
8. Подвижность носителей в канале
Поле Ех в канале прижимает носители заряда к поверхности.
Рассеяние на поверхностных дефектах снижает подвижность.
Снижение подвижности тем сильнее, чем больше поле Ех.
Поле Ех возрастает при повышении напряжения VGST .
Эмпирическая
формула Кроуфорда:
, (8.1)
где — подвижность в объеме,
— эмпирический коэффициент.
Влияние поверхностных дефектов — не единственная причина снижения подвижности под действием поперечного поля.
Между столкновениями носитель проходит в направлении у расстояние
,
где — длина свободного пробега,
.
Поле Ех можно оценить по следующей формуле:
.
(поле в середине (поле от средней по длтне
толщины канала) канала величины QsN )
Таким образом,
.
9. Подпороговый ток
При
на поверхности
;
.
Подпороговый ток имеет
диффузионный механизм.
,
,
(9.1)
где
—
площадь поперечного сечения канала,
—
поверхностная
концентрация электронов.
При VSB = VDS = 0:
.
(9.2)
При VGS = VT :
.
(9.3)
Разделив (9.2) на (9.3), получим:
.
(9.4)
При VGS < VT поверхностный потенциал определяется емкостным делителем напряжения (рис. 9.1):
(9.5)
Здесь
— удельная емкость диэлектрика;
— удельная емкость ОПЗ.
Из (9.4) и (9.5):
,
(9.6)
где . Формула
(9.6) справедлива при VDS
= 0.
П
(9.7)
;
.
Подставляя (9.7) в (9.1), получим:
. (9.8)
Эффективная
площадь канала:
;
— эффективная толщина
канала.
;
;
.
Таким образом, из (9.8):
. (9.9)
При
не зависит от