
Рецензия
на дипломный проект студента группы ФХ–57 Физико-химического факультета МИЭТ Билан Александра Евгеньевича на тему: «Поиск и разработка составов резистивного материала с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления для толстопленочных чип-терморезисторов».
Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления используются в различных областях промышленности. Их получают, в основном, по керамической технологии, к недостаткам которой можно отнести высокую температуру спекания терморезистивного материала, относительно большие геометрические размеры терморезисторов и их большая тепловая инертность.
Получение терморезисторов по толстопленочной технологии, позволяет не только избежать указанных недостатков, но и получать терморезисторы по прогрессивной групповой технологии, где формирование терморезисторов совпадает с формированием других толстопленочных элементов. Поэтому изготовление терморезисторов по толстопленочной технологии является одним из важнейших направлений толстопленочной микроэлектроники.
Перед дипломантом стояла очень сложная задача определить состав материалов и изготовить методом толстопленочной технологии чип-терморезисторы с заданными параметрами: большим отрицательным ТКС, наибольшим значением коэффициента температурной чувствительности, заданным сопротивлением при комнатной температуре и небольшими геометрическими размерами.
Трудность решения поставленной задачи усугублялась тем, что свойства терморезистивного материала в объемных образцах и пленках толщиной до 100 мкм значительно отличаются. Кроме того, для изготовления паст на основе порошков терморезистивных материалов необходимо, чтобы эти порошки имели определенный гранулометрический состав (максимальный размер частиц должен быть не более 20 мкм), а как выяснилось в процессе работы, параметры монолитных образцов и пленок терморезистивных материалов существенно зависят от размера частиц исходного материала.
Ограниченность научно-технической информации по теме дипломного проекта, заставили Билан А.Е. большое внимание уделить экспериментальным исследованиям. Проделан совместно со специалистами ЗАО «Элма–Импульс» и ЗАО «НИИМВ» очень большой объем экспериментальных исследований по теме дипломного проекта.
Необходимо отметить хороший методологический уровень работы: синтез и исследование характеристик монолитных образцов и пленок, исследование влияния длительности помола исходного порошка, толщины слоев, температурных режимов вжигания пленок на параметры чип-терморезисторов. Все это, в конечном счете, позволило изготовить чип-терморезисторы с параметрами, удовлетворяющими требованиям на дипломное проектирование.
Большую научную и практическую ценность представляют и результаты исследований по температурно-временной стабильности чип-терморезисторов, что позволило после защиты слоя терморезистора пленкой легкоплавкого стекла значительно повысить температурно-временную стабильность параметров чип-терморезисторов.
Разработанное в дипломном проекте приспособление для трафаретной печати проводящих и резистивных слоев на керамические подложки с большим отношением длины к ширине (40:1 при ширине подложки около 8 мм) характеризует Билан А.Е. как грамотного инженера, умеющего сформулировать задачу и предложить пути ее решения.
К недостаткам работы следует отнести слабое теоретическое обоснование связи проводимости слоев терморезистивного материала с некоторыми технологическими и геометрическими факторами изготовления чип-терморезисторов.
Однако отмеченные недостатки не снижают научной и практической ценности дипломного проекта для разработчиков пленочных терморезисторов и приборов с применением этих терморезисторов. Техническое задание на дипломное проектирование выполнено в полном объеме.
Работа Билан А.Е. по объему, содержанию и практической значимости соответствует требованиям к дипломному проекту.
Дипломный проект выполнен на хорошем методическом и инженерном уровне и заслуживает отличной оценки, а его автор, Билан А.Е. – присвоения квалификации инженера электронной техники.
Рецензент,
начальник отдела №330 ЗАО «НИИМВ» Пономарев С.В.