды переменного напряжения, снятого с выхода устройства, от амплитуды напряжения, поданного на его вход. Вместо амплитудных
156Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
напряжений можно оперировать среднеквадратическими напряжениями. Амплитудная характеристика усилителя показана на рис. 11.1.
Рис. 11.1. Амплитудная характеристика Зная амплитудную характеристику, можно найти динамический
диапазон усилителя. Он равен двадцати логарифмам отношения максимального входного напряжения к минимальному входному напряжению, при условии, что эти напряжения соответствуют линейному участку амплитудной характеристики:
D = 20 lg (Uвх.макс / Uвх.мин), (дБ).
Амплитудно-частотной характеристикой, которую получают при фиксированном входном напряжении, именуют зависимость напряжения, снимаемого с выхода аппарата, от частоты сигнала, что отражено на рис. 11.2.
157Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
Рис. 11.2. Амплитудно-частотная характеристика Располагая амплитудно-частотной характеристикой, можно установить полосу пропускания усилителя. Бывает, что удобно использовать зависимость коэффициента усиления устройства от частоты сигнала, получаемую при неизменном входном напряжении. Часто для удобства график АЧХ строят в логарифмическом масштабе.
Фазовой характеристикой называют зависимость от частоты фазового сдвига, возникающего между сигналом, поступающим на вход, и сигналом, получаемым на выходе. Фазовая характеристика усилителя для области низких частот дана на рис. 11.3.
Рис. 11.3. Фазовая характеристика