Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
20
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
435.71 Кб
Скачать

Лекция 5 Топологическое проектирование.

Создание топологии (маскирующих слоев) - один из наиболее важных шагов в сквозном проектировании (завершающая часть), где проектировщик описывает детализированные конфигурации и относительное позиционирование каждого маскирующего слоя, который используется в изготовлении кристалла с помощью топологического редактора- Virtuoso Editing:…….Layout. Физическая топология проекта связана с получением предельных параметров схемы при реализации некоторой функции (площади, быстродействия и мощности потребления), так как физическая структура определяет крутизну транзисторов, паразитные емкости и сопротивления, и очевидно, площадь кристалла. С другой стороны, детализированная топология масок логических элементов требует очень интенсивного и отнимающего много времени усилия для выполнения проекта.

Физическое (размещение маски) проектирование КМОП схем - итерационный процесс, который начинается с описания схемы и начального определения размеров транзисторов. Чтобы гарантировать высокую вероятность бездефектного получения всех свойств кристалла, чрезвычайно важно при проектировании топологии не нарушать никакое из Правил Проектирования Топологии.

Рассмотрим этот пример топологического проектирования КМОП - инвертора для детального описания основных процедур.

Пример: топология кмоп инвертора.

Другой вариант получения топологии это использование автоматизированных инструментальных средств Cadance. Позднее рассмотрим пример для детального описания генерации топологии из схемного решения, для топологии многоуровневых устройств.

На этом занятии рассмотрим прорисовку топологии простого КМОП инвертора шаг за шагом. Сначала вспомним структуру КМОП.

Слои технологического файла.

В Cadence используется стандартный технологический маршрут для которого составлен файл, описывающий используемые слои и их свойства.

CDS #

Имя CDS

Описание

1

Oxide

Подзатворный окисел

2

Nwell

Карман N-типа для P-МОП транзистора

3

Poly

Поликремниевый затвор

4

Nimp

Имплантация N-типа для создания областей стока и истока N-МОП

5

Pimp

Имплантация P-типа для создания областей стока и истока P-МОП

6

Cont

Контактные окна к диффузионным слоям, поликремнию

7

Metal1

Слой металлизации первого уровня

8

Via1

Переходное окно между металлизацией первого и второго уровня

9

Metal2

Слой металлизации второго уровня

10

Via2

Переходное окно между металлизацией первого и второго уровня

11

Metal3

Слой металлизации третьего уровня

50

WellBody

Подложечный слой

Символы контактов

• M1_NIMP – контакт Metal 1 к Nimp, Oxide

• M1_NWELL – контакт Metal 1 к Nwell

• M1_PIMP – контакт Metal 1 к Pimp, Oxide

• M1_POLY1 – контакт Metal 1 к Poly

• M1_PSUB - контакт Metal1 к Substrate

• M2_M1 – контакт Metal 2 к Metal 1

• M3_M2 – контакт Metal 3 к Metal 2

Соседние файлы в папке Конспект -Введение в Cadence DSD2